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公开(公告)号:CN102598218A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201080049061.7
申请日:2010-10-21
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/24 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/45591 , C23C16/24 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32568 , H01J37/32587 , H01J37/32834 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种等离子体CVD装置,所述等离子体CVD装置由真空容器构成,所述真空容器内部具有放电电极板和安装有薄膜形成用基板的接地电极板。在所述等离子体CVD装置中,具有与上述放电电极板隔开间隔地相对设置的接地盖板,上述放电电极板具有气体导入孔和将从该气体导入孔导入的气体排出的气体排出孔,所述气体导入孔的一端与薄膜形成用原料气体供给设备连接,另一端在上述放电电极板的下面开口,上述接地盖板具有与上述气体导入孔相对应的第2气体导入孔,并且具有与上述气体排出孔相对应的第2气体排出孔。在所述等离子体CVD装置中,具有与上述接地盖板隔开间隔地相对设置的电位控制板,该电位控制板具有与上述第2气体导入孔相对应的第3气体导入孔,并且具有与上述第2气体排出孔相对应的第3气体排出孔。
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公开(公告)号:CN102362337B
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201080013695.7
申请日:2010-03-15
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32834 , H01J37/32871 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L31/03767 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置,其中,等离子体生成电极具有多个气体排出孔,所述气体排出孔从与基板相对的面贯通上述等离子体生成电极至气体排出室,所述基板被基板保持机构保持,与气体导入管连接设置的气体供给管具有气体供给口,所述气体供给口朝向所述多个气体排出孔的内部,排出原料气体,所述气体供给管及所述气体供给口如下设置,即,使从该气体供给口排出的上述原料气体的流动方向的延长线与位于所述气体排出孔与所述气体排出室的边界面处的端面开口区域交叉。本发明还涉及一种使用该等离子体处理装置的非晶硅薄膜的制造方法。
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公开(公告)号:CN102362337A
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN201080013695.7
申请日:2010-03-15
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32834 , H01J37/32871 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L31/03767 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置,其中,等离子体生成电极具有多个气体排出孔,所述气体排出孔从与基板相对的面贯通上述等离子体生成电极至气体排出室,所述基板被基板保持机构保持,与气体导入管连接设置的气体供给管具有气体供给口,所述气体供给口朝向所述多个气体排出孔的内部,排出原料气体,所述气体供给管及所述气体供给口如下设置,即,使从该气体供给口排出的上述原料气体的流动方向的延长线与位于所述气体排出孔与所述气体排出室的边界面处的端面开口区域交叉。本发明还涉及一种使用该等离子体处理装置的非晶硅薄膜的制造方法。
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公开(公告)号:CN102598218B
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:CN201080049061.7
申请日:2010-10-21
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/24 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/45591 , C23C16/24 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32568 , H01J37/32587 , H01J37/32834 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种等离子体CVD装置,所述等离子体CVD装置由真空容器构成,所述真空容器内部具有放电电极板和安装有薄膜形成用基板的接地电极板。在所述等离子体CVD装置中,具有与上述放电电极板隔开间隔地相对设置的接地盖板,上述放电电极板具有气体导入孔和将从该气体导入孔导入的气体排出的气体排出孔,所述气体导入孔的一端与薄膜形成用原料气体供给设备连接,另一端在上述放电电极板的下面开口,上述接地盖板具有与上述气体导入孔相对应的第2气体导入孔,并且具有与上述气体排出孔相对应的第2气体排出孔。在所述等离子体CVD装置中,具有与上述接地盖板隔开间隔地相对设置的电位控制板,该电位控制板具有与上述第2气体导入孔相对应的第3气体导入孔,并且具有与上述第2气体排出孔相对应的第3气体排出孔。
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