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公开(公告)号:CN105390065B
公开(公告)日:2020-03-17
申请号:CN201510561211.7
申请日:2015-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09F9/00
Abstract: 本文中公开的是具有较高质量和较高光泽度的显示设备。该显示设备包括:显示模块,所述显示模块将显示面板保持在弯曲表面状态,图像显示在所述显示面板上;驱动单元,所述驱动单元设置在显示模块的后侧;以及容纳显示模块和驱动单元并且形成显示设备的外部的盖,其中盖被注射成型,并且包括:第一盖,所述第一盖设置在显示模块前部并且被设置成具有与显示面板的曲率相同的曲率;以及第二盖,所述第二盖被设置在显示模块的后侧,与第一盖连接,同时容纳显示模块和驱动单元,并且形成为具有与显示面板的曲率不同的曲率。
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公开(公告)号:CN1117887C
公开(公告)日:2003-08-13
申请号:CN98102756.3
申请日:1998-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供制造半导体器件的化学汽相淀积(CVD)装置,包括:处理室;为处理室供应处理气体的处理气体供应管线;废气排放管,用于在处理后将处理室内的废气排放出去;清洗气体供应管线,用于向处理室内供应ClF3气体;取样歧管,用于利用压力差从处理室内提取气体样品;及QGA-QMS,用于分析取样气样,并利用上述RGA-QMS通过分析,根据处理室内的气体流量、压力和温度优化结束点。
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公开(公告)号:CN1218986A
公开(公告)日:1999-06-09
申请号:CN98117482.5
申请日:1998-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137
Abstract: 本发明提供一种多晶硅腐蚀方法和腐蚀装置。所述方法包括步骤:a)把在确定层上具有多晶硅膜的晶片送入处理室;b)在预定范围内调节处理室的气压和温度;c)把包括卤素化合物的腐蚀气体送入处理室中并腐蚀多晶硅膜。所述装置包括:腐蚀气体供应源,周期的与腐蚀气体供应源相连并具有温度控制装置的处理室;和与处理室相连并用于控制处理室的气压状态的高真空管线。
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公开(公告)号:CN105390065A
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201510561211.7
申请日:2015-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09F9/00
Abstract: 本文中公开的是具有较高质量和较高光泽度的显示设备。该显示设备包括:显示模块,所述显示模块将显示面板保持在弯曲表面状态,图像显示在所述显示面板上;驱动单元,所述驱动单元设置在显示模块的后侧;以及容纳显示模块和驱动单元并且形成显示设备的外部的盖,其中盖被注射成型,并且包括:第一盖,所述第一盖设置在显示模块前部并且被设置成具有与显示面板的曲率相同的曲率;以及第二盖,所述第二盖被设置在显示模块的后侧,与第一盖连接,同时容纳显示模块和驱动单元,并且形成为具有与显示面板的曲率不同的曲率。
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公开(公告)号:CN101312144A
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200810127761.8
申请日:2008-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/00 , C23C16/458 , H01J37/32 , H05H1/00
CPC classification number: H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 一种用于高密度等离子设备的卡盘组件,包括:具有上表面和形成在外围部分中的多个销孔的卡盘,其中该卡盘的上表面配置成在其上接收一半导体衬底;衬底导引器设置在该卡盘外表面上,其中该衬底导引器被配置成防止定位在该卡盘上表面上的半导体衬底离开该卡盘;设置在该卡盘的下部的固定板;固定在该固定板上并且沿从该固定板向上的方向中延伸的多个升降销,以便每一个升降销分别插入多个销孔中的一个,其中每一个升降销具有延伸到邻近该卡盘上表面的位置的上表面;和穿过该固定板并且与卡盘的下部啮合的卡盘升降机,其中该卡盘升降机被配置为向上和向下移动该卡盘。
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公开(公告)号:CN1215764A
公开(公告)日:1999-05-05
申请号:CN98102756.3
申请日:1998-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供制造半导体器件的化学汽相淀积(CVD)装置,包括:处理室;为处理室供应处理气体的处理气体供应管线;废气排放管,用于在处理后将处理室内的废气排放出去;清洗气体供应管线,用于向处理室内供应ClF3气体;取样歧管,用于利用压力差从处理室内提取气体样品;及QGA-QMS,用于分析取样气样,并利用上述RGA-QMS通过分析,根据处理室内的气体流量、压力和温度优化结束点。
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