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公开(公告)号：CN103226975B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201310031305.4
申请日：2013-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5635 , G11C16/14 , G11C29/82
Abstract: 公开了一种存储设备、存储系统、块管理方法、编程和擦除方法。在一个实施例中，一种方法包括覆写存储m位数据的存储单元以存储n位数据，其中n小于或等于m。当存储m位数据时存储单元具有第一多个编程状态中的一个，而当存储n位数据时存储单元具有第二多个编程状态中的一个。第二多个编程状态包括不在第一多个编程状态中的至少一个编程状态。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN107643958A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710544300.X
申请日：2017-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
CPC classification number: G06F11/1076 , H03M13/1102 , H03M13/1515 , H03M13/152 , H03M13/2707 , H03M13/2957 , H03M13/45 , H03M13/616
Abstract: 一种恢复数据的方法和系统，包括：当针对目标码字的解码器输入的错误校正码(ECC)解码处理已经失败时，从存储器设备读取与目标码字具有码相关的参考码字。基于使用目标码字和参考码字的操作处理来生成校正的目标码字的解码器输入。再次对校正的目标码字的解码器输入执行ECC解码处理。
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公开(公告)号：CN103544993B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201310291074.0
申请日：2013-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G06F12/0246 , G06F12/0253 , G06F2212/7205 , G11C11/5671 , G11C16/0416 , G11C16/0466 , G11C16/3445
Abstract: 一种非易失性存储器件的擦除方法包括设置擦除模式，以及根据设置的擦除模式执行正常擦除操作和快速擦除操作之一。正常擦除操作被执行以便将存储单元的阈值电压设置为低于第一擦除验证电平的擦除状态。快速擦除操作被执行以便将存储单元的阈值电压设置为低于第二擦除验证电平的伪擦除状态。第二擦除验证电平高于第一擦除验证电平。
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公开(公告)号：CN103226975A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310031305.4
申请日：2013-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5635 , G11C16/14 , G11C29/82
Abstract: 公开了一种存储设备、存储系统、块管理方法、编程和擦除方法。在一个实施例中，一种方法包括覆写存储m位数据的存储单元以存储n位数据，其中n小于或等于m。当存储m位数据时存储单元具有第一多个编程状态中的一个，而当存储n位数据时存储单元具有第二多个编程状态中的一个。第二多个编程状态包括不在第一多个编程状态中的至少一个编程状态。
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公开(公告)号：CN103544993A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310291074.0
申请日：2013-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G06F12/0246 , G06F12/0253 , G06F2212/7205 , G11C11/5671 , G11C16/0416 , G11C16/0466 , G11C16/3445
Abstract: 一种非易失性存储器件的擦除方法包括设置擦除模式，以及根据设置的擦除模式执行正常擦除操作和快速擦除操作之一。正常擦除操作被执行以便将存储单元的阈值电压设置为低于第一擦除验证电平的擦除状态。快速擦除操作被执行以便将存储单元的阈值电压设置为低于第二擦除验证电平的伪擦除状态。第二擦除验证电平高于第一擦除验证电平。
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