公开(公告)号：CN102590291A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210013080.5

申请日：2012-01-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宁文果 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  朱春生 ,  李珩

IPC: G01N27/22

Abstract: 本发明涉及一种改进型的湿度传感器的制作方法，其特征在于，在电极板之间涂覆的聚酰亚胺薄膜作为湿度敏感材料，后在聚酰亚胺层中利用光刻技术制作空腔，空腔底部有由腐蚀方法制作的硅通孔。该传感器提高了传感器与周围环境的接触面积，同时便于气体通过传感器，具有响应时间短的特点。

公开(公告)号：CN102507669A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110369062.6

申请日：2011-11-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宁文果 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  李珩 ,  汤佳杰 ,  陈骁 ,  王天喜 ,  韩梅 ,  王双福 ,  朱春生 ,  叶交托

IPC: G01N27/22

Abstract: 本发明涉及一种基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法，其特征在于在电极板之间的聚酰亚胺层中填充材料后腐蚀制作出多孔薄膜，经光刻后a)沿电极板方向制作单个空腔；b)沿电极板方向制作多个空腔；c)垂直电极板方向制作多个空腔；d)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中多个独立的空腔；或e)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中保留多个独立的聚酰亚胺块。制作是首先在硅圆片上溅射金属层作为种子层，然后电镀出电容电极板，再涂覆聚酰亚胺胶作为电容的介电材料，并在聚酰亚胺中填充光纤、玻璃粉末或金属颗粒材料，最后腐蚀聚酰亚胺中的填充材料获得多孔聚酰亚胺薄膜；最后，采用光刻的方法，形成空腔，增加多孔薄膜与空气的接触面积，提高传感器的灵敏度。

公开(公告)号：CN105097746A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510395468.X

申请日：2015-07-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李珩 ,  罗乐 ,  徐高卫

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种基于纳米孪晶铜的凸点下金属层及制备方法，所述凸点下金属层包括粘附层以及位于所述粘附层之上的纳米孪晶铜层。凸点下金属层（UBM）是芯片封装应力最大的地方之一，往往容易先行失效。本发明通过在UBM层中引入纳米孪晶铜，可以利用纳米孪晶铜对裂纹扩展的阻挡作用，极大地提高封装的疲劳特性。同时，纳米孪晶铜对柯肯达尔空洞形成具有抑制作用，提高了焊接力学强度和抗电迁移特性。纳米孪晶铜在本实例形成过程中，是一种柱状晶结构，孪晶片层平行于芯片表面，从而可以减少凸点中其他成分如Sn的晶界扩散，因此具有更好的扩散阻挡效果。

公开(公告)号：CN102590291B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210013080.5

申请日：2012-01-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宁文果 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  朱春生 ,  李珩

IPC: G01N27/22

Abstract: 本发明涉及一种改进型的湿度传感器的制作方法，其特征在于，在电极板之间涂覆的聚酰亚胺薄膜作为湿度敏感材料，后在聚酰亚胺层中利用光刻技术制作空腔，空腔底部有由腐蚀方法制作的硅通孔。该传感器提高了传感器与周围环境的接触面积，同时便于气体通过传感器，具有响应时间短的特点。

公开(公告)号：CN103207215A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201210013098.5

申请日：2012-01-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宁文果 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  李珩

IPC: G01N27/22

Abstract: 本发明涉及一种改进型基于聚酰亚胺的湿度传感器，其特征在于，在电极板之间涂覆聚酰亚胺薄膜作为湿度敏感材料，然后在聚酰亚胺层中利用光刻技术制作空腔。该传感器提高了传感器与周围环境的接触面积，具有响应时间快的特点。

公开(公告)号：CN104392939B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201410581802.6

申请日：2014-10-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李珩 ,  罗乐 ,  朱春生 ,  叶交托 ,  徐高卫

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明提供一种纳米孪晶铜再布线的制备方法，包括步骤：1）于基片上制备钝化层，并光刻出用于与芯片极板互联的窗口；2）于钝化层表面及所述互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成纳米孪晶铜再布线的光刻胶图形，采用脉冲电镀法于裸露的种子层表面制备一层纳米孪晶铜再布线层；4）去除光刻胶图形，并腐蚀掉多余的种子层。本发明采用脉冲电镀辅以快速退火处理，依靠脉冲电镀形成的大内应力驱使铜再结晶，形成高密度纳米孪晶再布线。本发明采用的电流密度低，采用当前设备即可，和现有的IC工艺完全兼容，属于圆片级封装工艺，效率高，成本低。制备的纳米孪晶铜综合力学性能优良，可以大幅缩减再布线尺寸到10um左右，且具有较高的热机械可靠性。

公开(公告)号：CN106876294A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710124083.9

申请日：2017-03-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程功 ,  李珩 ,  罗乐 ,  徐高卫

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种纳米孪晶铜布线层的制备方法，包括步骤：1）于基片上制备第一钝化层，并于第一钝化层内形成用于与基片上器件结构互联的互联窗口；2）于第一钝化层表面及互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成光刻胶层，在光刻胶层内形成定义出纳米孪晶铜布线层形状的图形窗口；4）以图形化处理后的光刻胶层为掩膜，于裸露的种子层表面形成布线铜层；5）将得到的结构进行退火处理。本发明制备方法和现有半导体工艺相兼容，生产效率高，生产成本低，且制备的纳米孪晶铜布线层的力学性能及电学性能优良，热稳定性好，可以大幅度提高布线层的可靠性，且可以大面积地制备，适合当前半导体制造的发展方向。

公开(公告)号：CN104392939A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410581802.6

申请日：2014-10-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李珩 ,  罗乐 ,  朱春生 ,  叶交托 ,  徐高卫

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明提供一种纳米孪晶铜再布线的制备方法，包括步骤：1）于基片上制备钝化层，并光刻出用于与芯片极板互联的窗口；2）于钝化层表面及所述互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成纳米孪晶铜再布线的光刻胶图形，采用脉冲电镀法于裸露的种子层表面制备一层纳米孪晶铜再布线层；4）去除光刻胶图形，并腐蚀掉多余的种子层。本发明采用脉冲电镀辅以快速退火处理，依靠脉冲电镀形成的大内应力驱使铜再结晶，形成高密度纳米孪晶再布线。本发明采用的电流密度低，采用当前设备即可，和现有的IC工艺完全兼容，属于圆片级封装工艺，效率高，成本低。制备的纳米孪晶铜综合力学性能优良，可以大幅缩减再布线尺寸到10um左右，且具有较高的热机械可靠性。