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公开(公告)号：CN104540760B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280075227.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大津一宏
Abstract: 电梯的电力变换装置具备：逆变器(8)，其将彼此反并联连接的MOSFET元件(21)与二极管元件(22)作为1个臂(20)，该逆变器(8)至少具有2个将2个臂(20)串联连接而成的腿(23)，并对使轿厢(4)升降的电动机(1)进行驱动；电流检测器(13)，其对在逆变器(8)与电动机(1)之间流过的电流方向进行检测；以及驱动控制部(9)，其根据由具有自动运转模式和维护运转模式的运转控制部(10)生成的速度指令值控制逆变器(8)的驱动，在速度指令值为维护运转模式的速度以下的情况下，驱动控制部(9)使由电流检测器(13)检测出的电流方向为流向二极管元件(22)的正向的臂(20)的MOSFET元件(21)的栅极截止。
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公开(公告)号：CN106664085B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201480080132.8
申请日：2014-07-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/687
Abstract: 防止绝缘栅型功率半导体元件的稳态损耗加剧。栅极驱动电路(2)具有：NchMOSFET(4)，其使所述绝缘栅型功率半导体元件(1)导通；PchMOSFET(5)，其使所述绝缘栅型功率半导体元件(1)截止；控制电路(6)，其通过将正电压(8b)施加于所述NchMOSFET(4)的栅电极而使所述NchMOSFET(4)导通，通过将负电压(9)施加于所述PchMOSFET(5)的栅电极而使所述PchMOSFET(5)导通；以及电源体(7)，其将负电压(9)施加于所述PchMOSFET(5)的漏电极和所述控制电路(6)的负侧电极，将正电压(8a)施加于所述NchMOSFET(4)的漏电极，将绝对值比施加于所述NchMOSFET(4)的漏电极的正电压(8a)的绝对值大的正电压(8b)施加于所述控制电路(6)的正侧电极。
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公开(公告)号：CN103562108B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180071173.7
申请日：2011-05-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电梯控制装置具有：变流器（24），其将来自交流电源（20）的电力转换为直流；电容器（26），其使直流变平滑；逆变器（30），其通过对开关元件（31）进行导通/截止控制的门驱动电路（60）将直流转换为任意的交流，并且驱动使电梯的轿厢（9）工作的电机（11）；门电源电路（50），其将根据交流电源（20）而生成的直流电源提供给门驱动电路（60）；蓄电池（52），其在交流电源（20）消失时向门驱动电路（60）提供电源；电压检测部（80），其检测门驱动电路（60）的输出；判断部（83），其判断检测电压值是否为阈值以下；以及供给开关（Se），其在检测电压值达到阈值以下时，将来自蓄电池（52）的电力提供给门驱动电路（60）。
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公开(公告)号：CN106688183B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201480081850.7
申请日：2014-09-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/08 , H02M1/08 , H03K17/687
Abstract: 自灭弧式半导体元件(302)的短路保护电路包括第1保护电路(304)和第2保护电路(101)。第1保护电路(304)构成为在检测到在自灭弧式半导体元件(302)的第1以及第2主电极之间(802、803)流过过电流这一情况的场合下，使控制电极(801)与第1主电极(802)之间的电压减少。第2保护电路(101)构成为检测在用于供给驱动电压的布线(411)中流过的电流，基于检测到的电流判断第1保护电路(304)是否处于动作状态，在第1保护电路(304)为动作状态的情况下以使自灭弧式半导体元件(302)截止的方式使驱动电压变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104540760A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201280075227.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大津一宏
Abstract: 电梯的电力变换装置具备：逆变器(8)，其将彼此反并联连接的MOSFET元件(21)与二极管元件(22)作为1个臂(20)，该逆变器(8)至少具有2个将2个臂(20)串联连接而成的腿(23)，并对使轿厢(4)升降的电动机(1)进行驱动；电流检测器(13)，其对在逆变器(8)与电动机(1)之间流过的电流方向进行检测；以及驱动控制部(9)，其根据由具有自动运转模式和维护运转模式的运转控制部(10)生成的速度指令值控制逆变器(8)的驱动，在速度指令值为维护运转模式的速度以下的情况下，驱动控制部(9)使由电流检测器(13)检测出的电流方向为流向二极管元件(22)的正向的臂(20)的MOSFET元件(21)的栅极截止。
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公开(公告)号：CN117941232A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202180101754.4
申请日：2021-08-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
Abstract: 半导体驱动装置(10)具备驱动半导体开关元件(50)的栅极驱动部(11)和过电流保护部(12)。过电流保护部(12)具有：过电流判定部(13)，输入检测信号(SOC)而判定过电流；以及栅极电压降低部(14)，在判定出该过电流时降低栅极的施加电压。过电流判定部(13)具备将检测信号(SOC)的输入部的电位(VA1)钳位成栅极电位的钳位二极管(D1)、连接有所述输入部的第1晶体管(Q1)、以及低通滤波器(R、C1)，在所述输入部的电位(VA1)达到设定值时第1晶体管(Q1)导通而判定出半导体开关元件的过电流(50)。
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公开(公告)号：CN106664085A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201480080132.8
申请日：2014-07-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H03K17/6877 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H02M1/082 , H02M1/0845 , H02M7/1626 , H02M7/48 , H03K17/063 , H03K17/162
Abstract: 防止绝缘栅型功率半导体元件的稳态损耗加剧。栅极驱动电路(2)具有：NchMOSFET(4)，其使所述绝缘栅型功率半导体元件(1)导通；PchMOSFET(5)，其使所述绝缘栅型功率半导体元件(1)截止；控制电路(6)，其通过将正电压(8b)施加于所述NchMOSFET(4)的栅电极而使所述NchMOSFET(4)导通，通过将负电压(9)施加于所述PchMOSFET(5)的栅电极而使所述PchMOSFET(5)导通；以及电源体(7)，其将负电压(9)施加于所述PchMOSFET(5)的漏电极和所述控制电路(6)的负侧电极，将正电压(8a)施加于所述NchMOSFET(4)的漏电极，将绝对值比施加于所述NchMOSFET(4)的漏电极的正电压(8a)的绝对值大的正电压(8b)施加于所述控制电路(6)的正侧电极。
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公开(公告)号：CN106688183A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201480081850.7
申请日：2014-09-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/08 , H02M1/08 , H03K17/687
Abstract: 自灭弧式半导体元件(302)的短路保护电路包括第1保护电路(304)和第2保护电路(101)。第1保护电路(304)构成为在检测到在自灭弧式半导体元件(302)的第1以及第2主电极之间(802、803)流过过电流这一情况的场合下，使控制电极(801)与第1主电极(802)之间的电压减少。第2保护电路(101)构成为检测在用于供给驱动电压的布线(411)中流过的电流，基于检测到的电流判断第1保护电路(304)是否处于动作状态，在第1保护电路(304)为动作状态的情况下以使自灭弧式半导体元件(302)截止的方式使驱动电压变化。
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公开(公告)号：CN103562108A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201180071173.7
申请日：2011-05-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电梯控制装置具有：变流器（24），其将来自交流电源（20）的电力转换为直流；电容器（26），其使直流变平滑；逆变器（30），其通过对开关元件（31）进行导通/截止控制的门驱动电路（60）将直流转换为任意的交流，并且驱动使电梯的轿厢（9）工作的电机（11）；门电源电路（50），其将根据交流电源（20）而生成的直流电源提供给门驱动电路（60）；蓄电池（52），其在交流电源（20）消失时向门驱动电路（60）提供电源；电压检测部（80），其检测门驱动电路（60）的输出；判断部（83），其判断检测电压值是否为阈值以下；以及供给开关（Se），其在检测电压值达到阈值以下时，将来自蓄电池（52）的电力提供给门驱动电路（60）。
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