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公开(公告)号：CN116534791B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310813740.6
申请日：2023-07-05
Applicant: 中北大学
IPC: B81C1/00 , B81C99/00 , H01L21/3065 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，具体是一种深盲孔均匀性刻蚀方法。包括：S1对测试硅片进行盲孔刻蚀，计算刻蚀速率；S2使用S1中的刻蚀速率对硅片分阶段进行盲孔刻蚀；S3在每个刻蚀阶段结束后分区域进行深度测量，S4在第二个刻蚀阶段结束后，分区域进行深度测量，若某一区域深度达到目标深度时，使用刻蚀遮挡物将该区域盲孔遮挡；若某一区域深度未达到目标深度时，进入步骤S5；S5调节刻蚀参数，继续对未达到目标深度的区域进行盲孔刻蚀；S6重复步骤S4‑S5，当硅片上所有区域的盲孔深度都达到目标深度后，停止刻蚀。本发明能够有效控制深盲孔刻蚀的刻蚀深度，提高刻蚀均匀性，并且能够监测刻蚀工艺。
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公开(公告)号：CN111631486A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010441862.3
申请日：2020-05-22
Applicant: 中北大学
IPC: A43B17/00 , A43B17/03 , A43B17/10 , B32B33/00 , B32B5/16 , B32B3/08 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B3/24 , H05B3/34 , H05B3/36 , A61N2/08 , A61H39/04
Abstract: 本发明涉及涉及足部用品技术领域，具体涉及一种保健鞋垫，包括：鞋垫顶层、发热层和鞋垫底层，所述的保健鞋垫，具有保暖、杀菌、防臭、减震的多种保健功能，对脚上的汗汽进行吸收，减少了出现脚臭的几率，并且也能提高人生活质量、提高使用者舒适度、对使用者理疗按摩的目的，实用性大。
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公开(公告)号：CN109678632A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910083839.9
申请日：2019-01-29
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开了一种二维含能材料，其氧化剂组分与燃料组分中至少一种为类石墨烯二维材料，并且已合成为二维纳米片。所述氧化剂组分含量为10％～90％，所述燃料组分含量为10％～90％；所述氧化剂组分为WO3或MnO2；所述燃料组分为Al、Mg、B、Ti、Si或P中的一种。本发明使二维材料与纳米含能材料完美结合在一起，解决了纳米含能材料的分散性差，粒子易团聚，瞬时放热差问题，也拓展了二维纳米材料的应用。
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公开(公告)号：CN114852952B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210373580.3
申请日：2022-04-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释放方法，属于MEMS传感器技术领域，本发明在干法刻蚀过程中通过引入贴片环，贴片环光刻胶形成台阶，使得正面保护的陪片与膜结构不直接接触，避免了之后膜分离时的外力损伤。贴片环位于晶圆一圈，属于密闭环，避免刻蚀气体进入空隙造成损伤。适用于批量化、低成本、较简便的超薄悬浮膜释放。
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公开(公告)号：CN119756670A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411674146.4
申请日：2024-11-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及压阻式压力传感器信号调理领域，高温测试环境中，压力传感器敏感芯片的电桥输出零位和灵敏度电压都会随测试温度变化而产生漂移，影响测量精度，本发明提供一种压阻式压力传感器无源电阻网络温度补偿方法，采用低温度系数电阻网络补偿模型，根据压阻式压力传感器的常温初始零位电压的正负选取对应的补偿模型，利用补偿模型实现电桥零位温度漂移补偿和电桥灵敏度温度漂移补偿，使得压阻式压力传感器在初始压力加载下输出电压不随温度变化，压阻式压力传感器在变化压力加载下输出电压不随温度变化，本发明基于压阻式压力传感器封装后的实际测量数据，克服压阻式压力传感器封装的残余应力、电桥自身参数偏移等影响，实现高精度温度补偿。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118310671B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410741952.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种应用于高温环境下的温压原位同测方法，属于半导体技术领域，首先确定待测压敏电阻R0所在传感器的掺杂浓度。然后用高低温冲击试验箱测量与待测压敏电阻R0掺杂浓度相同的压敏电阻R1的电阻‑温度拟合曲线A。再测量待测压敏电阻R0在常温下的电阻值。接着将待测压敏电阻R0常温下的电阻值与电阻‑温度拟合曲线A进行匹配，得到已封装好的传感器的待测压敏电阻R0的电阻值与电阻‑温度拟合曲线B。最后当待测压敏电阻R0所对应的传感器在工作测压时，将测得的阻值带入传感器电阻‑温度拟合曲线B，可得此时传感器对应的工作温度。通过该方法，可以提高高温环境下压力传感器的工作性能，使温压同位检测更加精准。
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公开(公告)号：CN117364082A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311224435.X
申请日：2023-09-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 一种原子气室镀膜封装工艺，属于原子气室技术领域，可解决现有CPT原子钟物理系统中，衰减片、四分之一波片和MEMS气室是分立的元件，不仅给封装带来不便，而且成为制约CPT原子钟进一步小型化的主要因素的问题，本发明提供一种原子气室镀膜封装工艺，将衰减片和四分之一波片集成在MEMS气室上，减小了CPT原子钟的体积，使封装更加便捷，提高了CPT原子钟的集成度。
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公开(公告)号：CN116534791A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310813740.6
申请日：2023-07-05
Applicant: 中北大学
IPC: B81C1/00 , B81C99/00 , H01L21/3065 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，具体是一种深盲孔均匀性刻蚀方法。包括：S1对测试硅片进行盲孔刻蚀，计算刻蚀速率；S2使用S1中的刻蚀速率对硅片分阶段进行盲孔刻蚀；S3在每个刻蚀阶段结束后分区域进行深度测量，S4在第二个刻蚀阶段结束后，分区域进行深度测量，若某一区域深度达到目标深度时，使用刻蚀遮挡物将该区域盲孔遮挡；若某一区域深度未达到目标深度时，进入步骤S5；S5调节刻蚀参数，继续对未达到目标深度的区域进行盲孔刻蚀；S6重复步骤S4‑S5，当硅片上所有区域的盲孔深度都达到目标深度后，停止刻蚀。本发明能够有效控制深盲孔刻蚀的刻蚀深度，提高刻蚀均匀性，并且能够监测刻蚀工艺。
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公开(公告)号：CN112366270B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011239341.6
申请日：2020-11-09
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及红外探测技术领域，公开了一种热电堆红外探测器及其制备方法，探测器包括从下至上依次设置的硅衬底、第一支撑层、吸收材料支撑层，吸收材料支撑层上设置有多个热偶条，热偶条按照“非”字形双列排布形成热偶条区域，钝化吸热层沉淀设置在热偶条上并向下延伸至吸收材料支撑层的上表面，热偶条区域边缘位置无钝化吸热层覆盖；位于首行和尾行的热偶条外侧分别设置有一个与热偶条方向平行的隔热槽，隔热槽从吸收材料支撑层向下延伸并穿透第一支撑层；钝化吸热层上设置有U型的铂电阻，铂电阻的两臂直于热偶条方向，并分别位于两列热偶条的内端上方，本发明提高了红外探测器的响应度。
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公开(公告)号：CN110028372B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201910336318.X
申请日：2019-04-24
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碱性催化溶胶凝胶法制备Al/CuO纳米含能材料的方法，以尿素为碱性催化剂，十二烷基磺酸钠为表面活性剂，在弱碱性环境下采用sol‑gel方法制备Al/CuO纳米含能材料；所述弱碱性环境的pH在7‑9之间。解决了Al/CuO体系凝胶条件较难控制的问题，使凝胶时间变短，避免了nAl在CuO凝胶中的沉降，解决了纳米含能材料混合后易各自沉降而分散性差的问题。
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