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公开(公告)号：CN120051199A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411476807.2
申请日：2024-10-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种缩小SQUID超导环路面积的结构及其制备方法，通过在硅基底上形成叠层结构，再对叠层结构进行精准刻蚀，使得3D纳米桥结形成在叠层结构的坡面上且横跨所述绝缘层，从而能够实现缩小SQUID超导环路面积的结构的批量制备，更加有利于SQUID探针的大规模应用，3D纳米桥结平面与SQUID超导环路所在平面垂直，这样3D纳米桥结的宽度不再影响SQUID的有效环路面积，从而可以实现单独调控3D纳米桥结的厚度来提高SQUID的性能，也大大减弱磁场对3D纳米桥结超导特性的抑制作用，此外，结合精度更高的电子束光刻技术可以制备线宽最小为10nm的SQUID超导环路，可大大缩小SQUID超导环路面积，提高自旋灵敏度，从而在扫描磁成像时可实现更高的空间分辨率。
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