公开(公告)号：CN101718801B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200910227917.4

申请日：2009-11-27

Applicant: 中北大学

Inventor： 唐军 ,  马游春 ,  刘俊 ,  张文栋 ,  苏淑靖 ,  薛晨阳 ,  张斌珍 ,  熊继军 ,  侯婷婷 ,  刘国文 ,  崔兢 ,  贾晓娟 ,  谭振新

IPC: G01P15/08 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及微加速度计领域，具体是一种基于高电子迁移率晶体管HEMT的微加速度计。适应了微加速度计应用领域对高灵敏度微加速度计的需要，实现高电子迁移率晶体管HEMT力电转换机理在微加速度计上的应用，所述微加速度计采用以下步骤加工制造：1、应用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出如下表1所示材料层结构的薄膜；2、应用微机电器件加工技术在薄膜上加工高电子迁移率晶体管HEMT；3、应用微机电器件加工技术加工微加速度计结构。有效利用高电子迁移率晶体管HEMT的力电转换机理，实现了高电子迁移率晶体管HEMT在微加速度计上的应用，灵敏度高、线性度好，完全可以适应微加速度计应用领域的实际需要。