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公开(公告)号：CN113299749B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110697529.3
申请日：2021-06-23
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种垂直型氮化镓功率器件，包括硅衬底、缓冲层、模板层、掩膜层和漏极电极；掩膜层中设六边形窗口；六边形窗口在掩膜层上生长第一n+GaN层，融合位置有空隙缺陷；第一n+GaN层上覆盖n‑GaN扩散层；n‑GaN扩散层上设p‑GaN势垒层、第二n+GaN层；六边形窗口、空隙缺陷的上设垂直沟槽；垂直沟槽内设第一绝缘层；垂直沟槽和第一绝缘层上覆盖第二绝缘层；第二绝缘层上覆盖栅极电极，栅极电极的顶面与第二n+GaN层的顶面齐平；第二绝缘层的开口中设置源极电极。本发明还公开了一种垂直型氮化镓功率器件的制备方法。本发明能够降低缺陷密度，不易形成垂直漏电通道，异质外延应力小，器件可靠性极高。
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公开(公告)号：CN112925121A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110107317.5
申请日：2021-01-26
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种超表面透镜，依次包括介质层、导电层和电光调制材料层，电光调制材料层上设置若干互不联通的凹槽，凹槽内填充有金属电极；超表面透镜还包括电源，电源包括若干脉冲电压源，脉冲电压源的正极端与金属电极电性相连，负极端与导电层电性相连并接地，两两相邻的金属电极上加载的脉冲电压源的电压值互不相同。本发明还公开了一种空间光调制器，包括激光器和上述超表面透镜，超表面透镜设于激光器上。本发明能够通过电调构成超表面透镜的调制材料折射率，实现通过超表面透镜的光束的空间指向、光学焦距以及数值孔径的动态调节。
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公开(公告)号：CN113299749A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110697529.3
申请日：2021-06-23
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种垂直型氮化镓功率器件，包括硅衬底、缓冲层、模板层、掩膜层和漏极电极；掩膜层中设六边形窗口；六边形窗口在掩膜层上生长第一n+GaN层，融合位置有空隙缺陷；第一n+GaN层上覆盖n‑GaN扩散层；n‑GaN扩散层上设p‑GaN势垒层、第二n+GaN层；六边形窗口、空隙缺陷的上设垂直沟槽；垂直沟槽内设第一绝缘层；垂直沟槽和第一绝缘层上覆盖第二绝缘层；第二绝缘层上覆盖栅极电极，栅极电极的顶面与第二n+GaN层的顶面齐平；第二绝缘层的开口中设置源极电极。本发明还公开了一种垂直型氮化镓功率器件的制备方法。本发明能够降低缺陷密度，不易形成垂直漏电通道，异质外延应力小，器件可靠性极高。
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公开(公告)号：CN111697114A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010742093.0
申请日：2020-07-29
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，所述芯片包括第一n-GaN层、图形化反射层、第二反射层、第二n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层和第二衬底；图形化反射层为间隔排列的凸形结构，图形化反射层为分布式布拉格反射镜。所述制法包括：在第一衬底上形成本征GaN层和第一n-GaN层；覆盖第一反射层；刻蚀形成图形化反射层；覆盖第二反射层；刻蚀暴露出第一n-GaN层未覆盖图形化反射层的表面；覆盖第二n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层；将p-GaN层与第二衬底键合；剥离第一衬底、本征GaN层，露出第一n-GaN层。本发明出光效率高，能够有效缓解大电流注入时的电流拥堵效应，电流分布均匀。
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公开(公告)号：CN119700128A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411911943.X
申请日：2024-12-24
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种柔性电极及其制备方法，柔性电极，包括若干组柔性电极单元，柔性电极单元包括支撑层和电极层，支撑层表面设置阵列分布的通孔一，电极层设置在通孔一和支撑层表面并形成网格状的凹槽；若干组柔性电极单元的通孔位置互相错开。制备方法，包括以下步骤：在衬底表面形成牺牲层；在牺牲层表面形成支撑层；对支撑层进行光刻、显影、固化，在支撑层上形成若干个通孔一；在所得物表面形成电极层，电极层上形成通孔二；对电极层处理，形成网格状的凹槽；采用UV光自底部照射衬底，牺牲层与衬底接触部分分解，衬底分离；用BOE溶液清洗，去除剩余牺牲层。本发明电极层形成网格状凹槽，有利于释放应力，柔性增强，不易损坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117552111B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311533965.2
申请日：2023-11-16
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN单晶衬底的制备方法，包括以下步骤：在基板上依次生长阻挡层、第一键合层，在衬底上依次生长GaN外延薄膜、第二键合层；将第一键合层与第二键合层键合，形成键合层，去除衬底，得到自下而上的基板、阻挡层、键合层、GaN外延薄膜；通过湿法腐蚀使得GaN外延薄膜远离键合层的一侧表面形成具有(10‑11)晶面的GaN岛；在GaN岛上，采用HVPE法在800～1000℃生长GaN，形成GaN厚膜；通过HF或BOE法腐蚀去掉键合层，将基板与GaN厚膜分离；对GaN厚膜做表面研磨、抛光处理。本发明基板与GaN厚膜的热膨胀系数一致，不存在失配，长厚时不容易碎裂，能够制备大尺寸GaN单晶。
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公开(公告)号：CN114566470A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210128591.5
申请日：2022-02-11
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01L23/14 , H01L23/15 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种工程衬底，从下往上依次包括氮化铝陶瓷基底、组合介质层、氮化铝层，氮化铝层的氮极性面与所述组合介质层的表面贴合，组合介质层是电绝缘体。由于氮化铝陶瓷基底和氮化铝层的热导性能优秀，氮化铝层和组合介质层介电性能良好；同时氮化铝层是氮化铝外延种层，与其上后续生长氮化物外延结构晶格系数及热膨胀系数匹配；且本发明公开的制备方法中，通过第一介质层和第二介质层将多晶的氮化铝陶瓷基底和单晶的氮化铝层直接键合，介质层隔绝了氮化铝陶瓷基底内的杂质向氮化铝层的扩散；所以制备的工程衬底可以解决器件散热、耐高压问题，并且与其上生长的外延晶格系数及热膨胀系数匹配，从而改善器件性能和质量，延长器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112670358A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011535536.5
申请日：2020-12-23
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基紫外探测器，包括金刚石薄膜、第一电极、第二电极和绝缘层；金刚石薄膜包括金刚石微柱、第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，金刚石微柱在金刚石薄膜的表面周期性排布，金刚石微柱之间的空隙为第三沟槽，第三沟槽的两侧分别设与其联通的第一沟槽、第二沟槽；第一电极在第一沟槽、第三沟槽上；第二电极在第二沟槽、第三沟槽上方；绝缘层在第一电极、第二电极堆叠的区域之间。本发明还公开了一种金刚石基紫外探测器的制备方法。本发明利用沟槽设置堆叠的第一电极和第二电极，提高金刚石薄膜表面占空比，增加载流子数量并实现其有效收集，提高了灵敏度和响应度。
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公开(公告)号：CN111697114B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010742093.0
申请日：2020-07-29
Applicant: 东南大学苏州研究院
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，所述芯片包括第一n‑GaN层、图形化反射层、第二反射层、第二n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层和第二衬底；图形化反射层为间隔排列的凸形结构，图形化反射层为分布式布拉格反射镜。所述制法包括：在第一衬底上形成本征GaN层和第一n‑GaN层；覆盖第一反射层；刻蚀形成图形化反射层；覆盖第二反射层；刻蚀暴露出第一n‑GaN层未覆盖图形化反射层的表面；覆盖第二n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层；将p‑GaN层与第二衬底键合；剥离第一衬底、本征GaN层，露出第一n‑GaN层。本发明出光效率高，能够有效缓解大电流注入时的电流拥堵效应，电流分布均匀。
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公开(公告)号：CN115966462A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211665182.5
申请日：2022-12-23
Applicant: 东南大学苏州研究院
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种复合工程衬底的制备方法，通过制备氮化铝陶瓷基底和内有阻挡层的硅衬底，分别在氮化铝陶瓷基底和上层硅衬底表面形成第一介质层和第二介质层，键合第一介质层和第二介质层，去除下层硅衬底和阻挡层，得到多晶的氮化铝陶瓷基底和单晶的硅衬底组合的复合工程衬底。上述复合工程衬底从下往上依次包括氮化铝陶瓷基底、组合介质层和硅衬底，组合介质层为电绝缘体。该复合工程衬底可以兼顾氮化铝陶瓷基底的高导热、同氮化物半导体材料热膨胀匹配以及硅衬底的外延生长兼容性、尺寸大等优点，提高了GaN功率器件的外延质量以及GaN功率器件的可靠性。
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