公开(公告)号：CN103035507A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210365272.2

申请日：2012-09-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 今村谦 ,  津田睦 ,  折田泰 ,  友久伸吾 ,  新谷贤治

IPC: H01L21/3065 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供基板处理装置、基板处理方法及太阳能电池的制造方法。在玻璃基板表面的除缘部以外的区域形成凹凸形状。处理装置具有：真空容器；基板台，配置在真空容器内并载置基板；气体供给部，从与基板台相对的位置供给处理基板的气体；延伸部，在从与处理面垂直的方向透视时，选择性覆盖处理面周缘部地配置且从真空容器的内壁朝基板台延伸；距离调节机构，在处理基板时使周缘部与延伸部的距离接近以使由气体供给部、延伸部及处理面包围的第一空间和其外侧的第二空间彼此分离，在更换基板时使周缘部与延伸部远离；第一排气口，与第一排气装置连接，在处理基板时对第一空间减压；及第二排气口，与第二排气装置连接，在处理基板时对第二空间减压。

公开(公告)号：CN114342089B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN201980099839.6

申请日：2019-09-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 永久雄一 ,  日野史郎 ,  贞松康史 ,  川原洸太朗 ,  八田英之 ,  友久伸吾

IPC: H10D30/66 ,  H10D62/10 ,  H10D62/81

Abstract: 本发明的目的在于：在碳化硅半导体装置中，通过缓和在回流动作时施加到终端阱区域的电压，抑制双极性通电。SiC‑MOSFET101在漂移层(20)的表层具备都为第2导电类型的、多个第1阱区域(30)、第2阱区域(31)、第3阱区域(32)。第3阱区域(32)设置于第2阱区域(31)的与第1阱区域(30)相反的一侧。包括第1阱区域(30)的组件单元内置单极性型二极管。SiC‑MOSFET101具备与单极性型二极管和欧姆电极(70)连接、不与第2阱区域(31)以及第3阱区域(32)欧姆连接的源极电极(80)。

公开(公告)号：CN114342089A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN201980099839.6

申请日：2019-09-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 永久雄一 ,  日野史郎 ,  贞松康史 ,  川原洸太朗 ,  八田英之 ,  友久伸吾

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明的目的在于：在碳化硅半导体装置中，通过缓和在回流动作时施加到终端阱区域的电压，抑制双极性通电。SiC‑MOSFET101在漂移层(20)的表层具备都为第2导电类型的、多个第1阱区域(30)、第2阱区域(31)、第3阱区域(32)。第3阱区域(32)设置于第2阱区域(31)的与第1阱区域(30)相反的一侧。包括第1阱区域(30)的组件单元内置单极性型二极管。SiC‑MOSFET101具备与单极性型二极管和欧姆电极(70)连接、不与第2阱区域(31)以及第3阱区域(32)欧姆连接的源极电极(80)。