有机电子器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102804440B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201080028354.7

    申请日:2010-06-21

    Abstract: 本发明提供一种有机电子器件及其制造方法,所述有机电子器件在长期使用时的器件功能不会发生劣化,例如就薄膜有机太阳能电池元件而言,可以抑制发电效率降低。所述有机电子器件依次叠层有:具有至少一对电极的有机半导体元件(B)、包含吸收水分及氧中的至少之一的捕捉剂的层(C)、及阻气膜(D),在所述一对电极中的至少一个电极与所述包含吸收水分及氧中的至少之一的捕捉剂的层(C)之间,具有至少一层防蚀层(E),所述防蚀层(E)的膜厚为20μm以上,所述防蚀层(E)在40℃、90%RH环境下的水蒸气透过率Pe(g/m2/天)相对于阻气膜(D)在40℃、90%RH环境下的水蒸气透过率Pd满足15g/m2/天≥Pe>Pd的条件,且阻气膜(D)的水蒸气透过率Pd满足10-4≤Pd≤10-1g/m2/天的条件。

    有机电子器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102804440A

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201080028354.7

    申请日:2010-06-21

    Abstract: 本发明提供一种有机电子器件及其制造方法,所述有机电子器件在长期使用时的器件功能不会发生劣化,例如就薄膜有机太阳能电池元件而言,可以抑制发电效率降低。所述有机电子器件依次叠层有:具有至少一对电极的有机半导体元件(B)、包含吸收水分及氧中的至少之一的捕捉剂的层(C)、及阻气膜(D),在所述一对电极中的至少一个电极与所述包含吸收水分及氧中的至少之一的捕捉剂的层(C)之间,具有至少一层防蚀层(E),所述防蚀层(E)的膜厚为20μm以上,所述防蚀层(E)在40℃、90%RH环境下的水蒸气透过率Pe(g/m2/天)相对于阻气膜(D)在40℃、90%RH环境下的水蒸气透过率Pd满足15g/m2/天≥Pe>Pd的条件,且阻气膜(D)的水蒸气透过率Pd满足10-4≤Pd≤10-1g/m2/天的条件。

    硅石
    8.
    发明授权
    硅石 失效

    公开(公告)号:CN1227157C

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN02143330.5

    申请日:2002-09-25

    CPC classification number: C01B33/152 C01B33/1585

    Abstract: 提供细孔容积和比表面积大、细孔分布尖锐、不需要的金属杂质的含量少、并且耐热性和耐水性等也优良的硅石。该硅石的细孔的众数直径(Dmax)在20nm以下,是非晶态,并且以固体Si-NMR中Q4峰的化学位移为δ(ppm)时,δ满足下式(I):-0.0705×(Dmax)-110.36>δ(I),具有这种特性的硅石适用于要求尤其优良的耐热性和耐水热性,同时要求控制的细孔特性和在长期使用中物性变化少的领域。

    有机薄膜太阳能电池模块
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107431132A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201680018929.4

    申请日:2016-03-25

    Abstract: 本发明提供一种有机薄膜太阳能电池模块,其即便在水贴施工时的刮擦后也能够维持有机薄膜太阳能电池元件的初期性能,另外,在精加工时端部不剥离,外观设计性良好。该有机薄膜太阳能电池模块是依次具有第一气体阻隔层、第一密封层和有机薄膜太阳能电池元件的有机薄膜太阳能电池模块,其特征在于,上述第一密封层的25℃、频率10Hz下的储能模量为5×106Pa~1×108Pa。

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