公开(公告)号：CN1227157C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN02143330.5

申请日：2002-09-25

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 森宽 ,  加藤波奈子 ,  船山胜矢

IPC: C01B33/16

CPC classification number: C01B33/152 ,  C01B33/1585

Abstract: 提供细孔容积和比表面积大、细孔分布尖锐、不需要的金属杂质的含量少、并且耐热性和耐水性等也优良的硅石。该硅石的细孔的众数直径(Dmax)在20nm以下，是非晶态，并且以固体Si-NMR中Q4峰的化学位移为δ(ppm)时，δ满足下式(I)：-0.0705×(Dmax)-110.36＞δ(I)，具有这种特性的硅石适用于要求尤其优良的耐热性和耐水热性，同时要求控制的细孔特性和在长期使用中物性变化少的领域。

公开(公告)号：CN104487520B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201380038094.5

申请日：2013-07-25

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 寺田宪章 ,  泷泽健一 ,  森宽

IPC: C08L83/06 ,  C08G77/08 ,  C08K5/057 ,  C08K5/07 ,  C08K5/098

CPC classification number: C08G77/08 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/58 ,  C08K5/0025 ,  C08K5/0091 ,  C08K5/057 ,  C08K5/098 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  C08L83/06 ,  C08L83/04

Abstract: 本发明的课题在于提供一种使用了新缩合催化剂的固化性有机聚硅氧烷组合物，提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物，固化性有机聚硅氧烷组合物含有在1分子中具有2个以上与硅原子结合的羟基或水解性基之中的至少一者的有机聚硅氧烷、和选自铟的螯合络合物、醇盐和脂肪酸盐中的至少一种有机铟化合物。有机聚硅氧烷优选包含聚二有机硅氧烷结构。该有机聚硅氧烷可以在1分子中具有3个以上与硅原子结合的羟基或水解性基之中的至少一者。另外，该固化性

公开(公告)号：CN101128516B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200680005683.3

申请日：2006-02-23

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 加藤波奈子 ,  森宽 ,  小林博 ,  外村翼

IPC: C08G77/08 ,  C08L83/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/56 ,  C08G77/04 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体发光器件用部件及其制造方法以及使用了该部件的半导体发光器件，本发明所提供的半导体发光器件用部件的透明性、耐光性、耐热性优异，能够密封半导体发光器件，即使长期使用也不会产生裂纹和剥离。为此，本发明中使用具有下述特征的半导体发光器件用部件：(1)该部件的固体Si-核磁共振谱中具有至少一个选自由(i)和(ii)组成的组中的峰，所述(i)是峰顶的位置位于化学位移为-40ppm～0ppm的区域、半峰宽为0.3ppm～3.0ppm的峰，所述(ii)是峰顶的位置位于化学位移为-80ppm以上且小于-40ppm的区域、半峰宽为0.3ppm～5.0ppm的峰；并且，(2)该部件的硅含量为20重量％以上；(3)该部件的硅烷醇含量为0.1重量％～10重量％。

公开(公告)号：CN1139662A

公开(公告)日：1997-01-08

申请号：CN95105683.2

申请日：1995-06-20

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 渡边孝二 ,  甲村善博 ,  手塚真 ,  森宽 ,  砥绵正人 ,  米盛勉

IPC: C07C35/08 ,  C07C29/04

Abstract: 一种制造环己醇的方法，该方法使用泡沸石作催化剂，藉环己烯的水合反应连续地制造环己醇。在反应系内，使2-环己烯-1-酮对原料环己烯的含量为200ppm以下，进行水合反应。根据本发明，在环己烯的水合反应中，催化剂的寿命大大改善。另外，可长时期地维持催化剂的分离性能。因此，可长期、稳定地制造环己醇，工业上的贡献很大。

公开(公告)号：CN101268120B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200680034941.0

申请日：2006-09-22

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 加藤波奈子 ,  森宽 ,  小林博 ,  外村翼 ,  山崎正典 ,  阿部麻理

IPC: C08G77/18 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09D183/04 ,  H01L24/45 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供半导体发光器件用部件及其制造方法、以及使用该部件的半导体发光器件，所述新颖的半导体发光器件用部件具有优异的透明性、耐光性、耐热性，能够密封半导体发光器件并保持荧光体，即使长期使用也不产生裂纹和剥离。所述半导体发光器件用部件具有如下特征：(1)具有存在于陶瓷或金属表面的羟基或能够与金属氧烷键中的氧形成氢键的官能团；(2)在200℃放置500小时，放置前后，波长400nm的光的透过率的维持率为80％～110％；(3)以中心波长为400nm～450nm且波长大于385nm小于等于500nm的光进行24小时的照射以使波长436nm的照度为4500W/m2后，目视确认没有发生变化；(4)波长550nm的光的折射率为1.45以上。

公开(公告)号：CN101506969B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200780030841.5

申请日：2007-08-22

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 加藤波奈子 ,  森宽 ,  小林博 ,  外村翼

IPC: H01L23/29 ,  C09K11/73 ,  C09K11/80 ,  G01N19/04 ,  G01N25/20 ,  H01L23/31 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/7774 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7735 ,  C09K11/7738 ,  C09K11/774 ,  C09K11/7775 ,  C09K11/7781 ,  C09K11/7789 ,  C09K11/7794 ,  C09K11/7795 ,  H01L23/24 ,  H01L23/293 ,  H01L24/17 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件用部材，其耐热性、耐光性、成膜性、密合性优异，即使长期使用也能够不产生裂纹、剥离、着色地密封半导体器件，并能够保持荧光体。为此，对于半导体器件用部材，设定其用规定的热减重测定方法测定的热减重为50重量％以下，且利用规定的密合性评价方法测定的剥离率为30％以下。

公开(公告)号：CN1421388A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02152769.5

申请日：2002-11-27

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 森宽

IPC: C01B33/12 ,  C01B33/157 ,  C01B33/152

CPC classification number: C09C1/30 ,  C01B33/158 ,  C01B33/16 ,  C01P2002/02 ,  C01P2002/86 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/16

Abstract: 提供一种细孔容积和比表面积大、具有可控制的细孔特性、不希望有的金属杂质含量少、且耐水热性等也优良的二氧化硅。该二氧化硅具有以下的特性：(a)细孔容积大于1.6ml/g，并且在3ml/g以下；(b)比表面积为100～1000m2/g；(c)最频细孔直径(Dmax)在5nm以上；(d)用固体Si－NMR测定的Q4/Q3值在1.2以上；(e)非结晶质；(f)金属杂质含量在100ppm以下。本发明的二氧化硅可适用于要求有特别大的细孔容积及比表面积和优良的耐水热性、同时要求可控制的细孔特性以及长期使用中物性变化小的领域。

公开(公告)号：CN104487520A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380038094.5

申请日：2013-07-25

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 寺田宪章 ,  泷泽健一 ,  森宽

IPC: C08L83/06 ,  C08G77/08 ,  C08K5/057 ,  C08K5/07 ,  C08K5/098

CPC classification number: C08G77/08 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/58 ,  C08K5/0025 ,  C08K5/0091 ,  C08K5/057 ,  C08K5/098 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  C08L83/06 ,  C08L83/04

Abstract: 本发明的课题在于提供一种使用了新缩合催化剂的固化性有机聚硅氧烷组合物，提供一种固化性聚有机硅氧烷组合物，固化性有机聚硅氧烷组合物含有在1分子中具有2个以上与硅原子结合的羟基或水解性基之中的至少一者的有机聚硅氧烷、和选自铟的螯合络合物、醇盐和脂肪酸盐中的至少一种有机铟化合物。有机聚硅氧烷优选包含聚二有机硅氧烷结构。该有机聚硅氧烷可以在1分子中具有3个以上与硅原子结合的羟基或水解性基之中的至少一者。另外，该固化性有机聚硅氧烷组合物可以含有该有机聚硅氧烷、该有机铟化合物、以及在1分子中具有3个以上与硅原子结合的羟基或水解性基之中的至少一者的硅化合物。

公开(公告)号：CN101268120A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034941.0

申请日：2006-09-22

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 加藤波奈子 ,  森宽 ,  小林博 ,  外村翼 ,  山崎正典 ,  阿部麻理

IPC: C08G77/18 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09D183/04 ,  H01L24/45 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供半导体发光器件用部件及其制造方法、以及使用该部件的半导体发光器件，所述新颖的半导体发光器件用部件具有优异的透明性、耐光性、耐热性，能够密封半导体发光器件并保持荧光体，即使长期使用也不产生裂纹和剥离。所述半导体发光器件用部件具有如下特征：(1)具有存在于陶瓷或金属表面的羟基或能够与金属氧烷键中的氧形成氢键的官能团；(2)在200℃放置500小时，放置前后，波长400nm的光的透过率的维持率为80％～110％；(3)以中心波长为400nm～450nm且波长大于385nm小于等于500nm的光进行24小时的照射以使波长436nm的照度为4500W/m2后，目视确认没有发生变化；(4)波长550nm的光的折射率为1.45以上。

公开(公告)号：CN101128516A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200680005683.3

申请日：2006-02-23

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 加藤波奈子 ,  森宽 ,  小林博 ,  外村翼

IPC: C08G77/08 ,  C08L83/04 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/56 ,  C08G77/04 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体发光器件用部件及其制造方法以及使用了该部件的半导体发光器件，本发明所提供的半导体发光器件用部件的透明性、耐光性、耐热性优异，能够密封半导体发光器件，即使长期使用也不会产生裂纹和剥离。为此，本发明中使用具有下述特征的半导体发光器件用部件：(1)该部件的固体Si－核磁共振谱中具有至少一个选自由(i)和(ii)组成的组中的峰，所述(i)是峰顶的位置位于化学位移为－40ppm～0ppm的区域、半峰宽为0.3ppm～3.0ppm的峰，所述(ii)是峰顶的位置位于化学位移为－80ppm以上且小于－40ppm的区域、半峰宽为0.3ppm～5.0ppm的峰；并且，(2)该部件的硅含量为20重量％以上；(3)该部件的硅烷醇含量为0.1重量％～10重量％。