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公开(公告)号：CN104576349A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410589907.6
申请日：2014-10-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 本发明得到一种半导体装置的制造方法，其不依赖于解理刀的位置控制的精度，能够相对于解理目标位置实现高位置精度的解理。在半导体衬底(2)的第1主面形成多个电极(5)。在半导体衬底(2)的第1主面形成解理引导图案(8)，该解理引导图案(8)覆盖位于多个电极(5)之间的解理目标位置(6)。解理引导图案(8)在解理目标位置(6)处具有凹部(9)，由与半导体衬底(2)不同的材质构成。在半导体衬底(2)的与第1主面相反侧的第2主面，在与解理目标位置(6)相对的位置处形成划线槽(7)。使解理刀(4)按压抵接于形成有划线槽(7)和解理引导图案(8)的半导体衬底(2)的第1主面，将半导体衬底(2)解理。
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公开(公告)号：CN114762201B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201980102505.X
申请日：2019-12-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 具备：半导体层，由形成于n型GaAs基板(101)表面的n型包覆层(102)、形成于n型包覆层(102)表面的活性层(103)、形成于活性层(103)表面的具有脊部(104a、105a)的p型包覆层(104)以及形成于p型包覆层(104)表面的p型接触层(105)构成；绝缘膜(150a、150b)，覆盖上述半导体层的表面并在p型接触层(105a)的表面具有开口部；以及导电层，经由上述开口部与p型接触层(105a)连接，直到设置于与上述脊部邻接的上述半导体层的平坦部为止形成于绝缘层(150b)的表面，在上述导电层，在靠近上述脊部的上述平坦部设置有凸状的侧壁，侧壁将焊料的扩展限制在非发光区域的附近，由此防止元件间的电短路。
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公开(公告)号：CN101453100B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810211171.3
申请日：2008-09-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/0265 , G02B6/124 , H01L21/02546 , H01L21/02579 , H01S5/0421 , H01S5/3054
Abstract: 本发明获得一种能够保持良好的表面形态并同时能降低接触电阻的集成型半导体光元件。其中，半导体激光器(1)(第一半导体光元件)和光调制器(2)(第二半导体光元件)集成在同一n型InP基板(3)(InP基板)上。半导体激光器(1)和光调制器(2)对接接合。半导体激光器(1)和光调制器(2)具有掺杂了Be的p型InGaAs接触层(14)。p型InGaAs接触层(14)的Be掺杂浓度是7×1018cm-3以上，厚度比300nm薄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872036A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010159579.8
申请日：2010-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02B6/125 , G02B6/136 , G02B6/2813
Abstract: 本发明提供在进行湿蚀刻并形成台面结构的半导体光元件及其制造方法中能够避免在台面结构的角部发生异常蚀刻的情况的半导体光元件及其制造方法。一种半导体光元件，经湿蚀刻而形成了台面结构，其特征在于包括：脊型或高台型的该台面结构，形成在半导体衬底上；以及延伸台，形成在该半导体衬底上，且该延伸台的材料与连接于该台面结构的角部的该台面结构的材料相同。
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公开(公告)号：CN101453100A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810211171.3
申请日：2008-09-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/026
CPC classification number: H01S5/0265 , G02B6/124 , H01L21/02546 , H01L21/02579 , H01S5/0421 , H01S5/3054
Abstract: 本发明获得一种能够保持良好的表面形态并同时能降低接触电阻的集成型半导体光元件。其中，半导体激光器(1)(第一半导体光元件)和光调制器(2)(第二半导体光元件)集成在同一n型InP基板(3)(InP基板)上。半导体激光器(1)和光调制器(2)对接接合。半导体激光器(1)和光调制器(2)具有掺杂了Be的p型InGaAs接触层(14)。p型InGaAs接触层(14)的Be掺杂浓度是7×1018cm－3以上，厚度比300nm薄。
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公开(公告)号：CN118715602A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202280090498.8
申请日：2022-03-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 绵谷力
IPC: H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01S5/02345 , H01S5/042
Abstract: 本公开的半导体元件(100)具备：半导体基板(115)；第一半导体层(114)，形成在半导体基板(115)上；绝缘膜(113)，形成在第一半导体层(114)上；以及连接电极(104)，由表面电极(112b)和镀膜(111b)构成，表面电极(112b)形成为与绝缘膜(113)接触且在底部侧具有供绝缘膜(113)露出的多个开口部(131)，镀膜(111b)形成为与表面电极(112b)接触且覆盖开口部(131)。
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公开(公告)号：CN114762201A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201980102505.X
申请日：2019-12-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 具备：半导体层，由形成于n型GaAs基板(101)表面的n型包覆层(102)、形成于n型包覆层(102)表面的活性层(103)、形成于活性层(103)表面的具有脊部(104a、105a)的p型包覆层(104)以及形成于p型包覆层(104)表面的p型接触层(105)构成；绝缘膜(150a、150b)，覆盖上述半导体层的表面并在p型接触层(105a)的表面具有开口部；以及导电层，经由上述开口部与p型接触层(105a)连接，直到设置于与上述脊部邻接的上述半导体层的平坦部为止形成于绝缘层(150b)的表面，在上述导电层，在靠近上述脊部的上述平坦部设置有凸状的侧壁，侧壁将焊料的扩展限制在非发光区域的附近，由此防止元件间的电短路。
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公开(公告)号：CN101872036B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201010159579.8
申请日：2010-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02B6/125 , G02B6/136 , G02B6/2813
Abstract: 本发明提供进行湿蚀刻并形成台面结构的半导体光元件及其制造方法，能够避免在台面结构的角部发生异常蚀刻。一种半导体光元件，经湿蚀刻而形成了台面结构，其特征在于，包括：脊型或高台型的该台面结构，形成在半导体衬底上；以及延伸台，形成在该半导体衬底上，且该延伸台的材料与连接于该台面结构的角部的该台面结构的材料相同。
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