公开(公告)号：CN1861840A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610080157.5

申请日：2006-05-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜熙哲 ,  古野和雄 ,  金汉基 ,  金明洙

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供了一种催化剂增强化学气相沉积(CECVD)设备，在该CECVD设备中，喷头和催化剂支撑体相互独立。该CECVD设备具有在喷头、催化剂丝和基底之间的良好的间隔，并可被净化以防止在低温下运行的部分上形成的污染。该CECVD设备包括：反应室；喷头，用于将反应气体引入到反应室中；催化剂丝，用于分解反应气体；催化剂支撑体，用于支撑催化剂丝；基底，已分解的气体沉积在其上；基底支撑体，用于支撑基底。

公开(公告)号：CN1845359A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200610072619.9

申请日：2006-04-05

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金汉基 ,  许明洙 ,  金明洙 ,  李奎成

IPC: H01L51/56 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/5096 ,  H01L51/5253

Abstract: 本发明提供了一种利用等离子体沉积和/或热沉积制造有机发光器件的方法。通过第一根与第二根反应来形成绝缘层。第一根通过使第一气体穿过等离子体产生区域和加热体来形成，第二根通过使第二气体穿过加热体来形成。该方法通过基本分解源气体改善了所得绝缘层的特点并提高了源气体的使用效率。绝缘层可为形成在有机发光器件上的钝化层。该方法使用等离子体装置如感应耦合等离子体化学气相沉积(ICP－CVD)装置或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置。

公开(公告)号：CN1807681A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200610006396.6

申请日：2006-01-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金汉基 ,  许明洙 ,  金明洙 ,  李奎成 ,  郑锡宪

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/48 ,  C23C16/04 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  C23C16/26 ,  C23C16/42

Abstract: 本发明公开了一种蒸镀装置和利用该蒸镀装置的蒸镀方法。该蒸镀装置中，分解所需要的能量相对较高的气体利用等离子体分解方式和加热体方式进行分解，分解所需要的能量相对较低的气体利用加热体方式进行分解，由此在基板上形成蒸镀物。在利用现有的ICP－CVD装置或PECVD等的等离子体装置形成绝缘膜时，存在源气体难以完全分解而使蒸镀物的特性变差，源气体的使用效率差的缺陷，本发明为了克服该缺陷而涉及等离子体或/及加热体方式的蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀方法。

公开(公告)号：CN1901774A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610106329.1

申请日：2006-07-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李奎成 ,  金汉基 ,  金度根 ,  金明洙

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/321

Abstract: 本发明公开了一种感应耦合等离子体处理装置。该感应耦合等离子体处理装置包括：反应室；基底支架，用于在反应室中形成等离子体空间并用于支撑在其中的处理基底；屏蔽件，设置在基底支架的侧面；多个开口，形成在基底的下方；线天线，在反应室的下部，高频功率信号被施加到线天线。因此，该感应耦合等离子体处理装置可均匀地分布等离子体的密度，使得可实现大尺寸的平板显示器。

公开(公告)号：CN1861841A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610080203.1

申请日：2006-05-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金汉基 ,  金明洙 ,  许明洙 ,  郑锡宪 ,  姜熙哲

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供了一种用于原位多晶薄膜生长的方法。催化剂增强化学气相沉积(CECVD)装置被用于使多晶硅薄膜生长。不需要后续的退火或脱氢工艺。该方法包括排尽室内气体以形成真空室，然后净化真空室并引入催化剂。然后在真空室内放置基底，并将反应气体注射到室中。在真空室内反应气体与催化剂反应以在基底上生长多晶薄膜。本发明的方法缩短了工艺时间并降低了生产成本，并且，由于省去了笨重的退火设备，本发明可用于制造更大的器件。

公开(公告)号：CN1861839A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610078368.5

申请日：2006-05-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 康熙哲 ,  古野和雄 ,  金汉基 ,  金明洙

IPC: C23C16/448

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明公开了一种催化剂增强的化学汽相淀积(CECVD)设备和淀积方法，其中为防止催化剂丝因热变形导致松垂而向催化剂丝施加张力，并且为防止产生异物而使用辅助气体。该CECVD设备可构造为具有：处理腔、将处理气体导入处理腔的喷头、和提供在处理腔中并分解从喷头导入的处理气体的可拉伸的催化剂丝结构，由催化剂丝结构分解的气体淀积于基片上，从而使张力施加到催化剂丝以便防止催化剂丝因热变形导致松垂，且使用辅助气体从而防止产生异物，因此消除了基片温度不均匀的发生和膜生长不均匀的发生，并随之提高了催化剂丝的耐久性。

公开(公告)号：CN1861837A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610078524.8

申请日：2006-05-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金明洙 ,  金汉基 ,  郑锡宪

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/448 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明公开了一种用于沉积多晶硅且不需要单独的后续退火工艺的CVD装置，该CVD装置包括：室，用于在基底上形成薄膜；喷头，位于室的上部，以将反应气体注入到基底上；分配器，形成有分配孔，用来均匀地分配反应气体；催化剂热丝单元，用来加热和分解通过分配器的分配孔注入的反应气体；卡盘，基底安装在其上；排放孔，用于排放反应气体；屏蔽墙，设置为室的侧墙，并形成有加热器，用来抑制颗粒产生。利用上述结构能将颗粒产生最小化，从而提高产量。同样，薄膜具有优良的结晶度以及其含氢量减小。