公开(公告)号：CN102401840A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110359745.3

申请日：2011-11-14

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘俊 ,  唐军 ,  薛晨阳 ,  张斌珍 ,  张文栋 ,  田学东 ,  李长龙 ,  史伟莉 ,  谭振新 ,  臧俊斌

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/09 ,  G01P15/12 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种Si基HEMT嵌入式微加速度计，包括Si衬底，所述Si衬底包括由刻蚀形成的外围基座、悬臂梁和质量块构成的微加速度计结构；所述Si衬底在高电子迁移率晶体管(HEMT)的加工位置处具有HEMT材料层薄膜，并且所述HEMT材料层薄膜包括GexSi1-x缓冲层和其它HEMT材料层；在所述HEMT材料层薄膜上加工有高电子迁移率晶体管(HEMT)。本发明进一步提供了上述Si基HEMT嵌入式微加速度计的生产方法。本发明所述微加速度计解决了GaAs基微结构的弹性较差，应用过程中容易断裂、测试工作难度较大等问题。

公开(公告)号：CN102621350B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210109295.7

申请日：2012-04-16

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘俊 ,  马喜宏 ,  张晓明 ,  郭涛 ,  鲍爱达 ,  李长龙 ,  孙韬

IPC: G01P21/00

Abstract: 本发明涉及高g值微加速度计的环境因子的确定方法，具体是一种高g值微加速度计在不同环境下环境因子的确定方法。本发明解决了目前尚无一种专用于确定高g值微加速度计的环境因子的方法的问题。高g值微加速度计在不同环境下环境因子的确定方法，该方法是采用如下步骤实现的：1）测定样品在温湿环境、振动环境下的性能参数；2）分析得到高g值微加速度计在温湿环境、振动环境下的失效概率；3）分析推断出高g值微加速度计在温湿环境下、振动环境下所服从的可靠性模型；4）折算出高g值微加速度计的环境因子。本发明解决了目前尚无一种专用于确定高g值微加速度计的环境因子的方法的问题，适用于高g值微加速度计的环境因子的确定。

公开(公告)号：CN102621350A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210109295.7

申请日：2012-04-16

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘俊 ,  马喜宏 ,  张晓明 ,  郭涛 ,  鲍爱达 ,  李长龙 ,  孙韬

IPC: G01P21/00

Abstract: 本发明涉及高g值微加速度计的环境因子的确定方法，具体是一种高g值微加速度计在不同环境下环境因子的确定方法。本发明解决了目前尚无一种专用于确定高g值微加速度计的环境因子的方法的问题。高g值微加速度计在不同环境下环境因子的确定方法，该方法是采用如下步骤实现的：1）测定样品在温湿环境、振动环境下的性能参数；2）分析得到高g值微加速度计在温湿环境、振动环境下的失效概率；3）分析推断出高g值微加速度计在温湿环境下、振动环境下所服从的可靠性模型；4）折算出高g值微加速度计的环境因子。本发明解决了目前尚无一种专用于确定高g值微加速度计的环境因子的方法的问题，适用于高g值微加速度计的环境因子的确定。