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公开(公告)号：CN107181467B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201710392372.7
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
Abstract: 本发明公开了一种单面石英鳍线双二极管太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个反向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；两个所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，两个所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单，且可以承受大功率输入，提高输出功率。
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公开(公告)号：CN107104639B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201710391361.7
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
Abstract: 本发明公开了一种双面鳍线四管芯太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、四个肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板正反面的前侧鳍线与后侧鳍线；位于正面的两个所述肖特基二极管的一端与正面的前侧鳍线电连接，位于正面的两个所述肖特基二极管的另一端与正面的后侧鳍线电连接。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单且石英电路采用双面电路，在正反两面均放置反向串联的肖特基二极管，可提高倍频效率，通过正反两面各设置两个肖特基二极管，可承受较大的功率输出，提高输出功率。
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公开(公告)号：CN106130486B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201610608935.7
申请日：2016-07-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
Abstract: 本发明公开了一种W波段及太赫兹频率低端倍频器，涉及倍频器技术领域。所述倍频器包括肖特基二极管倍频电路、第一至第三5880基板电路、第一至第二石英滤波电路以及一个电容，所述第一5880基板电路的输入端与K型接头连接，所述第一5880基板电路的输出端与所述肖特基二极管倍频电路的输入端连接，所述第二5880基板电路的输出端与所述第一石英滤波电路的输入端连接，所述第一石英滤波电路的输出端为直流偏置信号输出端，所述第三5880基板电路的输出端与所述第二石英滤波电路的输入端连接。所述倍频器的倍频效率高、输出带宽宽、工艺简单、集成度高。
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公开(公告)号：CN115312387A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211020575.0
申请日：2022-08-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/872
Abstract: 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种高频肖特基二极管及其制备方法，该制备方法包括：在重掺杂半导体层上制备轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层上制备导电层，导电层的宽度小于轻掺杂半导体层的宽度；在轻掺杂半导体层和导电层上表面制备预设形状的钝化层，钝化层未覆盖导电层的中部区域；对导电层进行湿法腐蚀，形成保护环，露出部分轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层的露出部分制备第一电极，第一电极、钝化层、保护环和轻掺杂半导体层之间形成空气腔；在重掺杂半导体层下表面形成第二电极。本申请的方法能够较容易实现寄生电容小，击穿电压高的肖特基二极管，提高工作频率和耐受功率，有效提升二极管器件的成品率和一致性。
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公开(公告)号：CN115172342A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210876663.4
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供一种太赫兹倍频器芯片、制备方法及通信装置。该太赫兹倍频器芯片，包括：第一晶圆芯片及第二晶圆芯片；第一晶圆芯片的正面设置有第一集成电路，第二晶圆芯片正面设置有第二集成电路，第一集成电路和第二集成电路电连接，用于倍频；第一晶圆芯片的背面和第二晶圆芯片的背面背靠背设置。本发明将太赫兹倍频器电路制备在两个背靠背的晶圆芯片上，有效减小了太赫兹倍频器芯片的体积，合成效率高，且提高了芯片的耐受功率和输出功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112993054B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110161027.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/207 , H01L29/06 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种倍频器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，倍频器包括倍频单片，倍频单片包括GaN太赫兹二极管，GaN太赫兹二极管包括高阻硅衬底、外延生长于高阻硅衬底上的金刚石薄膜层、外延生长于金刚石薄膜层上的N+GaN层、外延生长于N+GaN层上的N‑GaN层、欧姆接触电极，以及肖特基接触电极。本发明提供的倍频器所采用的GaN太赫兹二极管利用金刚石材料介电常数低、热导率高的特性，能够提升器件散热能力，降低寄生电容和内部结温，从而提升器件的耐功率水平。
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公开(公告)号：CN110729968A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910837970.X
申请日：2019-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹倍频器，属于太赫兹器件领域，包括金属外壳、设于金属外壳内腔中的电路基板、设于电路基板上且依次连接的输入波导结构、滤波电路结构、第一匹配电路结构、倍频芯片、第二匹配电路结构及输出波导结构，金属外壳上与电路基板对应的第二类压点处设有第二热膨胀适配层，第二热膨胀适配层包括与金属外壳一体设置的适配基板及设于适配基板上且开口方向平行于电路基板板面的多个适配通孔，适配基板还与电路基板连接。本发明提供的太赫兹倍频器通过多空板状结构能有效释放电路基板与金属外壳之间的应力，可以有效改善电路基板与金属外壳之间的热膨胀失配，进而使电路基板的使用稳定性得到有效提升。
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公开(公告)号：CN105826401B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610347835.3
申请日：2016-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种空气桥尺寸各异的太赫兹倍频肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括肖特基二极管本体，所述肖特基二极管本体包括四个以上连成一串的肖特基二极管结，每个肖特基二极管结的阳极与阴极之间通过空气桥连接，所述肖特基二极管结中空气桥的长度从中间向两边逐渐增加。所述肖特基二极管的空气桥自中间到两端的尺寸逐渐增大，充分考虑电磁场的横向分布，用于倍频时不易烧毁，可以改善二极管的耐用性。
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公开(公告)号：CN104268355B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201410534114.4
申请日：2014-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基混频肖特基二极管毫米波及太赫兹频段建模方法，涉及二极管建模技术领域。利用基于测量的经验公式描述混频肖特基二极管结的非线性结特性，即利用热电子发射模型对二极管结进行公式描述；通过建立GaAs基混频肖特基二极管的三维电磁模型，利用商用高频结构仿真软件HFSS获得寄生参量在毫米波及太赫兹频段的S参数；最终在电路仿真软件例如ADS中建立GaAs基混频肖特基二极管对应的电路级模型；通过将建立的模型和实际封装测试的二极管S参数进行对比，然后修正其中的二极管结的经验公式，最终获得GaAs基混频肖特基二极管在毫米波及太赫兹频段的精准模型。
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公开(公告)号：CN107395128A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710557976.2
申请日：2017-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种太赫兹混频器，包括：第一输入端波导结构、第二输入端波导结构和太赫兹混频电路；第一输入端波导结构包括一个第一标准波导；第二输入端波导结构包括依次连接的至少一个第二标准波导和至少一个第一减高波导，太赫兹混频电路包括第一E面微带探针、第二E面微带探针、肖基特二极管、用于输出混频信号的电路传输线、第一低通滤波器、第二低通滤波器。本发明既能够实现减小第一输入端波导结构和太赫兹混频电路的尺寸，以有利于太赫兹混频器的小型化，又能降低太赫兹混频器的电路损耗。
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