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公开(公告)号:CN111788769B
公开(公告)日:2023-12-12
申请号:CN201880089207.7
申请日:2018-11-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电力用半导体模块(1000)具备:至少1个上臂,设置于正极线(PL)与节点(NDa)之间,包括并联连接的电力用半导体元件(1Pa)和续流二极管(2Pa);至少1个下臂,设置于负极线(NL)与节点(NDa)之间,包括并联连接的电力用半导体元件(1Na)和续流二极管(2Na);以及缓冲电路(5),设置于正极线(PL)与负极线(NL)之间。缓冲电路(4)。至少1个控制端子(7)将表示缓冲电阻(3)的温度的电压或与缓冲电阻(3)的温度相关联的电压输出到对电力用半导体元件(1Pa,1Na)进行驱动的驱动器(11)。(5)包括串联连接的缓冲电容器(3)和缓冲电阻
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公开(公告)号:CN110612600B
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN201880030191.2
申请日:2018-01-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提高半导体装置的劣化的检测精度。第1金属图案(51)、第2金属图案(52)与控制部(100)连接。键合线(41)连接第1金属图案(51)和发射极电极(31)。线状导体(1a)连接于第1电极焊盘(311)与第2电极焊盘(312)之间。第1键合线(411~414)连接第1电极焊盘(311)和第2金属图案(52)。第2键合线(415~418)连接第2电极焊盘(312)和第2金属图案(52)。控制部(100)在第1金属图案(51)和第2金属图案(52)之间的电位差超过阈值的情况下检测出半导体装置(1)的劣化。
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公开(公告)号:CN109417386B
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN201780038635.2
申请日:2017-06-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 堀口刚司
IPC: H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 驱动电路响应控制信号(CNT1)的接通指令使NPN晶体管(5)和晶体管(9)接通而对功率晶体管(51)的栅极供给正电流,在经过规定时间之后使晶体管(9)断开而使栅极驱动力降低。驱动电路响应控制信号(CNT1)的断开指令使PNP晶体管(6)和晶体管(10)接通而对功率晶体管(51)的栅极供给负电流,在经过规定时间之后使晶体管(10)断开而使栅极驱动力降低。
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公开(公告)号:CN110741542A
公开(公告)日:2020-01-31
申请号:CN201780091742.1
申请日:2017-06-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08 , H02M1/00 , H03K17/08 , H03K17/687
Abstract: 驱动电路(100)具有信号生成电路(50)、比较器(6a)、比较器(6b)和短路判定部(8)。信号生成电路(50)生成表示半导体元件(1)的栅极电压的电压检测信号(Vg)和电压检测信号(Vg)的延迟信号(Sd1)之间的差分放大信号(Sa)而作为输出信号。比较器(6a)对差分放大信号(Sa)的值和第1基准电压值(Vref1)进行比较。比较器(6b)对表示栅极电流的电压值(E)和第2基准电压值(Vref2)进行比较。短路判定部(8)根据比较器(6a、6b)各自的比较结果,判定半导体元件(1)是否为短路状态,生成表示判定结果的判定信号(Sj)。
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公开(公告)号:CN101421910B
公开(公告)日:2011-06-08
申请号:CN200780010820.7
申请日:2007-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种当在半导体元件(1)的栅电压未下降完毕的状态下,栅开启的命令来到时,防止半导体元件(1)异常的误检测的装置,仅在与向控制电路(2)输入了开启信号时的半导体元件(1)的控制量Qon相对应的期间内允许对半导体元件(1)的控制量(栅电压)进行检测处理,将在该期间内检测的检测控制量Qt和根据上述控制量Qon设定的控制量比较值Qs进行比较来输出异常信号,并以比正常遮断时的速度慢的速度遮断半导体元件(1)。
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公开(公告)号:CN110741542B
公开(公告)日:2021-12-14
申请号:CN201780091742.1
申请日:2017-06-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08 , H02M1/00 , H03K17/08 , H03K17/687
Abstract: 驱动电路(100)具有信号生成电路(50)、比较器(6a)、比较器(6b)和短路判定部(8)。信号生成电路(50)生成表示半导体元件(1)的栅极电压的电压检测信号(Vg)和电压检测信号(Vg)的延迟信号(Sd1)之间的差分放大信号(Sa)而作为输出信号。比较器(6a)对差分放大信号(Sa)的值和第1基准电压值(Vref1)进行比较。比较器(6b)对表示栅极电流的电压值(E)和第2基准电压值(Vref2)进行比较。短路判定部(8)根据比较器(6a、6b)各自的比较结果,判定半导体元件(1)是否为短路状态,生成表示判定结果的判定信号(Sj)。
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公开(公告)号:CN112997263A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN201880099322.2
申请日:2018-11-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到具有提高了芯(103)和线圈(104)的冷却效果的电抗器(120)的功率转换器。功率转换器具有:具有第一冷却面(1051)的冷却部件(105);具有芯部(103)和线圈部(104)的电抗器(120),芯部(103)是长方体并配置于俯视下的面积比芯部(103)的面积大的第一冷却面(1051)上,线圈部(104)卷绕于芯部(103)和冷却部件(105)的周围;以及与线圈部(104)的一端连接的功率转换模块(101)。
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公开(公告)号:CN107636968B
公开(公告)日:2021-01-01
申请号:CN201680032947.8
申请日:2016-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/16 , H03K17/082 , G01R31/27 , H02M1/00 , H02M1/08
Abstract: 电压驱动部(3)根据导通指令或者截止指令使作为功率用半导体元件(100)的控制电极的栅极(101)的电压变动。栅极电压检测部(4)生成栅极电压的检测信号(VG)。延迟信号生成部(5)生成对检测信号(VG)赋予延迟时间得到的延迟信号(dVG)。差分运算部(6)生成检测信号(VG)以及延迟信号(dVG)之间的电压差分信号(VD)。在功率用半导体元件(100)的接通动作时,在电压差分信号(VD)超过基准电压(VR1)时,短路状态检测部(7)检测功率用半导体元件(100)的短路状态。
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公开(公告)号:CN110235244A
公开(公告)日:2019-09-13
申请号:CN201880009366.1
申请日:2018-02-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种能够抑制振铃的小型的功率半导体模块以及电力转换装置。功率半导体模块具备:作为正极侧功率半导体元件的正极侧开关元件(16P)及正极侧续流二极管(17P)、作为负极侧功率半导体元件的负极侧开关元件(16N)及负极侧续流二极管(17N)、正极导体图案(3a)、负极导体图案(3b)、交流电极图案(3c)、以及由形成有缓冲电路的绝缘基板(8)构成的缓冲基板。缓冲基板包含绝缘基板(8)和配置在该绝缘基板(8)的至少1个缓冲电路。缓冲基板配置在正极导体图案(3a)、负极导体图案(3b)、交流电极图案(3c)的至少任意一个上。
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公开(公告)号:CN101421910A
公开(公告)日:2009-04-29
申请号:CN200780010820.7
申请日:2007-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种当在半导体元件(1)的栅电压未下降完毕的状态下,栅开启的命令来到时,防止半导体元件(1)异常的误检测的装置,仅在与向控制电路(2)输入了开启信号时的半导体元件(1)的控制量Qon相对应的期间内允许对半导体元件(1)的控制量(栅电压)进行检测处理,将在该期间内检测的检测控制量Qt和根据上述控制量Qon设定的控制量比较值Qs进行比较来输出异常信号,并以比正常遮断时的速度慢的速度遮断半导体元件(1)。
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