公开(公告)号：CN102401840A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110359745.3

申请日：2011-11-14

Applicant: 中北大学

Inventor： 刘俊 ,  唐军 ,  薛晨阳 ,  张斌珍 ,  张文栋 ,  田学东 ,  李长龙 ,  史伟莉 ,  谭振新 ,  臧俊斌

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/09 ,  G01P15/12 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种Si基HEMT嵌入式微加速度计，包括Si衬底，所述Si衬底包括由刻蚀形成的外围基座、悬臂梁和质量块构成的微加速度计结构；所述Si衬底在高电子迁移率晶体管(HEMT)的加工位置处具有HEMT材料层薄膜，并且所述HEMT材料层薄膜包括GexSi1-x缓冲层和其它HEMT材料层；在所述HEMT材料层薄膜上加工有高电子迁移率晶体管(HEMT)。本发明进一步提供了上述Si基HEMT嵌入式微加速度计的生产方法。本发明所述微加速度计解决了GaAs基微结构的弹性较差，应用过程中容易断裂、测试工作难度较大等问题。