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公开(公告)号：CN113839644B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111172715.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于压电薄膜的声表面波与超导量子比特耦合器件，包括：制备于AlN压电薄膜上的透射型声表面波谐振腔，及制备于蓝宝石衬底上的超导Transmon量子比特、微波读出谐振腔、磁通偏置线及微波馈线电路，通过将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特分别制备在AlN压电薄膜及蓝宝石衬底上，采用低损耗的蓝宝石衬底消除了压电材料对超导Transmon量子比特的弛豫，并通过第一耦合电容将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特连接，实现两者之间的强耦合和高相干的效果，突破了体压电材料的高损耗限制，从而达到在实现声子与超导量子比特的强耦合的同时提高超导Transmon量子比特退相干时间，为最终实现微波与光量子转换的超导量子网络连接提供了可行性。
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公开(公告)号：CN111953308B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010849447.1
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03F7/00
Abstract: 本发明提供一种磁通驱动约瑟夫森参量放大器及其制备方法，所述制备方法包括：于衬底表面形成Nb/Al‑AlOx/Nb叠层结构；刻蚀Nb/Al‑AlOx/Nb叠层结构以形成共面波导谐振腔结构、泵浦线结构、地线结构、信号输入配线结构及泵浦输入配线结构，共面波导谐振腔结构中形成有Nb/Al‑AlOx/Nb约瑟夫森结；于上述结构表面形成绝缘层，刻蚀绝缘层以形成约瑟夫森结过孔、接地过孔、输入信号引脚过孔及泵浦输入引脚过孔；于上述结构表面形成超导薄膜层，刻蚀超导薄膜层以将约瑟夫森结过孔和接地过孔电连接，同时于接地过孔中形成接地引脚、于输入信号引脚过孔中形成输入信号引脚、于泵浦输入引脚过孔中形成泵浦输入引脚。
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公开(公告)号：CN113037294B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110241268.4
申请日：2021-03-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于超导电子学的多量子比特控制装置和方法，先将微波脉冲转换为SFQ脉冲信号；其次，将SFQ脉冲信号复制为N路与之相同的SFQ子脉冲信号；再将N路SFQ子脉冲信号分别转换为N路周期不同的SFQ输出脉冲信号；最后，将N路SFQ输出脉冲信号分别耦合到转变频率与之匹配的量子比特，从而实现对N个不同周期的量子比特的控制；本发明通过单个微波源驱动的DC/SFQ转换器实现对多个不同频率的量子比特进行状态控制，节省了微波源、DC/SFQ转换器、微波源到DC/SFQ转换器之间的微波器件和连线的数量，有利于低温条件下实现对较大规模量子比特的控制及对应装置的集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114759894A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210507255.1
申请日：2022-05-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H3/08
Abstract: 本发明提供一种基于电子束曝光的高性能高频声表面波器件的制备方法，在绝缘复合基底上进行表面增粘处理，可防止胶型结构移动或脱落，同时还可提升匀胶均匀性；选用双层胶体系，通过调控曝光剂量实现倒梯形结构制备，既有利于去胶剥离，提高剥离成品率，又可减少因薄膜断裂形成的胶体残留；在双层胶结构的表面形成导电层，可有效疏导电子束在曝光过程中的电荷积聚，避免形成微电场造成电子束定位误差和表面火花放电，保障设计图形的转移工艺能够有效的传递到胶体上；在显影及剥离过程中只需对双层胶进行显影及单次去胶，具有较高的生产效率。本发明具有工艺简单易用、产能高、重复性好、成品率高的优点，适用于批量制备。
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公开(公告)号：CN111953308A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010849447.1
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03F7/00
Abstract: 本发明提供一种磁通驱动约瑟夫森参量放大器及其制备方法，所述制备方法包括：于衬底表面形成Nb/Al-AlOx/Nb叠层结构；刻蚀Nb/Al-AlOx/Nb叠层结构以形成共面波导谐振腔结构、泵浦线结构、地线结构、信号输入配线结构及泵浦输入配线结构，共面波导谐振腔结构中形成有Nb/Al-AlOx/Nb约瑟夫森结；于上述结构表面形成绝缘层，刻蚀绝缘层以形成约瑟夫森结过孔、接地过孔、输入信号引脚过孔及泵浦输入引脚过孔；于上述结构表面形成超导薄膜层，刻蚀超导薄膜层以将约瑟夫森结过孔和接地过孔电连接，同时于接地过孔中形成接地引脚、于输入信号引脚过孔中形成输入信号引脚、于泵浦输入引脚过孔中形成泵浦输入引脚。
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公开(公告)号：CN116192079A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310202777.5
申请日：2023-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H3/10 , H03H9/25 , H03H9/145 , H10N30/067 , H10N30/87
Abstract: 本发明提供一种高频声表面波谐振器及制备方法，采用直写光刻及干法刻蚀相结合的工艺制备所述金属电极，与传统剥离方案相比具有工艺流程稳定易控制、步骤少、重复性高和良品率高等优点，且所述金属电极低温下超导，从而可与超导集成电路工艺兼容，使得其在声表面波器件与超导量子器件集成耦合、高性能高频率声表面波谐振器及滤波器等研究或工业制造方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113839644A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111172715.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于压电薄膜的声表面波与超导量子比特耦合器件，包括：制备于AlN压电薄膜上的透射型声表面波谐振腔，及制备于蓝宝石衬底上的超导Transmon量子比特、微波读出谐振腔、磁通偏置线及微波馈线电路，通过将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特分别制备在AlN压电薄膜及蓝宝石衬底上，采用低损耗的蓝宝石衬底消除了压电材料对超导Transmon量子比特的弛豫，并通过第一耦合电容将透射型声表面波谐振腔与超导Transmon量子比特连接，实现两者之间的强耦合和高相干的效果，突破了体压电材料的高损耗限制，从而达到在实现声子与超导量子比特的强耦合的同时提高超导Transmon量子比特退相干时间，为最终实现微波与光量子转换的超导量子网络连接提供了可行性。
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公开(公告)号：CN113037294A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110241268.4
申请日：2021-03-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于超导电子学的多量子比特控制装置和方法，先将微波脉冲转换为SFQ脉冲信号；其次，将SFQ脉冲信号复制为N路与之相同的SFQ子脉冲信号；再将N路SFQ子脉冲信号分别转换为N路周期不同的SFQ输出脉冲信号；最后，将N路SFQ输出脉冲信号分别耦合到转变频率与之匹配的量子比特，从而实现对N个不同周期的量子比特的控制；本发明通过单个微波源驱动的DC/SFQ转换器实现对多个不同频率的量子比特进行状态控制，节省了微波源、DC/SFQ转换器、微波源到DC/SFQ转换器之间的微波器件和连线的数量，有利于低温条件下实现对较大规模量子比特的控制及对应装置的集成。
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