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公开(公告)号：CN104403570B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410610365.6
申请日：2014-11-03
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光领域，特别是涉及一种可有效应用于相变材料GST的双氧化剂化学机械抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种双氧化剂的GST化学机械抛光液，其原料按重量份计，包括如下组分：抛光颗粒0.2?30份；氧化剂A 0.01?5份；氧化剂B 0.01?5份；表面活性剂0.01?4份；水性介质85?95份；pH调节剂适量；所述双氧化剂化学机械抛光液的pH值的范围为2?6。本发明发明人在相变材料抛光液中添加双氧化剂，利用两种氧化剂的协同作用，实现三种元素的全部氧化，解决抛光之后残留问题，保证抛光之后三种元素的比例保持不变，相变材料能够保持具有与抛光之前相同的相变性能。
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公开(公告)号：CN103897603A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210586914.1
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光液领域，尤其涉及一种可有效应用于相变材料GST的化学机械抛光液。本发明提供一种GST中性化学机械抛光液，以重量百分比计，包括如下组分：二氧化硅抛光颗粒0.2-30wt%；氧化剂0.01-5wt%；表面活性剂0.01-4wt%；余量为pH值调节剂和去离子水；所述GST中性化学机械抛光液的pH值为6-8。本发明提供的用于相变材料GST的中性化学机械抛光液，所述的经过烷基改性，金属氧化物包裹，胺型改性，无机离子改性等方法改性的SiO2抛光颗粒，在pH值6-8范围内，zeta电位的绝对值30-80mv，胶体达到了稳定，从而形成稳定的中性化学机械抛光液。
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公开(公告)号：CN103682094B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310673872.X
申请日：2013-12-11
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器结构及其制备方法，制备的相变存储结构包括基底和位于所述基底上的若干相邻的相变存储单元；相变存储单元包括相变材料层、位于相变材料层两侧的第一电介质层、位于相变材料层及其两侧第一电介质层上表面上的上电极层、以及第二电介质层，所述第二电介质层包覆于所述第一电介质层和上电极层外且填充于相邻的相变存储单元之间；相邻两个相变存储单元的第一电介质层之间形成有空气间隔，且所述空气间隔位于第二电介质层之内；所述空气间隔能够增大相变单元间的热阻、减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103158057A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310072068.6
申请日：2013-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B24B37/013
Abstract: 本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法，基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点，如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料，减少表层的损伤，提高器件的良率。
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公开(公告)号：CN103897603B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210586914.1
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光液领域，尤其涉及一种可有效应用于相变材料GST的化学机械抛光。本发明提供一种GST中性化学机械抛光液，以重量百分比计，包括如下组分：二氧化硅抛光颗粒0.2‑30wt%；氧化剂0.01‑5wt%；表面活性剂0.01‑4wt%；余量为pH值调节剂和去离子水；所述GST中性化学机械抛光液的pH值为6‑8。本发明提供的用于相变材料GST的中性化学机械抛光液，所述的经过烷基改性，金属氧化物包裹，胺型改性，无机离子改性等方法改性的SiO2抛光颗粒，在pH值6‑8范围内，zeta电位的绝对值30‑80mv，胶体达到了稳定，从而形成稳定的中性化学机械抛光液。
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公开(公告)号：CN103158057B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310072068.6
申请日：2013-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B24B37/013
Abstract: 本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法，基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点，如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料，减少表层的损伤，提高器件的良率。
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公开(公告)号：CN104403570A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410610365.6
申请日：2014-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光领域，特别是涉及一种可有效应用于相变材料GST的双氧化剂化学机械抛光液及其制备方法和用途。本发明提供一种双氧化剂的GST化学机械抛光液，其原料按重量份计，包括如下组分：抛光颗粒0.2-30份；氧化剂A0.01-5份；氧化剂B0.01-5份；表面活性剂0.01-4份；水性介质85-95份；pH调节剂适量；所述双氧化剂化学机械抛光液的pH值的范围为2-6。本发明发明人在相变材料抛光液中添加双氧化剂，利用两种氧化剂的协同作用，实现三种元素的全部氧化，解决抛光之后残留问题，保证抛光之后三种元素的比例保持不变，相变材料能够保持具有与抛光之前相同的相变性能。
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公开(公告)号：CN103682094A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310673872.X
申请日：2013-12-11
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器结构及其制备方法，制备的相变存储结构包括基底和位于所述基底上的若干相邻的相变存储单元；相变存储单元包括相变材料层、位于相变材料层两侧的第一电介质层、位于相变材料层及其两侧第一电介质层上表面上的上电极层、以及第二电介质层，所述第二电介质层包覆于所述第一电介质层和上电极层外且填充于相邻的相变存储单元之间；相邻两个相变存储单元的第一电介质层之间形成有空气间隔，且所述空气间隔位于第二电介质层之内；所述空气间隔能够增大相变单元间的热阻、减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。
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