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公开(公告)号：CN103117221B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201110364028.X
申请日：2011-11-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明实施例公开了一种可用于Ka波段或更高频段的HEMT器件及其制造方法，该方法包括：提供包括衬底、缓冲层、外延层、帽层、源极、漏极和钝化层的基底；在基底表面内形成穿过钝化层、帽层并深入到外延层表面内的栅槽；在栅槽底面上形成T型栅，T型栅的栅脚边缘与栅槽侧壁具有一定间距，栅帽下表面高于钝化层上表面且与钝化层上表面具有一定间距。本发明实施例中由于T型栅的栅脚和栅帽均未与钝化层的介质直接接触，而是保留了一定间隔，从而在根本上降低甚至消除了栅与介质之间产生的寄生电容，减小了器件的栅源电容和栅漏电容，增大了器件的截止频率和最高振荡频率，使器件可工作于Ka波段及其以上频段，提高了器件的功率特性。
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公开(公告)号：CN102456610A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010520271.1
申请日：2010-10-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种控制背孔剖面形状的方法。该方法包括：在底层材料上沉积金属薄膜；刻蚀去除底层材料上背孔位置沉积的金属薄膜；以底层材料上剩余的金属薄膜为掩膜对底层材料进行等离子刻蚀，通过逐步降低等离子刻蚀过程中制冷介质的流量来实现对背孔剖面形状的控制。利用本发明公开的方法，可以获得倾斜的背孔剖面，便于背孔内壁起镀层金属的完整覆盖，从而实现了背孔内镀层金的完整填充。
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公开(公告)号：CN102354666A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110340571.6
申请日：2011-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种T型栅的HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成楔形栅脚图形；在具有楔形栅脚图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形；以具有T型栅图形的双层光刻胶层为掩膜，形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述T型栅的栅脚底部呈楔形，该楔形的楔角位于所述T型栅靠近源极的一侧的栅脚底部。T型栅靠近源极的一侧在物理距离上更靠近沟道电子，增强了T型栅对沟道电子的控制能力，并且削弱了T型靠近漏极一侧的栅脚电场，使得器件的击穿电压升高。
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公开(公告)号：CN102201334B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110133545.6
申请日：2011-05-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiNx钝化层；使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀SiNx钝化层形成U型栅脚结构；再刻蚀AlGaN势垒层，并通过双层胶二次曝光得到栅帽；以及经过蒸发、剥离形成U型栅脚T型栅结构。利用本发明，能够有效平滑T型栅栅脚近漏端的电场分布并降低峰值电场强度从而提高器件的击穿电压，同时对短沟道效应也能起到一定的抑制作用。
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公开(公告)号：CN102456611A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010520274.5
申请日：2010-10-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种控制背孔剖面形状的方法。该方法包括：在底层材料上沉积多层金属薄膜，多层金属薄膜中的各层对底层材料具有不同的刻蚀方向选择比；刻蚀去除底层材料背孔位置沉积的多层金属薄膜；以底层材料上剩余的多层金属薄膜为掩膜对底层材料进行刻蚀，利用多层金属薄膜对底层材料的不同刻蚀方向选择比来实现对背孔剖面形状的控制。利用本发明公开的方法，可以获得了倾斜的刻蚀剖面，便于背孔内壁起镀层金属的完整覆盖，从而实现了背孔内镀层金的完整填充。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102087092A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910241685.8
申请日：2009-12-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，包括：测量AlGaN/GaN HEMT器件的CV曲线；对CV曲线通过数学变形得到C-2同栅压之间的关系，作C-2-V图；对C-2-V求微分，利用公式获得N(W)-V的关系；利用公式获得W(V)-C的关系；由于C与V的对应关系可得N(W)-W(V)的关系图；在已知外延层结构的前提下，通过耗尽层同凹栅槽之间的关系，获得凹栅槽的深度。本发明采用CV的方法获得了器件的凹栅槽的深度的大小，利于实现对器件凹栅槽刻蚀工艺的有效监控，实现了对AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的测量。
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公开(公告)号：CN102361010B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110340553.8
申请日：2011-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L21/027 , H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种T型栅HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成细栅图形；在具有细栅图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形；在所述钝化层表面内和外延层表面内形成T型栅图形的栅脚图形；形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述栅脚底部被分为呈阶梯状排列的两部分，靠近源极的部分比靠近漏极的部分长。T型栅产生的电场更加均匀，在实际应用的时候可以降低栅脚靠近漏极一侧的边缘电场，进而降低漏压，使得器件的击穿电压升高。
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公开(公告)号：CN102339748B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110340567.X
申请日：2011-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/311 , H01L21/335
Abstract: 本发明实施例公开了一种降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法，包括：提供基底，基底包括缓冲层、位于所述缓冲层表面上的外延层、位于所述外延层表面上的帽层以及位于所述帽层表面上的钝化层；采用钝化层刻蚀粒子刻蚀掉栅槽上方预设厚度的钝化层材料，以在所述钝化层表面内形成栅槽图形，所述预设厚度小于钝化层的厚度；采用帽层刻蚀粒子刻蚀上方剩余厚度的钝化层材料以及栅槽区域的帽层材料，以在所述钝化层和所述帽层表面内形成HEMT器件的栅槽。本发明实施例剩余厚度的钝化层材料阻止了钝化层刻蚀粒子对帽层材料的刻蚀，降低的栅槽刻蚀损伤，提高了HEMT器件电性和良率。
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公开(公告)号：CN102339748A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110340567.X
申请日：2011-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/311 , H01L21/335
Abstract: 本发明实施例公开了一种降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法，包括：提供基底，基底包括缓冲层、位于所述缓冲层表面上的外延层、位于所述外延层表面上的帽层以及位于所述帽层表面上的钝化层；采用钝化层刻蚀粒子刻蚀掉栅槽上方预设厚度的钝化层材料，以在所述钝化层表面内形成栅槽图形，所述预设厚度小于钝化层的厚度；采用帽层刻蚀粒子刻蚀上方剩余厚度的钝化层材料以及栅槽区域的帽层材料，以在所述钝化层和所述帽层表面内形成HEMT器件的栅槽。本发明实施例剩余厚度的钝化层材料阻止了钝化层刻蚀粒子对帽层材料的刻蚀，降低的栅槽刻蚀损伤，提高了HEMT器件电性和良率。
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公开(公告)号：CN102299071A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010217196.1
申请日：2010-06-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/311 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种提高AlGaN/GaN HEMT频率特性的方法，该方法包括：对常规结构的毫米波GaN HEMT器件进行布线，然后通过光学光刻，在器件表面形成对布线金属保护的图形；采用湿法腐蚀工艺对器件进行一次介质的腐蚀；对腐蚀后的器件进行剥离去胶。利用本发明，减少了栅源、栅漏寄生电容，提高了器件截止频率(ft)和最高振荡频率(fmax)。
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