公开(公告)号：CN116534791B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310813740.6

申请日：2023-07-05

Applicant: 中北大学

Inventor： 雷程 ,  梁庭 ,  冀鹏飞 ,  熊继军 ,  王宇峰 ,  郝亚峰

IPC: B81C1/00 ,  B81C99/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，具体是一种深盲孔均匀性刻蚀方法。包括：S1对测试硅片进行盲孔刻蚀，计算刻蚀速率；S2使用S1中的刻蚀速率对硅片分阶段进行盲孔刻蚀；S3在每个刻蚀阶段结束后分区域进行深度测量，S4在第二个刻蚀阶段结束后，分区域进行深度测量，若某一区域深度达到目标深度时，使用刻蚀遮挡物将该区域盲孔遮挡；若某一区域深度未达到目标深度时，进入步骤S5；S5调节刻蚀参数，继续对未达到目标深度的区域进行盲孔刻蚀；S6重复步骤S4‑S5，当硅片上所有区域的盲孔深度都达到目标深度后，停止刻蚀。本发明能够有效控制深盲孔刻蚀的刻蚀深度，提高刻蚀均匀性，并且能够监测刻蚀工艺。

公开(公告)号：CN116534791A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310813740.6

申请日：2023-07-05

Applicant: 中北大学

Inventor： 雷程 ,  梁庭 ,  冀鹏飞 ,  熊继军 ,  王宇峰 ,  郝亚峰

IPC: B81C1/00 ,  B81C99/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，具体是一种深盲孔均匀性刻蚀方法。包括：S1对测试硅片进行盲孔刻蚀，计算刻蚀速率；S2使用S1中的刻蚀速率对硅片分阶段进行盲孔刻蚀；S3在每个刻蚀阶段结束后分区域进行深度测量，S4在第二个刻蚀阶段结束后，分区域进行深度测量，若某一区域深度达到目标深度时，使用刻蚀遮挡物将该区域盲孔遮挡；若某一区域深度未达到目标深度时，进入步骤S5；S5调节刻蚀参数，继续对未达到目标深度的区域进行盲孔刻蚀；S6重复步骤S4‑S5，当硅片上所有区域的盲孔深度都达到目标深度后，停止刻蚀。本发明能够有效控制深盲孔刻蚀的刻蚀深度，提高刻蚀均匀性，并且能够监测刻蚀工艺。