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公开(公告)号：CN116288734A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310169837.8
申请日：2023-02-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种磁性材料异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1，磁性材料单晶准备：将磁性材料单晶置于真空设备腔体内，在真空环境下获得新鲜的原子级洁净表面；S2，将步骤S1制备得到的磁性材料单晶加热除气；S3，磁性材料异质结的制备：将除气结束的磁性材料单晶升温至目标温度退火，在Se、或S、或O束流氛围下进行表面处理，即得。本发明通过表面硒化、或硫化、或氧化的方法在具有层状结构的磁性材料单晶表面实现了高质量薄膜的制备，成功制备高质量磁性材料异质结，为开展磁性、拓扑、以及超导效应之间的相互耦合以及相互作用研究提供材料基础。
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