半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110600457A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910485829.8

    申请日:2019-06-05

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置具备:第一绝缘基板;第一半导体元件及第二半导体元件,配置在第一绝缘基板上;第二绝缘基板,隔着第一半导体元件而与第一绝缘基板相对;第三绝缘基板,隔着第二半导体元件而与第一绝缘基板相对,并与第二绝缘基板横向排列配置。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN109727959A

    公开(公告)日:2019-05-07

    申请号:CN201811240917.3

    申请日:2018-10-24

    Inventor: 浅井林太郎

    Abstract: 本说明书公开半导体装置及其制造方法。本说明书公开的半导体装置具备:第1半导体元件以及第2半导体元件;第1绝缘基板,具有在绝缘层的两面分别设置有金属层的构造,一方的金属层连接于第1半导体元件;以及第2绝缘基板,具有在绝缘层的两面分别设置有金属层的构造,一方的金属层连接于第2半导体元件。该半导体装置中的第1绝缘基板的一方的金属层经由连接器电连接于第2绝缘基板的一方的金属层。该连接器由与第1绝缘基板以及第2绝缘基板分开的部件构成,连接器的一端接合于第1绝缘基板的一方的金属层,连接器的另一端接合于第2绝缘基板的一方的金属层。

Patent Agency Ranking