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公开(公告)号:CN117459146A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311342060.7
申请日:2023-10-17
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B10/40 , H04B10/516
Abstract: 本发明公开了一种基于多普勒频移预补偿方法的800G高速光收发装置和方法,电子处理模块:用于处理接收到的初始电信号进行均衡降噪处理;光电转换模块:用于处理接收到的光电信号进行光电转换并进行相应的调制解调处理;管理控制模块:用于控制并监控电子处理模块和光电转换模块并提供供电功能;所述电子处理模块、光电转换模块和管理控制模块通过金属布线连接。本发明基于微控制器的边缘计算能力和800G硅光技术,可实现不同运行轨道卫星的高速通讯组网,根据当前工作环境快速切换高速工作模式和低速节能模式,可实现有限充电环境的全天候工作,根据传输时延和卫星轨道对多普勒频移值进行均衡降噪,实现短时信号中断的瞬时链路恢复。
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公开(公告)号:CN116316057A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310168904.4
申请日:2023-02-24
Abstract: 本公开涉及光通信技术领域,尤其涉及一种基于马赫泽德干涉仪的窄线宽半导体激光器芯片。其中,该芯片包括:谐振腔和马赫泽德干涉仪干涉区,马赫泽德干涉仪干涉区包括第一调制臂和第二调制臂;其中,马赫泽德干涉仪干涉区位于谐振腔内;根据第一调制臂对应的第一调制臂长度和第二调制臂对应的第二调制臂长度,确定马赫泽德干涉仪干涉区对应的自由光谱程。采用上述方案的本公开可以提供一种集成化、小型化、窄线宽、高边模抑制比、大功率且利于大规模生产的窄线宽半导体激光器芯片。
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公开(公告)号:CN116054952A
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202310040416.5
申请日:2023-01-11
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B10/524 , H04B10/50 , H04Q11/04 , H04Q11/00
Abstract: 本发明公开了一种基于Nyquist光脉冲的单片集成OTDM信号发生芯片,包括半导体材料基底及集成在基底上的分布式反馈激光器、第一马赫曾德尔调制器、第二马赫曾德尔调制器、半导体光放大器、1×m多模干涉耦合器、光延迟线阵列、马赫曾德尔调制器阵列和m×1多模干涉耦合器。第一马赫曾德尔调制器和第二马赫曾德尔调制器级联,用于将连续激光调制成周期可调的Nyquist光脉冲;1×m多模干涉耦合器将增益后的光脉冲等功率分为m路光脉冲信号,光延迟线阵列用于改变光脉冲信号的相对延时,m路光脉冲信号经马赫曾德尔调制器调制,并由m×1多模干涉耦合器合束。该芯片通过DFB激光器与两个马赫曾德尔调制器级联代替传统的锁模激光器作为片上OTDM光源,可实现高速OTDM信号传输。
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公开(公告)号:CN117908306A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202410110993.1
申请日:2024-01-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明提供了一种带有短路金属线电极结构的调制器,包括:衬底、绝缘介质层、共面波导行波电极、多个具有不同掺杂浓度的脊型光波导以及金属线组;所述绝缘介质层设置在衬底上,多个具有不同掺杂浓度的脊型光波导设置在绝缘介质层上;每个脊型光波导通过通孔与共面波导行波电极相连;所述共面波导行波电极中所有的地电极通过通孔与金属线组连接;所述金属线组包含通过周期性排布的金属线。本发明中的调制器通过短路金属线结构抑制了共面波导行波电极中寄生模式的产生,有效优化了微波信号的传输损耗频率响应曲线,有利于高速光通信中高质量眼图的产生。
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公开(公告)号:CN116626921A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202310674920.0
申请日:2023-06-08
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明提供了一种基于侧边耦合光子晶体的IQ调制器,包括:1×2多模干涉耦合器、2个侧边耦合光子晶体调相模块、2个热光移相器、2段纳米线波导、2×1多模干涉耦合器,所述纳米线波导穿过侧边耦合光子晶体调相模块和侧边耦合光子晶体调相模块,一端连接1×2多模干涉耦合器,另一端连接2×1多模干涉耦合器;所述侧边耦合光子晶体调相模块包括光子晶体微腔;所述光子晶体微腔的传输谱在特定工作波段处呈现一个低谷状态,形成调相所需的“0”状态,在其他大部分波段处呈现水平的通光状态,形成调相所需的“1”状态,大大提高了光子晶体通光效率。本发明提供的IQ调制器具有通光效率高、尺寸小、调制带宽高的特性,易于光电子器件高度集成。
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