公开(公告)号：CN1052342C

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN96102369.4

申请日：1996-07-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥彻雄 ,  中村胜光 ,  湊忠玄 ,  原田真名

IPC: H01L29/68 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66378 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/749 ,  H01L29/868 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一个由一个P+集电区(1)，一个n型缓冲区(3)，一个n-区(5)和一个n+阴极区(7)组成的pin二极管。一个从n+阴极区(7)的表面开始穿过n+阴极区(7)后到达n-区(5)的沟槽(9)。沿着沟槽9的内壁形成一层绝缘膜(11)。形成一个栅电极层(13)隔着绝缘与n+阴极区(7)的侧壁相对。形成一个阴极(17)与n+阴极区(7)电连接。形成一个阳极(19)与p+集电区(1)电连接。n+阴极区(7)整个形成在互相平行伸展的沟槽(9)之间的表面上。这样，一种其栅控电路被简化、且导通特性很好的功率半导体器件即可得到。

公开(公告)号：CN100477259C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410061670.0

申请日：2004-06-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 德田法史 ,  湊忠玄 ,  金田充

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L21/328 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供确保稳定的反向耐压而且提高芯片表面的利用效率的纵型半导体器件，半导体器件具有在第2主面一侧形成了p型接触层2的n型半导体衬底1，在其周边部分形成沟槽13使得从第1主面到达接触层2那样包围内部，从其侧面通过扩散形成的p型分离区14设置成与接触层2连接，沟槽13的内部填埋充填物16。

公开(公告)号：CN1581506A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410061670.0

申请日：2004-06-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 德田法史 ,  湊忠玄 ,  金田充

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L21/328 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供确保稳定的反向耐压而且提高芯片表面的利用效率的纵型半导体器件，半导体器件具有在第2主面一侧形成了p型接触层2的n型半导体衬底1，在其周边部分形成沟槽13使得从第1主面到达接触层2那样包围内部，从其侧面通过扩散形成的p型分离区14设置成与接触层2连接，沟槽13的内部填埋充填物16。