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公开(公告)号：CN115023869A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202080094364.4
申请日：2020-01-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明的光半导体装置具备：台面条带(8)，在n型InP基板(1)的表面依次层叠n型InP包覆层(2)、活性层(3)以及p型InP包覆层(4)而成；Fe掺杂半绝缘性InP层(9)，以比台面条带的高度高的方式埋入到台面条带的两侧；n型InP阻挡层(10)，在与活性层(3)的中央部分对应的区域隔开比活性层窄的间隔而层叠于台面条带的两侧的Fe掺杂半绝缘性InP层的表面；p型InP包覆层(6)，形成于n型InP阻挡层的台面条带侧的两端部的背面；以及p型InP包覆层(12)，埋入台面条带的顶部、p型InP包覆层以及n型InP阻挡层，p型InP包覆层设为载流子浓度比p型InP包覆层以及p型InP包覆层高，而降低漏电流。
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公开(公告)号：CN116491036B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202080106480.3
申请日：2020-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本公开的光半导体装置具备：脊构造(5)，形成于第一导电型半导体基板(1)；埋入层(6)，埋入于脊构造(5)的两侧面；第二导电型第二包层(7)以及第二导电型接触层(8)，依次层叠于脊构造(5)的顶部和埋入层(6)的表面；台面构造(13)，由从第二导电型接触层(8)到达第一导电型半导体基板(1)的台面来形成两侧面；散热层(9)，设置于第二导电型接触层(8)的表面；台面保护膜(10)，覆盖台面构造(13)的两侧面以及第二导电型接触层(8)的表面的两端部；以及第二导电型侧电极(11)，与第二导电型接触层(8)电连接。
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公开(公告)号：CN118266139A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202180104326.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体激光器(100)具备形成于n型半导体基板(1)的脊构造(16)、和以覆盖脊构造(16)的在与延伸方向垂直的方向上相互对置的两侧的方式埋入的埋入层(13)。脊构造(16)具有从n型半导体基板(1)侧依次形成的n型包层(4)、活性层(5)和p型包层(6)。埋入层(13)具有与脊构造(16)的p型包层(6)及活性层(5)的两侧面相接的p型半导体层(7b)和半绝缘层(8)，p型半导体层(7b)不与脊构造(16)的n型包层(4)相接。
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公开(公告)号：CN115023869B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202080094364.4
申请日：2020-01-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明的光半导体装置具备：台面条带(8)，在n型InP基板(1)的表面依次层叠n型InP包覆层(2)、活性层(3)以及p型InP包覆层(4)而成；Fe掺杂半绝缘性InP层(9)，以比台面条带的高度高的方式埋入到台面条带的两侧；n型InP阻挡层(10)，在与活性层(3)的中央部分对应的区域隔开比活性层窄的间隔而层叠于台面条带的两侧的Fe掺杂半绝缘性InP层的表面；p型InP包覆层(6)，形成于n型InP阻挡层的台面条带侧的两端部的背面；以及p型InP包覆层(12)，埋入台面条带的顶部、p型InP包覆层以及n型InP阻挡层，p型InP包覆层设为载流子浓度比p型InP包覆层以及p型InP包覆层高，而降低漏电流。
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公开(公告)号：CN112438001B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201880095693.3
申请日：2018-07-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明的半导体激光装置具备：脊(41)，依次层叠第一导电型包覆层(11)、活性层(20)以及第二导电型第一包覆层(30)而成并且顶部平坦；第一掩埋层(50)，将脊(41)的两侧掩埋至比第二导电型第一包覆层(30)高的位置；第二掩埋层(60)，覆盖第一掩埋层(50)，并且朝向脊(41)的中央方向以及脊(41)的顶部突出，由此将各突出的部分对置而形成的开口作为电流狭窄窗(61)；以及第二导电型第二包覆层(70)，将第二掩埋层(60)与电流狭窄窗(61)一起掩埋，成为脊(41)的顶部侧的第二掩埋层(60)的面形成为收敛在第二导电型第一包覆层(30)的面内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039881A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710056430.9
申请日：2017-01-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 本发明涉及一种光半导体装置，涉及搭载半导体激光器、适于在高频下使用的光半导体装置，本发明的目的在于得到一种光半导体装置，其具有半导体激光器的后端面侧出射光难以触碰安装基板的构造。具有：半导体激光器，其在前端面侧将前端面侧出射光射出，在后端面侧将后端面侧出射光射出；以及安装基板，其在表面具有所述半导体激光器，所述后端面侧出射光是以与所述后端面相距越远则越远离所述安装基板的出射光轴而射出的。
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公开(公告)号：CN119213646A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202280096016.X
申请日：2022-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体激光器(100)具备：形成于n型半导体基板(1)的脊(5)、和以覆盖与脊的延伸方向亦即y方向垂直的x方向的两侧的方式埋入的埋入层(25)。在脊突出的方向亦即z方向的正侧以及埋入层的z方向的正侧具备：p型第二包覆层(9)、p型接触层(10)、与p型接触层连接的表面侧电极(12)、以及形成于沿x方向从脊离开的外缘的半绝缘性层(11)，在该半导体激光器(100)的x方向的端部(29a、29b)侧的z方向的正侧，形成有半绝缘性层或者表面侧电极。
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公开(公告)号：CN116491036A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202080106480.3
申请日：2020-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/024
Abstract: 本公开的光半导体装置具备：脊构造(5)，形成于第一导电型半导体基板(1)；埋入层(6)，埋入于脊构造(5)的两侧面；第二导电型第二包层(7)以及第二导电型接触层(8)，依次层叠于脊构造(5)的顶部和埋入层(6)的表面；台面构造(13)，由从第二导电型接触层(8)到达第一导电型半导体基板(1)的台面来形成两侧面；散热层(9)，设置于第二导电型接触层(8)的表面；台面保护膜(10)，覆盖台面构造(13)的两侧面以及第二导电型接触层(8)的表面的两端部；以及第二导电型侧电极(11)，与第二导电型接触层(8)电连接。
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公开(公告)号：CN112438001A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201880095693.3
申请日：2018-07-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 本发明的半导体激光装置具备：脊(41)，依次层叠第一导电型包覆层(11)、活性层(20)以及第二导电型第一包覆层(30)而成并且顶部平坦；第一掩埋层(50)，将脊(41)的两侧掩埋至比第二导电型第一包覆层(30)高的位置；第二掩埋层(60)，覆盖第一掩埋层(50)，并且朝向脊(41)的中央方向以及脊(41)的顶部突出，由此将各突出的部分对置而形成的开口作为电流狭窄窗(61)；以及第二导电型第二包覆层(70)，将第二掩埋层(60)与电流狭窄窗(61)一起掩埋，成为脊(41)的顶部侧的第二掩埋层(60)的面形成为收敛在第二导电型第一包覆层(30)的面内。
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公开(公告)号：CN107039881B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710056430.9
申请日：2017-01-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 本发明涉及一种光半导体装置，涉及搭载半导体激光器、适于在高频下使用的光半导体装置，本发明的目的在于得到一种光半导体装置，其具有半导体激光器的后端面侧出射光难以触碰安装基板的构造。具有：半导体激光器，其在前端面侧将前端面侧出射光射出，在后端面侧将后端面侧出射光射出；以及安装基板，其在表面具有所述半导体激光器，所述后端面侧出射光是以与所述后端面相距越远则越远离所述安装基板的出射光轴而射出的。
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