公开(公告)号：CN116825718A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310798552.0

申请日：2023-06-30

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 陈献宇 ,  朱慧珑

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种自对准纳米硅通孔结构及其制备方法，方法包括：在已形成鳍片结构的硅衬底上生长包覆鳍片的第一SiO2层；在顶面生长牺牲层，在牺牲层上形成第一预设图案，刻蚀出平行于鳍片的初始沟槽，用第一填充物填充；在顶面形成第二预设图案，刻蚀出第一初始盲孔，用第二填充物填充；去除牺牲层及其内的第一填充物和第二填充物；在顶面生长第二SiO2层，去除填充物及对应位置的第二SiO2层，形成目标沟槽和第一目标盲孔；在目标沟槽和第一目标盲孔中填充第三填充物至鳍片中部后填充第四填充物；在顶面形成第三预设图案，刻蚀SiO2层和第四填充物至暴露出第三填充物，用第五填充物填充；从底面减薄至暴露出第一目标盲孔中的第三填充物，得到自对准纳米硅通孔结构。

公开(公告)号：CN119486130A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411554154.5

申请日：2024-11-01

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 朱慧珑 ,  陈献宇 ,  张永奎 ,  王琪 ,  罗军 ,  叶甜春

IPC: H10B12/00

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。本申请的半导体器件通过在晶体管内部体接触区引出体线，以体线作为载流子通道，对不同的垂直晶体管感应出的载流子进行传输。从而在较宽的栅控电压范围内具有极低的关态电流，有效减少半导体结构的浮体效应，防止寄生的PN结正向导通，显著降低漏电流。此外，不仅部分体线位于晶体管内部体接触区，无需额外占用面积，而且位线、字线、体线在第一方向上均以交叠的形式设置在沟道区域内，并通过隔离材料阻断三者之间的连接，消除了传统的环栅晶体管的DRAM阵列结构中的位线、字线、体线之间的固有间隔，有利于半导体器件的尺寸微缩。

公开(公告)号：CN118173579A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410302737.2

申请日：2024-03-15

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 朱慧珑 ,  陈献宇 ,  张永奎 ,  罗军 ,  叶甜春 ,  刘文亮

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件及制造方法，可以应用于半导体技术领域。该半导体器件包括：在衬底上沿竖直方向依次设置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，沟道层连接在第一源/漏层和第二源/漏层之间，其中，沟道层在竖直方向上具有中部掺杂浓度高而端部掺杂浓度低的掺杂分布；以及与沟道层的中部连接的体接触部，其中，沟道层的掺杂浓度高的中部在竖直方向上的高度大于体接触部在竖直方向上的高度。