公开(公告)号：CN102401840A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110359745.3

申请日：2011-11-14

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘俊 ,  唐军 ,  薛晨阳 ,  张斌珍 ,  张文栋 ,  田学东 ,  李长龙 ,  史伟莉 ,  谭振新 ,  臧俊斌

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/09 ,  G01P15/12 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种Si基HEMT嵌入式微加速度计，包括Si衬底，所述Si衬底包括由刻蚀形成的外围基座、悬臂梁和质量块构成的微加速度计结构；所述Si衬底在高电子迁移率晶体管(HEMT)的加工位置处具有HEMT材料层薄膜，并且所述HEMT材料层薄膜包括GexSi1-x缓冲层和其它HEMT材料层；在所述HEMT材料层薄膜上加工有高电子迁移率晶体管(HEMT)。本发明进一步提供了上述Si基HEMT嵌入式微加速度计的生产方法。本发明所述微加速度计解决了GaAs基微结构的弹性较差，应用过程中容易断裂、测试工作难度较大等问题。

公开(公告)号：CN101718801B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200910227917.4

申请日：2009-11-27

Applicant: 中北大学

Inventor： 唐军 ,  马游春 ,  刘俊 ,  张文栋 ,  苏淑靖 ,  薛晨阳 ,  张斌珍 ,  熊继军 ,  侯婷婷 ,  刘国文 ,  崔兢 ,  贾晓娟 ,  谭振新

IPC: G01P15/08 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及微加速度计领域，具体是一种基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计。适应了微加速度计应用领域对高灵敏度微加速度计的需要，实现高电子迁移率晶体管HEMT力电转换机理在微加速度计上的应用，所述微加速度计采用以下步骤加工制造：1、应用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出如下表1所示材料层结构的薄膜；2、应用微机电器件加工技术在薄膜上加工高电子迁移率晶体管HEMT；3、应用微机电器件加工技术加工微加速度计结构。有效利用高电子迁移率晶体管HEMT的力电转换机理，实现了高电子迁移率晶体管HEMT在微加速度计上的应用，灵敏度高、线性度好，完全可以适应微加速度计应用领域的实际需要。

公开(公告)号：CN101718801A

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200910227917.4

申请日：2009-11-27

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘俊 ,  薛晨阳 ,  张斌珍 ,  张文栋 ,  熊继军 ,  侯婷婷 ,  刘国文 ,  崔競 ,  贾晓娟 ,  谭振新

IPC: G01P15/08 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及微加速度计领域，具体是一种基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计。适应了微加速度计应用领域对高灵敏度微加速度计的需要，实现高电子迁移率晶体管HEMT力电转换机理在微加速度计上的应用，所述微加速度计采用以下步骤加工制造：1、应用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出如下表1所示材料层结构的薄膜；2、应用微机电器件加工技术在薄膜上加工高电子迁移率晶体管HEMT；3、应用微机电器件加工技术加工微加速度计结构。有效利用高电子迁移率晶体管HEMT的力电转换机理，实现了高电子迁移率晶体管HEMT在微加速度计上的应用，灵敏度高、线性度好，完全可以适应微加速度计应用领域的实际需要。