公开(公告)号：CN101609110A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910074938.7

申请日：2009-07-15

Applicant: 中北大学

Inventor： 张斌珍 ,  张文栋 ,  薛晨阳 ,  贾晓娟 ,  崔競

IPC: G01R19/10 ,  G01P15/12 ,  G01P21/00

Abstract: 本发明涉及MEMS微加速度传感器的信号提取，具体是一种共振隧穿压阻式微加速度传感器的信号提取方法。进一步优化了共振隧穿压阻式微加速度传感器，提取步骤如下：①在无外界压力作用下，检测与共振隧穿压阻式微加速度传感器的共振隧穿微结构－共振隧穿二极管I－V特性曲线负阻区内峰值点或谷值点对应的基准电压；②根据步骤①得到的基准电压，重新合理设定施加于共振隧穿二极管上的起始电压；③实时检测共振隧穿压阻式微加速度传感器的共振隧穿微结构－共振隧穿二极管I－V特性曲线负阻区内峰值点或谷值点对应电压值的变化量。采用本发明所述信号提取方法的共振隧穿压阻式微加速度传感器的灵敏度高，频响特性好，输出信号的线性度好。

公开(公告)号：CN101718801B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200910227917.4

申请日：2009-11-27

Applicant: 中北大学

Inventor： 唐军 ,  马游春 ,  刘俊 ,  张文栋 ,  苏淑靖 ,  薛晨阳 ,  张斌珍 ,  熊继军 ,  侯婷婷 ,  刘国文 ,  崔兢 ,  贾晓娟 ,  谭振新

IPC: G01P15/08 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及微加速度计领域，具体是一种基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计。适应了微加速度计应用领域对高灵敏度微加速度计的需要，实现高电子迁移率晶体管HEMT力电转换机理在微加速度计上的应用，所述微加速度计采用以下步骤加工制造：1、应用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出如下表1所示材料层结构的薄膜；2、应用微机电器件加工技术在薄膜上加工高电子迁移率晶体管HEMT；3、应用微机电器件加工技术加工微加速度计结构。有效利用高电子迁移率晶体管HEMT的力电转换机理，实现了高电子迁移率晶体管HEMT在微加速度计上的应用，灵敏度高、线性度好，完全可以适应微加速度计应用领域的实际需要。

公开(公告)号：CN101718801A

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200910227917.4

申请日：2009-11-27

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘俊 ,  薛晨阳 ,  张斌珍 ,  张文栋 ,  熊继军 ,  侯婷婷 ,  刘国文 ,  崔競 ,  贾晓娟 ,  谭振新

IPC: G01P15/08 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及微加速度计领域，具体是一种基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计。适应了微加速度计应用领域对高灵敏度微加速度计的需要，实现高电子迁移率晶体管HEMT力电转换机理在微加速度计上的应用，所述微加速度计采用以下步骤加工制造：1、应用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出如下表1所示材料层结构的薄膜；2、应用微机电器件加工技术在薄膜上加工高电子迁移率晶体管HEMT；3、应用微机电器件加工技术加工微加速度计结构。有效利用高电子迁移率晶体管HEMT的力电转换机理，实现了高电子迁移率晶体管HEMT在微加速度计上的应用，灵敏度高、线性度好，完全可以适应微加速度计应用领域的实际需要。

公开(公告)号：CN101609110B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200910074938.7

申请日：2009-07-15

Applicant: 中北大学

Inventor： 张斌珍 ,  张文栋 ,  薛晨阳 ,  贾晓娟 ,  崔競

IPC: G01R19/10 ,  G01P15/12 ,  G01P21/00

Abstract: 本发明涉及MEMS微加速度传感器的信号提取，具体是一种共振隧穿压阻式微加速度传感器的信号提取方法。进一步优化了共振隧穿压阻式微加速度传感器，提取步骤如下：①在无外界压力作用下，检测与共振隧穿压阻式微加速度传感器的共振隧穿微结构-共振隧穿二极管I-V特性曲线负阻区内峰值点或谷值点对应的基准电压；②根据步骤①得到的基准电压，重新合理设定施加于共振隧穿二极管上的起始电压；③实时检测共振隧穿压阻式微加速度传感器的共振隧穿微结构-共振隧穿二极管I-V特性曲线负阻区内峰值点或谷值点对应电压值的变化量。采用本发明所述信号提取方法的共振隧穿压阻式微加速度传感器的灵敏度高，频响特性好，输出信号的线性度好。