公开(公告)号：CN118248653A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311426283.1

申请日：2023-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  闵俊弘 ,  郑银淑 ,  曹昭惠

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装包括：第一基板，包括硅；第一绝缘层，与第一基板接触，第一绝缘层包括氧化硅，第一绝缘层具有第一浓度的硅；第二绝缘层，与第一绝缘层接触，第二绝缘层包括氧化硅，第二绝缘层具有第二浓度的硅，第二浓度低于第一浓度；以及在第二绝缘层上的结构。第一浓度是所述第一绝缘层中的硅的重量与所述第一绝缘层的总重量的比率，第二浓度是所述第二绝缘层中的硅的重量与第二绝缘层的总重量的比率，并且第一浓度在20wt％至50wt％的范围内。

公开(公告)号：CN110858582A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910777364.3

申请日：2019-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰成 ,  文光辰 ,  金孝柱 ,  闵俊弘 ,  李学承

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98

Abstract: 公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括基板、附接到基板的第一单元结构、以及附接到第一单元结构的第二单元结构。第一单元结构和第二单元结构中的每一个包括粘合层、粘合层上的下半导体芯片、在下半导体芯片上并且与下半导体芯片接触的上半导体芯片、以及穿透上半导体芯片并与上半导体芯片和下半导体芯片连接的多个通孔。