一种基于卷积神经网络的RHEED衍射图样分析方法

    公开(公告)号:CN119290934A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411401002.1

    申请日:2024-10-09

    Abstract: 本发明涉及一种基于卷积神经网络的RHEED衍射图样分析方法,包括以下步骤:实时获取待测样品旋转到设定角度时所述待测样品表面状态的RHEED衍射图样及生长温度;利用卷积神经网络分析所述RHEED衍射图样,获得当前所述生长温度下所述待测样品的再构类型;改变所述生长温度并重复以上步骤,获得多个不同所述生长温度下所述待测样品的再构类型,进而获得所述生长温度和所述待测样品的再构类型的对应关系。本发明能够对RHEED衍射图样进行高效迅速的分析,并准确识别出材料表面的再构类型,进而建立生长温度与再构类型的对应关系。同时,通过观测材料表面再构类型发生改变获得最佳生长温度,能够提高半导体外延生长温度的精确度。

    一种紫外探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN104810425A

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201410035671.1

    申请日:2014-01-24

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/09 H01L31/022466 H01L31/1884

    Abstract: 本发明提供一种紫外探测器及其制作方法,该探测器从下而上依次由绝缘衬底、下电极、紫外敏感薄膜、金属上电极和石墨烯透明电极构成。所述下电极分为两种:一种是由单金属或复合金属薄膜;另一种下电极由透明导电薄膜ITO和制作在该薄膜上环绕在紫外敏感薄膜周围的金属电极构成,环状金属电极与ITO薄膜之间为欧姆接触,环状金属电极由金或铂构成。紫外敏感薄膜可以是氮化镓、掺铝氮化镓、氧化锌、掺镁氧化锌、碳化硅和金刚石中的某一种材料。金属上电极由金或铂构成,可采用长条状或环状或网状结构。完整的石墨烯透明电极覆盖在紫外敏感薄膜和大部分金属上电极上方。本发明所涉及的紫外探测器具有紫外辐射透过率高、量子效率高的特点。

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