-
公开(公告)号：CN1925127A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610112369.7
申请日：2006-08-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L51/56 , C23C14/50 , C23C16/458
CPC classification number: C23C14/50 , C23C14/042 , H01L51/0008 , H01L51/0097 , H01L51/56 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明公开一种用于制造柔性显示器的膜盘，该膜盘可以避免柔性基板或膜下沉。所述膜盘包括支撑板和至少一对夹钳，至少一对夹钳中的每个夹钳沿着支撑板的相对边缘设置以固定柔性介质。至少一对夹钳中的第一夹钳和至少一对夹钳中的第二夹钳对准。每个夹钳都包括适于打开以容纳柔性基板或膜并适于关闭以固定柔性基板或膜的开关部分，以及与该开关部分分开有预定距离以当开关部分关闭时将柔性基板或膜支持在预定高度的支撑部分。
-
公开(公告)号：CN1752273A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510106632.7
申请日：2005-09-22
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种对向靶溅射装置和利用该装置的有机电致发光显示装置的制造方法，通过使用圆板型的对向靶来防止薄膜形成时所产生的具有高能量的粒子与基片碰撞而引起的膜损伤，并通过在所述圆板型对向靶的周围旋转多个基片形成薄膜而适于大量生产。本发明包含：室部，该室部包含形成壳体的室和可以沿着所述室内壁安装多个基片的基片安装部；至少一个溅射靶部，该溅射靶部包含相隔一定距离而对置并形成约束空间的一对对向溅射靶和分别设置在所述一对靶的后面并在所述约束空间中产生磁场的磁场产生单元。
-
公开(公告)号：CN100456446C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200610106277.8
申请日：2006-07-17
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/687
CPC classification number: C23C14/50 , C23C14/042 , H01L51/56
Abstract: 一种用于制造有机发光显示器的夹持器，包括夹持器主体和设置在夹持器主体的相对的侧面上的多个支撑体，其中，各支撑体具有“┐”形的形状，并包括具有预定高度的侧壁和从侧壁弯曲的支撑板。支撑板被形成为具有多个台阶部分，以支撑基底、膜托盘和掩模，以在传送基底、模托盘和掩膜的同时夹持基底、模托盘和掩模，并防止图案扭曲，从而同时在单个室中传送并加工基底、膜托盘和掩模。
-
公开(公告)号：CN1901155A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610106277.8
申请日：2006-07-17
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/687
CPC classification number: C23C14/50 , C23C14/042 , H01L51/56
Abstract: 一种用于制造有机发光显示器的夹持器，包括夹持器主体和设置在夹持器主体的相对的侧面上的多个支撑体，其中，各支撑体具有“┓”形的形状，并包括具有预定高度的侧壁和从侧壁弯曲的支撑板。支撑板被形成为具有多个台阶部分，以支撑基底、膜托盘和掩模，以在传送基底、模托盘和掩膜的同时夹持基底、模托盘和掩模，并防止图案扭曲，从而同时在单个室中传送并加工基底、膜托盘和掩模。
-
公开(公告)号：CN1845359A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610072619.9
申请日：2006-04-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/5096 , H01L51/5253
Abstract: 本发明提供了一种利用等离子体沉积和/或热沉积制造有机发光器件的方法。通过第一根与第二根反应来形成绝缘层。第一根通过使第一气体穿过等离子体产生区域和加热体来形成，第二根通过使第二气体穿过加热体来形成。该方法通过基本分解源气体改善了所得绝缘层的特点并提高了源气体的使用效率。绝缘层可为形成在有机发光器件上的钝化层。该方法使用等离子体装置如感应耦合等离子体化学气相沉积(ICP－CVD)装置或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1807681A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610006396.6
申请日：2006-01-20
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种蒸镀装置和利用该蒸镀装置的蒸镀方法。该蒸镀装置中，分解所需要的能量相对较高的气体利用等离子体分解方式和加热体方式进行分解，分解所需要的能量相对较低的气体利用加热体方式进行分解，由此在基板上形成蒸镀物。在利用现有的ICP－CVD装置或PECVD等的等离子体装置形成绝缘膜时，存在源气体难以完全分解而使蒸镀物的特性变差，源气体的使用效率差的缺陷，本发明为了克服该缺陷而涉及等离子体或/及加热体方式的蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀方法。
-
公开(公告)号：CN100454514C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610112369.7
申请日：2006-08-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L51/56 , C23C14/50 , C23C16/458
CPC classification number: C23C14/50 , C23C14/042 , H01L51/0008 , H01L51/0097 , H01L51/56 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明公开一种用于制造柔性显示器的膜盘，该膜盘可以避免柔性基板或膜下沉。所述膜盘包括支撑板和至少一对夹钳，至少一对夹钳中的每个夹钳沿着支撑板的相对边缘设置以固定柔性介质。至少一对夹钳中的第一夹钳和至少一对夹钳中的第二夹钳对准。每个夹钳都包括适于打开以容纳柔性基板或膜并适于关闭以固定柔性基板或膜的开关部分，以及与该开关部分分开有预定距离以当开关部分关闭时将柔性基板或膜支持在预定高度的支撑部分。
-
公开(公告)号：CN1901774A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610106329.1
申请日：2006-07-19
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 本发明公开了一种感应耦合等离子体处理装置。该感应耦合等离子体处理装置包括：反应室；基底支架，用于在反应室中形成等离子体空间并用于支撑在其中的处理基底；屏蔽件，设置在基底支架的侧面；多个开口，形成在基底的下方；线天线，在反应室的下部，高频功率信号被施加到线天线。因此，该感应耦合等离子体处理装置可均匀地分布等离子体的密度，使得可实现大尺寸的平板显示器。
-
公开(公告)号：CN101351063A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810132015.8
申请日：2008-07-18
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B32B38/162 , B32B2309/65 , B32B2311/00 , B32B2457/00 , H01L51/003 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/007 , H01L51/0078 , H01L51/0079 , H01L51/0085 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明提供一种接合方法和利用该接合方法制备有机发光二极管显示装置的方法。一种接合柔性层和支座的方法，包括：在所述柔性层的一个表面上形成第一金属层，在所述支座的一个表面上形成第二金属层，清洁所述第一金属层和所述第二金属层，并将所述第一金属层接合至所述第二金属层，使得所述第一金属层位于所述柔性层与所述第二金属层之间。
-
公开(公告)号：CN1976055A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610172884.4
申请日：2006-09-13
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L21/283 , H01L21/31 , H01L51/56 , C23C14/34
CPC classification number: H01L27/3258 , C23C14/35 , C23C14/352 , H01L51/0021 , H01L51/5221
Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示器和沉积法，用于通过将Ar与比Ar气体重的惰性气体混合，利用箱式阴极溅射法或对面靶溅射法沉积电极或钝化层。本发明实施例提供一种有机发光显示器，包括：基板；形成在基板上的薄膜晶体管；形成在薄膜晶体管上的第一电极；形成在第一电极上的有机层；及通过将Ar气体与比所述Ar气体重的惰性气体混合，利用箱式阴极溅射法或对面靶溅射法溅射沉积在有机层上的第二电极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.019 seconds)
