公开(公告)号：CN1323319C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200410058684.7

申请日：2004-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤文弘 ,  石贺展昭 ,  荒木利夫 ,  井上和式 ,  伊藤宽泰 ,  柴田英次 ,  锅岛正直

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种可以高生产率地制造没有点缺陷和显示模糊等的高品质的薄膜晶体管阵列衬底的液晶显示装置用薄膜晶体管阵列衬底的制造方法。包含从第1金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成栅极配线以及栅极电极的工序A；形成栅极绝缘膜后用照相制版和蚀刻形成半导体膜和欧姆接触膜的工序B；从第2金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成源极配线、源极电极以及漏极电极的工序C；在形成层间绝缘膜厚后用照相制版和蚀刻形成接触孔的工序D；从透明导电膜通过照相制版和蚀刻形成象素电极的工序E，上述第2金属薄膜由以Mo为主的合金构成。上述工序B以及C也可以是在形成栅极膜和第2金属薄膜后、用第1次照相制版和蚀刻形成薄膜晶体管的工序。

公开(公告)号：CN101251693A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810080545.2

申请日：2008-02-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中堀正树 ,  木村初美 ,  后藤文弘 ,  荒木利夫

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/0657 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种可靠性、生产性优良并且高分辨率的有源矩阵型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置具有形成在透明绝缘衬底(1)上的栅电极布线(2)、覆盖所述栅电极布线(2)的栅极绝缘膜(3)、形成在所述栅极绝缘膜(3)上的半导体层(10)、形成在所述半导体层(10)上的源电极(6b)、源极布线(6a)以及漏电极(7)、与所述漏电极(7)连接的像素电极(9)。在所述半导体层(10)中，构成TFT的TFT部(10b)、形成在所述源极布线(6a)与所述栅电极布线(2)交叉的区域的源极栅极交叉部(10a)、连接所述TFT部(10b)与源极栅极交叉部的连接部(10a)一体地形成，由所述源电极(6b)以及源极布线(6a)覆盖所述半导体层的连接部(10c)的全部以及源极栅极交叉部(10a)连接部(10c)侧的一部分。

公开(公告)号：CN1577017A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410058684.7

申请日：2004-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤文弘 ,  石贺展昭 ,  荒木利夫 ,  井上和式 ,  伊藤宽泰 ,  柴田英次 ,  锅岛正直

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种可以高生产率地制造没有点缺陷和显示模糊等的高品质的TFT阵列衬底的液晶显示装置用TFT阵列衬底的制造方法。包含从第1金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成栅极配线以及栅极电极的工序A；形成栅极绝缘膜后用照相制版和蚀刻形成半导体膜和欧姆接触膜的工序B；从第2金属薄膜通过照相制版和蚀刻形成源极配线、源极电极以及漏极电极的工序C；在形成层间绝缘膜厚后用照相制版和蚀刻形成接触孔的工序D；从透明导电膜通过照相制版和蚀刻形成象素电极的工序E，上述第2金属薄膜由以Mo为主的合金构成。上述工序B以及C也可以是在形成栅极膜和第2金属薄膜后、用第1次照相制版和蚀刻形成TFT的工序。