-
公开(公告)号：CN114152902A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111467286.0
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种基于薄膜桥约瑟夫森结的SQUID探针及其使用方法，该结构包括：硅基底，硅基底的一端经过深硅刻蚀技术形成为针尖形状；器件探针端，包括形成在硅基底的针尖形状所在端上的一个第一SQUID；器件抵消端，包括形成在远离器件探针端的一个第二SQUID；第一反馈线圈及第二反馈线圈。SQUID探针结合深硅刻蚀技术将制备在硅基底上的器件探针端设置在硅基底的针尖形状所在端上，可精准控制第一SQUID与硅片尖端边缘的距离，从而提高SQUID与样品表面的磁耦合强度，并且在使用时可将SQUID探针结构与音叉共振结合实现精确的tip‑sample距离控制，从而大幅度提高硅基底上SQUID探针的空间分辨率；另外结合硅基底上集成的第一及第二反馈线圈可以实现探针的多功能测量。
-
公开(公告)号：CN116322284A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211681716.3
申请日：2022-12-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10N60/81 , H01L23/552 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种防护阵列及超导芯片，包括：设置于超导电路区域的外围的第一防护子阵列及第二防护子阵列，第一防护子阵列设置于第二防护子阵列内侧；第一防护子阵列与第二防护子阵列均包括若干个防护结构，第一防护子阵列与第二防护子阵列中的防护结构均间隔排列，且第一防护子阵列中的防护结构与第二防护子阵列中的防护结构交错排布。本发明在现有的单层方角形防护阵列基础上使用圆角结构以及双层结构，增加了可俘获的磁通涡旋数，降低了中心超导器件对非样品信号磁通俘获的概率，有效阻止了磁通进入到超导电路中。
-
公开(公告)号：CN114152902B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111467286.0
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种基于薄膜桥约瑟夫森结的SQUID探针及其使用方法，该结构包括：硅基底，硅基底的一端经过深硅刻蚀技术形成为针尖形状；器件探针端，包括形成在硅基底的针尖形状所在端上的一个第一SQUID；器件抵消端，包括形成在远离器件探针端的一个第二SQUID；第一反馈线圈及第二反馈线圈。SQUID探针结合深硅刻蚀技术将制备在硅基底上的器件探针端设置在硅基底的针尖形状所在端上，可精准控制第一SQUID与硅片尖端边缘的距离，从而提高SQUID与样品表面的磁耦合强度，并且在使用时可将SQUID探针结构与音叉共振结合实现精确的tip‑sample距离控制，从而大幅度提高硅基底上SQUID探针的空间分辨率；另外结合硅基底上集成的第一及第二反馈线圈可以实现探针的多功能测量。
-
公开(公告)号：CN120051199A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411476807.2
申请日：2024-10-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种缩小SQUID超导环路面积的结构及其制备方法，通过在硅基底上形成叠层结构，再对叠层结构进行精准刻蚀，使得3D纳米桥结形成在叠层结构的坡面上且横跨所述绝缘层，从而能够实现缩小SQUID超导环路面积的结构的批量制备，更加有利于SQUID探针的大规模应用，3D纳米桥结平面与SQUID超导环路所在平面垂直，这样3D纳米桥结的宽度不再影响SQUID的有效环路面积，从而可以实现单独调控3D纳米桥结的厚度来提高SQUID的性能，也大大减弱磁场对3D纳米桥结超导特性的抑制作用，此外，结合精度更高的电子束光刻技术可以制备线宽最小为10nm的SQUID超导环路，可大大缩小SQUID超导环路面积，提高自旋灵敏度，从而在扫描磁成像时可实现更高的空间分辨率。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.01 seconds)
