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公开(公告)号：CN104037068B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410324605.6
申请日：2014-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种全新的芯片表面污物清洁处理的方法，包括步骤：将待清理芯片在烘箱中烘烤第一预定时间；将待清理芯片在室温下冷却后置于热板上；在冷却后的待清理芯片上放置一限位框，所述限位框具有一中空部分，用于在所述待清理芯片表面限定待清理部位；在限位框中滴入液态胶，使其充满限位框的中空部分；打开热板电源，使温度升高至第一预定温度并保持第二预定时间；将带限位框的芯片由热板放到去离子水中；剥离限位框和芯片；将芯片先后在丙酮、乙醇中浸泡，然后在去离子水反复冲洗后用氮气吹干。本发明能够实现某些功能芯片重复利用以及对芯片特定区域进行清洁处理提供有效解决办法。
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公开(公告)号：CN104090447A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410331789.9
申请日：2014-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种无源光限幅器，包括：一基底，该基底上面开有一凹槽；一输入光路，其制作在基底上面的一侧，一端探入到凹槽上；一输出光路，其制作在基底上面的另一侧，一端探入到凹槽上，该输入光路和输出光路之间有一狭缝，形成镜面微腔；一光输入端，其与输入光路连接；一光输出端，其与输出光路连接。本发明提供的无源光限幅器，具有结构简单，成本低，反应速度快，性能稳定的优点。
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公开(公告)号：CN104037068A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410324605.6
申请日：2014-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/02068
Abstract: 本发明公开了一种全新的芯片表面污物清洁处理的方法，包括步骤：将待清理芯片在烘箱中烘烤第一预定时间；将待清理芯片在室温下冷却后置于热板上；在冷却后的待清理芯片上放置一限位框，所述限位框具有一中空部分，用于在所述待清理芯片表面限定待清理部位；在限位框中滴入液态胶，使其充满限位框的中空部分；打开热板电源，使温度升高至第一预定温度并保持第二预定时间；将带限位框的芯片由热板放到去离子水中；剥离限位框和芯片；将芯片先后在丙酮、乙醇中浸泡，然后在去离子水反复冲洗后用氮气吹干。本发明能够实现某些功能芯片重复利用以及对芯片特定区域进行清洁处理提供有效解决办法。
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公开(公告)号：CN104090447B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201410331789.9
申请日：2014-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种无源光限幅器，包括：一基底，该基底上面开有一凹槽；一输入光路，其制作在基底上面的一侧，一端探入到凹槽上；一输出光路，其制作在基底上面的另一侧，一端探入到凹槽上，该输入光路和输出光路之间有一狭缝，形成镜面微腔；一光输入端，其与输入光路连接；一光输出端，其与输出光路连接。本发明提供的无源光限幅器，具有结构简单，成本低，反应速度快，性能稳定的优点。
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公开(公告)号：CN103811568B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410060091.8
申请日：2014-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器，包括：SOI衬底，由下至上依次包括硅、埋氧层和顶层硅；刻蚀该顶层硅形成的一维光栅，该一维光栅由多个二氧化硅条(6)和多个硅条(7)交替分布构成，用以调制与石墨烯层作用的光场的空间分布；形成于该一维光栅之上的石墨烯层(8)，作为有源层与其周围的光场作用产生电子空穴对；形成于该石墨烯层(8)之上的第一叉指电极(4)和第二叉指电极(5)，二者均与石墨烯接触从而在接触面形成内建电场，用以实现对光生载流子的有效收集而形成光电流。利用本发明，通过光栅结构调制入射光在石墨烯周围的光场，以实现红外探测的高响应度和高带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104765164A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510169681.9
申请日：2015-04-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/009
Abstract: 本发明公开了一种带宽可调的带通型光学滤波器，包括：一个主环形谐振器(11)；两个副环形谐振器分别位于主环形谐振器(11)两侧，作为输入环形谐振器(12)和输出环行谐振器(13)；两个加热器(14)，分别位于输入环形谐振器(12)和输出环形谐振器(13)上；两个弯曲波导分别位于输入环形谐振器(12)和输出环形谐振器(13)外侧，作为输入波导(15)和输出波导(16)。利用本发明，通过加热器改变输入、输出环形谐振器的谐振波长，可以实现滤波器输入、输出端耦合系数的改变，进而实现带宽可调的功能。
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公开(公告)号：CN102540505B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210010933.X
申请日：2012-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/025
Abstract: 一种基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器，包括：一个对称垂直耦合光栅，作为SOI基电光调制器与单模光纤的接口或耦合器和SOI基电光调制器输入端的3-dB光学分束器；两个模式转换器，作为对称垂直耦合光栅处宽波导与单模脊型波导的连接；两个光学相移臂，每个光学相移臂由单模脊型波导和嵌入到其中的电学结构组成；一个光学合束器，用于将对称垂直耦合光栅分成的两个光学相移臂中的光合为一束，从而将光的相位调制转换为强度调制；两个共面波导行波电极，分别位于两个光学相移臂的上面，与光学相移臂中的电学结构形成电学接触，用于射频/微波电调制信号的加载和传输；一个环形金属对准标记，位于对称垂直耦合光栅的周围，用于光栅测试时对光纤的对准。
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公开(公告)号：CN102565955B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210012013.1
申请日：2012-01-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种电可调谐光栅耦合器，包括：一SOI衬底，包括硅衬底、埋氧层以及上方的顶层硅层；一斜入射光栅耦合器，位于SOI衬底之上的顶层硅层上；一P+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的一侧平板区域内；一N+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的另一侧平板区域内；一对电极，位于P+掺杂区和N+掺杂区的上方，通过金属接触通孔分别与P+掺杂区和N+掺杂区相连，用于电信号的加载；一模式转换器，一端为宽波导，该模式转换器位于斜入射光栅耦合器的一端，具有宽波导的一端与斜入射光栅耦合器的一端耦合；一单模脊型波导，与斜入射光栅耦合器分别位于模式转换器的两端；一衬底金反射镜，嵌入于SOI衬底底部的硅衬底中，斜入射光栅耦合器和埋氧层的下方。
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公开(公告)号：CN102565955A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210012013.1
申请日：2012-01-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种电可调谐光栅耦合器，包括：一SOI衬底，包括硅衬底、埋氧层以及上方的顶层硅层；一斜入射光栅耦合器，位于SOI衬底之上的顶层硅层上；一P+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的一侧平板区域内；一N+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的另一侧平板区域内；一对电极，位于P+掺杂区和N+掺杂区的上方，通过金属接触通孔分别与P+掺杂区和N+掺杂区相连，用于电信号的加载；一模式转换器，一端为宽波导，该模式转换器位于斜入射光栅耦合器的一端，具有宽波导的一端与斜入射光栅耦合器的一端耦合；一单模脊型波导，与斜入射光栅耦合器分别位于模式转换器的两端；一衬底金反射镜，嵌入于SOI衬底底部的硅衬底中，斜入射光栅耦合器和埋氧层的下方。
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公开(公告)号：CN102540505A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210010933.X
申请日：2012-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/025
Abstract: 一种基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器，包括：一个对称垂直耦合光栅，作为SOI基电光调制器与单模光纤的接口或耦合器和SOI基电光调制器输入端的3-dB光学分束器；两个模式转换器，作为对称垂直耦合光栅处宽波导与单模脊型波导的连接；两个光学相移臂，每个光学相移臂由单模脊型波导和嵌入到其中的电学结构组成；一个光学合束器，用于将对称垂直耦合光栅分成的两个光学相移臂中的光合为一束，从而将光的相位调制转换为强度调制；两个共面波导行波电极，分别位于两个光学相移臂的上面，与光学相移臂中的电学结构形成电学接触，用于射频/微波电调制信号的加载和传输；一个环形金属对准标记，位于对称垂直耦合光栅的周围，用于光栅测试时对光纤的对准。
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