公开(公告)号：CN113130503A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110052912.3

申请日：2021-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志荣 ,  梁宇成 ,  高木世济

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种三维半导体存储器装置包括：第一衬底上的外围电路结构；外围电路结构上的第二衬底；第二衬底上的电极结构，电极结构包括堆叠的电极；以及垂直沟道结构，其贯穿电极结构。外围电路结构包括第二衬底下方的伪互连结构。伪互连结构包括堆叠的伪互连线以及将最上面的一条伪互连线的顶表面连接至第二衬底的底表面的伪过孔。

公开(公告)号：CN113745231A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110584684.4

申请日：2021-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐裕轸 ,  郑恩宅 ,  李秉一 ,  李璱 ,  李俊熙 ,  郑昌大 ,  崔凤贤 ,  高木世济

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体器件包括：图案结构；在图案结构上的堆叠结构，该堆叠结构包括栅极和层间绝缘层；以及穿透堆叠结构并接触图案结构的垂直结构。图案结构包括顺序堆叠的下图案层、中间图案层和上图案层，垂直结构包括穿透上图案层和中间图案层并延伸到下图案层中的垂直存储结构，中间图案层包括第一部分、从第一部分延伸并具有减小的厚度的第二部分、以及第三部分，该第三部分从第一部分延伸，具有增加的厚度并接触垂直存储结构。中间图案层的第二部分具有侧表面，该侧表面在形成从第一部分的上表面弯曲的表面的同时降低，并接触上图案层。

公开(公告)号：CN114446982A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202110663661.2

申请日：2021-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高木世济

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的存储器堆叠，所述存储器堆叠包括栅电极、绝缘层和模制层，所述模制层在贯通电极区域中被设置在与所述栅电极相同的水平高度处；沟道结构，在单元阵列区域中竖直地延伸穿过所述栅电极；以及挡板结构，在顶视图中被设置在隔离绝缘层之间并且围绕所述贯通电极区域。所述挡板结构包括具有挡板形状的挡板绝缘层、所述挡板绝缘层内部的内部绝缘层、以及所述挡板绝缘层外部的外部绝缘层。所述内部绝缘层包括在水平方向上突出的第一突出部，并且所述外部绝缘层包括在所述水平方向上突出的第二突出部。

公开(公告)号：CN113838855A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202110699279.7

申请日：2021-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高木世济 ,  李俊熙

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11575

Abstract: 一种半导体装置，包括：外围电路区域，具有第一衬底、位于第一衬底上的电路器件以及第一布线结构；存储单元区域，具有第二衬底、栅电极、沟道结构、第一水平导电层、绝缘区域、第二水平导电层和第二布线结构，第二衬底具有第一区域和第二区域，栅电极堆叠在第一区域中，沟道结构穿过栅电极，第一水平导电层在第一区域中位于第二衬底上，绝缘区域在第二区域中位于第二衬底上，第二水平导电层位于第一水平导电层和绝缘区域上；以及第三布线结构，将第一衬底连接到第二衬底，并且包括上通路和下布线结构，上通路穿过第二水平导电层、绝缘区域和第二衬底，下布线结构连接到上通路。

公开(公告)号：CN113224080A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110060612.X

申请日：2021-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高木世济

IPC: H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11575

Abstract: 本发明公开了一种存储器件，该存储器件包括基板、堆叠结构、沟道层和分隔层。基板包括第一层、在第一层上的第二层以及在第二层上的第三层。堆叠结构包括堆叠在基板上的电极层。沟道层在垂直于基板的上表面的方向上延伸，以穿透堆叠结构并在相对于基板的上表面水平的方向上与第二层接触。分隔层将堆叠结构分成单元结构。在第一层与在分隔层中的一个或更多个下面的第二层之间的第一边界设置为低于在第一层与位于相邻的两个沟道层之间的第二层之间的第二边界。