公开(公告)号：CN112824555B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201911146193.0

申请日：2019-11-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 冯嘉鑫 ,  王玲玲 ,  李卓君 ,  宋叶凯 ,  彭炜 ,  牟刚 ,  谢晓明

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  C30B1/02 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明涉及材料合成技术领域，具体是一种钛氧化物超导薄膜的制备方法，所述方法包括：S1、通过固相方法制备出钛氧化物的多晶靶材；S2、制备出待生产钛氧化物超导薄膜的衬底；S3、通过脉冲激光沉积系统烧蚀所述S1步骤的所述靶材，使将烧蚀后的所述靶材在所述S2步骤中衬底外延，制备出钛氧化物超导薄膜；本发明能够无需在生长过程中控制氧分压，进行制备钛氧化物超导薄膜材料，简化了钛氧化物超导薄膜材料生长工艺，提高超导转变温度。

公开(公告)号：CN116288734A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310169837.8

申请日：2023-02-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 唐述杰 ,  宋叶凯 ,  陆石朋 ,  李卓君

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/46 ,  C30B31/00 ,  H01F41/00 ,  H01F1/01

Abstract: 本发明提供一种磁性材料异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1，磁性材料单晶准备：将磁性材料单晶置于真空设备腔体内，在真空环境下获得新鲜的原子级洁净表面；S2，将步骤S1制备得到的磁性材料单晶加热除气；S3，磁性材料异质结的制备：将除气结束的磁性材料单晶升温至目标温度退火，在Se、或S、或O束流氛围下进行表面处理，即得。本发明通过表面硒化、或硫化、或氧化的方法在具有层状结构的磁性材料单晶表面实现了高质量薄膜的制备，成功制备高质量磁性材料异质结，为开展磁性、拓扑、以及超导效应之间的相互耦合以及相互作用研究提供材料基础。

公开(公告)号：CN111719121B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201910687680.1

申请日：2019-07-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李卓君 ,  牟刚 ,  徐丽璇 ,  季秋骋 ,  宋叶凯 ,  彭炜

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C22C30/02 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明公开了一种面外高度取向CuFeSb薄膜制备方法，该方法包括以下步骤：S1.制备CuFeSb多晶靶材；S2.提供一立方或四方晶型单晶衬底；S3.对所述单晶衬底进行清洗处理；S4.对清洗后的所述单晶衬底进行退火处理；S5.烧蚀所述CuFeSb多晶靶材，在所述单晶衬底表面生长CuFeSb薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术，通过高真空设备、准分子激光器硬件、多晶靶材的合成、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，可以制备出面外高度取向的CuFeSb薄膜，有助于推动CuFeSb物性的研究，且该薄膜相比多晶体材料拥有很大的优势，拓展了CuFeSb物性调控的手段，对该材料在基础研究和磁性材料应用上有极大价值。

公开(公告)号：CN112824555A

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：CN201911146193.0

申请日：2019-11-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 冯嘉鑫 ,  王玲玲 ,  李卓君 ,  宋叶凯 ,  彭炜 ,  牟刚 ,  谢晓明

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  C30B1/02 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明涉及材料合成技术领域，具体是一种钛氧化物超导薄膜的制备方法，所述方法包括：S1、通过固相方法制备出钛氧化物的多晶靶材；S2、制备出待生产钛氧化物超导薄膜的衬底；S3、通过脉冲激光沉积系统烧蚀所述S1步骤的所述靶材，使将烧蚀后的所述靶材在所述S2步骤中衬底外延，制备出钛氧化物超导薄膜；本发明能够无需在生长过程中控制氧分压，进行制备钛氧化物超导薄膜材料，简化了钛氧化物超导薄膜材料生长工艺，提高超导转变温度。

公开(公告)号：CN111719121A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910687680.1

申请日：2019-07-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李卓君 ,  牟刚 ,  徐丽璇 ,  季秋骋 ,  宋叶凯 ,  彭炜

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C22C30/02 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明公开了一种CuFeSb薄膜制备方法，该方法包括以下步骤：S1.制备CuFeSb多晶靶材；S2.提供一立方或四方晶型单晶衬底；S3.对所述单晶衬底进行清洗处理；S4.对清洗后的所述单晶衬底进行退火处理；S5.烧蚀所述CuFeSb多晶靶材，在所述单晶衬底表面生长CuFeSb薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术，通过高真空设备、准分子激光器硬件、多晶靶材的合成、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，可以制备出面外高度取向的CuFeSb薄膜，有助于推动CuFeSb物性的研究，且该薄膜相比多晶体材料拥有很大的优势，拓展了CuFeSb物性调控的手段，对该材料在基础研究和磁性材料应用上有极大价值。

公开(公告)号：CN110438567A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910658855.6

申请日：2019-07-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李卓君 ,  宋叶凯 ,  彭炜 ,  牟刚 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C30B29/46 ,  C30B23/04 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C23C14/06 ,  C30B1/10 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明提供一种半导体硒氧化铋单晶薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：S1：采用固相法烧结Bi2O2Se多晶靶材；S2：提供一立方或四方晶形衬底；S3：用有机溶剂对所述衬底进行清洗处理；S4：在脉冲激光沉积系统中对清洗后的衬底进行退火处理；S5：在脉冲激光沉积系统中烧蚀S1步骤中所述靶材，在上述衬底表面外延生长半导体Bi2O2Se单晶薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术，通过高真空设备、准分子激光器硬件、多晶靶材的合成、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，制备得到高质量的Bi2O2Se单晶薄膜材料。本发明的制备方法对加快薄膜生长机理研究、提高薄膜的应用水平有极大价值。