-
公开(公告)号：CN105624795A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610133650.2
申请日：2016-03-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521 , C30B33/02 , C30B29/06 , C30B33/005 , H01L31/1804 , H01L31/1864
Abstract: 本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述热处理方法至少包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层，热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。本发明的n型硅片通过热处理之后，可以降低n型硅片中由杂质元素的浓度和热应力产生的复合中心，提高n型硅片的质量、均匀性以及n型硅片中载流子的寿命，从而提高太阳电池的转换效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681889B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310732585.1
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种引入驻极体结构的高效太阳能电池及制备方法，其特征在于在常规太阳能电池结构中引入驻极体薄层，以增加太阳能电池的光电转化效率。引入的驻极体结构为以下四种中任一种：①通过对太阳能电池的表面钝化减反射薄膜进行驻极体化处理，使其具有驻极体功能；②或在太阳能电池表面单独沉积驻极体薄层；③或通过在组件封装中引入具有驻极体性质的封装材料；④或是在太阳能电池或组件制备完成后，通过驻极体化手段处理，在电池或组件中诱导出驻极体薄层。本发明不仅适用于晶体硅电池，也适用非晶硅薄膜电池、碲化镉电池、砷化镓电池、铜铟镓硒电池、染料敏化电池和有机电池等其他类型的太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN103681889A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310732585.1
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L31/0481 , H01L31/186
Abstract: 本发明涉及一种引入驻极体结构的高效太阳能电池及制备方法，其特征在于在常规太阳能电池结构中引入驻极体薄层，以增加太阳能电池的光电转化效率。引入的驻极体结构为以下四种中任一种：①通过对太阳能电池的表面钝化减反射薄膜进行驻极体化处理，使其具有驻极体功能；②或在太阳能电池表面单独沉积驻极体薄层；③或通过在组件封装中引入具有驻极体性质的封装材料；④或是在太阳能电池或组件制备完成后，通过驻极体化手段处理，在电池或组件中诱导出驻极体薄层。本发明不仅适用于晶体硅电池，也适用非晶硅薄膜电池、碲化镉电池、砷化镓电池、铜铟镓硒电池、染料敏化电池和有机电池等其他类型的太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN109004053A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201710416600.X
申请日：2017-06-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/072 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/072 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/1876
Abstract: 本发明提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；第一透明导电薄膜；第二透明导电薄膜；第一电极；以及第二电极。本发明的双面受光太阳电池使用具有宽光学带隙、低缺陷密度的本征非晶硅或者微晶硅以及n型非晶硅或者微晶硅薄膜叠层作为窗口层，有效降低窗口层的缺陷密度，减少对太阳光的吸收损失，提高太阳电池和光伏组件的光电转换效率和发电功率输出。与现有的HIT电池相比，本发明具有更宽的工艺窗口，有利于大批量生产的工艺控制和管理。
-
公开(公告)号：CN105624795B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201610133650.2
申请日：2016-03-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述热处理方法至少包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层，热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。本发明的n型硅片通过热处理之后，可以降低n型硅片中由杂质元素的浓度和热应力产生的复合中心，提高n型硅片的质量、均匀性以及n型硅片中载流子的寿命，从而提高太阳电池的转换效率。
-
公开(公告)号：CN207282509U
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201720645616.3
申请日：2017-06-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/072 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；第一透明导电薄膜；第二透明导电薄膜；第一电极；以及第二电极。本实用新型的双面受光太阳电池使用具有宽光学带隙、低缺陷密度的本征非晶硅或者微晶硅以及n型非晶硅或者微晶硅薄膜叠层作为窗口层，有效降低窗口层的缺陷密度，减少对太阳光的吸收损失，提高太阳电池和光伏组件的光电转换效率和发电功率输出。与现有的HIT电池相比，本实用新型具有更宽的工艺窗口，有利于大批量生产的工艺控制和管理。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.033 seconds)
