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公开(公告)号：CN111635701B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010618662.0
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钴基材抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体50‑80％；磨料0.1‑10％；氧化剂≤1％；铵盐化合物0.005‑20％；抑制剂0.1‑100mM。本发明通过选择合适的氧化剂、铵盐化合物以及抑制剂并将他们合理组合，通过提高机械和化学作用来提高抛光速率，控制Co表面腐蚀情况以及改善表面质量，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111662641A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010628968.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种高选择比的化学机械抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：抛光颗粒0.1wt％-30wt％；保护剂0wt％-10wt％；表面活性剂0wt％-10wt％；氧化剂0.001wt％-10wt％；其余为水和pH调节剂。本发明可以明显改善相变材料的划伤，抛光速率得以提升，选择比大大提高，满足产业化应用对于相变材料抛光过程的要求。
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公开(公告)号：CN106010297B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610445394.0
申请日：2016-06-20
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1436
Abstract: 本发明公开了种氧化铝抛光液的制备方法,包括如下步骤:1)将硅烷偶联剂、乙醇和水混合形成水解液;2)在95~110℃加热和搅拌条件下,将水解液加入到氧化铝粉末中,保持边搅拌边加热,直至液体挥发完全获得改性氧化铝;3)将改性氧化铝研磨成粉末分散到水里,调节溶液pH为9.5~10.5即为氧化铝抛光液。使用本发明的氧化铝抛光液可达到pH=13.00时的抛光效率,同时抛光片较少有划痕出现。
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公开(公告)号：CN103896290B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210587486.4
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/146
Abstract: 本发明涉及化学工程领域，具体涉及一种较宽pH范围稳定的改性硅溶胶及其制备方法。本发明的稳定的改性硅溶胶制备方法如下：将待改性的碱性硅溶胶与阴离子交换树脂混合进行交换反应，获得除去阴离子的硅溶胶；加热使其沸腾，搅拌滴加金属盐溶液，获得待反应液；将待反应液于反应釜中反应0.5～24h，反应温度为100～150℃，得到反应产物；将反应产物与阳离子交换树脂混合进行交换反应，除去反应产物中的金属离子，获得改性的硅溶胶。本发明提供的改性硅溶胶，胶粒粒径10~60nm，二氧化硅含量为0.1~40%，pH值为3~11，常温放置一年以上，能够满足涂料、纺织、半导体等领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN104591192A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410836081.9
申请日：2014-12-24
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/113
Abstract: 一种高纯硅酸的制备方法，所述方法包括以下步骤：1）水玻璃稀释：原料水玻璃中二氧化硅含量为15~35wt%，用水稀释后获得的溶液中二氧化硅含量为2~7wt%；2）水玻璃净化：对步骤1）中稀释后获得的溶液采用袋式过滤器过滤；3）阳离子树脂交换：采用阳离子树脂交换，得到硅酸；4）硅酸酸化：对步骤3）中的硅酸通过加酸进行酸化；5）树脂交换：通过树脂交换获得高纯硅酸。本发明中公开的方法制备的高纯硅酸具有金属离子含量低的特点，且其工艺易于操作和大规模连续化生产，对原料要求不高，大大降低了企业的生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104559336A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410843288.9
申请日：2014-12-29
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09C1/28 , C09C3/12 , C09D125/14 , C09D133/00 , C09D7/12
Abstract: 本发明提供一种改性硅溶胶的制备方法，包括以下步骤：1）将硅烷偶联剂滴加到硅溶胶中搅拌混合，形成硅烷偶联剂/硅溶胶混合体系，继续搅拌后，得到初始的硅烷偶联剂改性硅溶胶；2）将初始的硅烷偶联剂改性硅溶胶，进行酸碱调节，制得硅烷偶联剂改性硅溶胶。本发明还进一步提供了上述改性硅溶胶在水性涂料中的应用及添加上述改性硅溶胶的水性涂料配方。本发明的制备一种改性硅溶胶，能够大大提高无机材料二氧化硅与有机树脂之间的相容性，在不影响涂料干燥后涂层光泽度的条件下，同时提高了涂层的硬度，且工艺简便、可控性强，具有较高实用价值。
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公开(公告)号：CN104556061A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410852430.6
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/146 , C09K3/14 , C09G1/02
Abstract: 一种改性二氧化硅胶体的制备方法，依次包括以下步骤：1）调节铝改性硅溶胶溶液的pH至8.5~10.5，再加热至100~120℃并保温；2）搅拌过程中加入颗粒半径为10~15nm的二氧化硅胶体溶液；3）搅拌过程中加入活性硅酸和稳定剂，并控制溶液pH为8.5~10.5；4）冷却至室温；搅拌陈化；5）超滤浓缩至固含量为20~40wt%的浓缩液。本发明中公开了一种改性二氧化硅胶体的制备方法，采用本发明中制备方法制备的二氧化硅胶体中的二氧化硅颗粒为花瓣形的二氧化硅颗粒，非球形，这种颗粒的颗粒大，在应用于化学机械抛光时能够更有效的达到机械研磨的目的，提高研磨的效率，同时研磨材料的表面性能良好。
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公开(公告)号：CN104556059A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410854992.4
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/14
Abstract: 一种纳米二氧化硅的聚合方法，为将粒径为5~30nm的纳米二氧化硅水溶液进行加热，调控所述纳米二氧化硅水溶液的pH值为7.5~11.7，所述纳米二氧化硅水溶液的温度为65~200℃，在此温度下的保温时间为10分钟以上，获得具有非球形二氧化硅的水溶液。采用本发明方法获得的硅溶胶中二氧化硅颗粒之间有一定聚合度、并且聚合结构紧密，聚合后的二氧化硅颗粒仍然能够均匀分散；未引入杂质金属离子；方便后续应用；生产过程简单，生产成本低廉。
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公开(公告)号：CN103896290A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210587486.4
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/146
Abstract: 本发明涉及化学工程领域，具体涉及一种较宽pH范围稳定的改性硅溶胶及其制备方法。本发明的稳定的改性硅溶胶制备方法如下：将待改性的碱性硅溶胶与阴离子交换树脂混合进行交换反应，获得除去阴离子的硅溶胶；加热使其沸腾，搅拌滴加金属盐溶液，获得待反应液；将待反应液于反应釜中反应0.5～24h，反应温度为100～150℃，得到反应产物；将反应产物与阳离子交换树脂混合进行交换反应，除去反应产物中的金属离子，获得改性的硅溶胶。本发明提供的改性硅溶胶，胶粒粒径10~60nm，二氧化硅含量为0.1~40%，pH值为3~11，常温放置一年以上，能够满足涂料、纺织、半导体等领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN103500795A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310461919.6
申请日：2013-09-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器电极结构的制备方法，首先在硅衬底上依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层，然后刻蚀形成贯通第一绝缘层和第二绝缘层的圆孔状凹槽Ⅰ；在凹槽Ⅰ内沉积钨材料；再通过干法回蚀刻蚀填充于凹槽Ⅰ内的钨材料至其上表面与第一绝缘层的上表面齐平，形成圆孔状凹槽Ⅱ，沟槽Ⅱ底部的钨材料作为下电极；然后在凹槽Ⅱ的内表面及第二绝缘层的上表面上沉积导电薄膜层，继而在沟槽Ⅱ内填充第三绝缘层材料，然后化学机械抛光去除第二绝缘层上表面上多余的第三绝缘层材料和导电薄膜层，剩余导电薄膜层作为上电极；本方法具有大大提高器件的良率，并提高硅片内环形电极高度的均匀性，使得相变过程中的电阻分布变窄，提高器件的稳定性的特点。
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