公开(公告)号：CN111719121B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201910687680.1

申请日：2019-07-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李卓君 ,  牟刚 ,  徐丽璇 ,  季秋骋 ,  宋叶凯 ,  彭炜

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C22C30/02 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明公开了一种面外高度取向CuFeSb薄膜制备方法，该方法包括以下步骤：S1.制备CuFeSb多晶靶材；S2.提供一立方或四方晶型单晶衬底；S3.对所述单晶衬底进行清洗处理；S4.对清洗后的所述单晶衬底进行退火处理；S5.烧蚀所述CuFeSb多晶靶材，在所述单晶衬底表面生长CuFeSb薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术，通过高真空设备、准分子激光器硬件、多晶靶材的合成、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，可以制备出面外高度取向的CuFeSb薄膜，有助于推动CuFeSb物性的研究，且该薄膜相比多晶体材料拥有很大的优势，拓展了CuFeSb物性调控的手段，对该材料在基础研究和磁性材料应用上有极大价值。

公开(公告)号：CN111719121A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910687680.1

申请日：2019-07-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李卓君 ,  牟刚 ,  徐丽璇 ,  季秋骋 ,  宋叶凯 ,  彭炜

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C22C30/02 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明公开了一种CuFeSb薄膜制备方法，该方法包括以下步骤：S1.制备CuFeSb多晶靶材；S2.提供一立方或四方晶型单晶衬底；S3.对所述单晶衬底进行清洗处理；S4.对清洗后的所述单晶衬底进行退火处理；S5.烧蚀所述CuFeSb多晶靶材，在所述单晶衬底表面生长CuFeSb薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术，通过高真空设备、准分子激光器硬件、多晶靶材的合成、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，可以制备出面外高度取向的CuFeSb薄膜，有助于推动CuFeSb物性的研究，且该薄膜相比多晶体材料拥有很大的优势，拓展了CuFeSb物性调控的手段，对该材料在基础研究和磁性材料应用上有极大价值。