公开(公告)号：CN107949916B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201580082726.7

申请日：2015-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西和也 ,  深田祐介 ,  上马场龙 ,  梅山真理子 ,  樽崎敦司 ,  多留谷政良

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

Abstract: 具有：半导体基板；发射极电极，其形成于该半导体基板之上；栅极电极，其形成于该半导体基板之上；第1导电型的源极层，其形成于该半导体基板之上；第2导电型的基极层，其形成于该半导体基板之上；集电极电极，其形成于该半导体基板之下；多个有源沟槽栅，它们形成于该半导体基板的上表面侧，与该栅极电极连接；以及多个伪沟槽栅，它们形成于该半导体基板的上表面侧，未与该栅极电极连接。交替地设置有第1构造和第2构造，该第1构造是大于或等于3个该有源沟槽栅并排的构造，该第2构造是大于或等于3个该伪沟槽栅并排的构造。

公开(公告)号：CN107431087A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580077781.7

申请日：2015-03-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木健司 ,  楢崎敦司 ,  上马场龙 ,  深田祐介 ,  中村胜光

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 在n型硅衬底(1)的表面形成有p型基极层(2)。在n型硅衬底(1)的背面形成有第一及第二n+型缓冲层(8、9)。第一n+型缓冲层(8)是通过加速电压不同的多次质子注入形成的，具有从n型硅衬底(1)的背面算起的深度不同的多个峰值浓度。第二n+型缓冲层(9)是通过磷注入形成的。从n型硅衬底(1)的背面算起，磷的峰值浓度的位置比质子的峰值浓度的位置浅。磷的峰值浓度比质子的峰值浓度高。在质子的峰值浓度的位置处，质子的浓度比磷的浓度高。

公开(公告)号：CN107949916A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201580082726.7

申请日：2015-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西和也 ,  深田祐介 ,  上马场龙 ,  梅山真理子 ,  樽崎敦司 ,  多留谷政良

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/407 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 具有：半导体基板；发射极电极，其形成于该半导体基板之上；栅极电极，其形成于该半导体基板之上；第1导电型的源极层，其形成于该半导体基板之上；第2导电型的基极层，其形成于该半导体基板之上；集电极电极，其形成于该半导体基板之下；多个有源沟槽栅，它们形成于该半导体基板的上表面侧，与该栅极电极连接；以及多个伪沟槽栅，它们形成于该半导体基板的上表面侧，未与该栅极电极连接。交替地设置有第1构造和第2构造，该第1构造是大于或等于3个该有源沟槽栅并排的构造，该第2构造是大于或等于3个该伪沟槽栅并排的构造。

公开(公告)号：CN116613203A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310096694.2

申请日：2023-02-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 本田成人 ,  深田祐介 ,  冈本隼人

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/36

Abstract: 涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。抑制RC‑IGBT的恢复损耗的增加。关于半导体装置，IGBT区域具有漂移层的表层的第2导电型的基极层，二极管区域具有漂移层的表层的第2导电型的阳极层，终端区域具有漂移层的表层的第2导电型的阱层，沿漂移层的上表面的方向上的基极层的杂质浓度的分布以及阳极层的杂质浓度的分布周期性地变动，基极层的杂质浓度的分布与阳极层的杂质浓度的分布不同。

公开(公告)号：CN107431087B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201580077781.7

申请日：2015-03-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木健司 ,  楢崎敦司 ,  上马场龙 ,  深田祐介 ,  中村胜光

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 在n型硅衬底(1)的表面形成有p型基极层(2)。在n型硅衬底(1)的背面形成有第一及第二n+型缓冲层(8、9)。第一n+型缓冲层(8)是通过加速电压不同的多次质子注入形成的，具有从n型硅衬底(1)的背面算起的深度不同的多个峰值浓度。第二n+型缓冲层(9)是通过磷注入形成的。从n型硅衬底(1)的背面算起，磷的峰值浓度的位置比质子的峰值浓度的位置浅。磷的峰值浓度比质子的峰值浓度高。在质子的峰值浓度的位置处，质子的浓度比磷的浓度高。