公开(公告)号：CN1630099A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410081934.9

申请日：2004-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷华湘 ,  野口隆 ,  鲜于文旭 ,  金道暎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7855

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管及制造该薄膜晶体管的方法，可以减少工序和掩模的数量，从而降低生产成本。该薄膜晶体管包括衬底；在衬底上形成的缓冲层；在缓冲层上彼此间隔开的源极和漏极；在缓冲层上形成的使源极和漏极彼此连接起来的沟道层；及在缓冲层上形成的与源极、漏极和沟道层间隔开的栅极。

公开(公告)号：CN1691340A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510063832.9

申请日：2005-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑智心 ,  野口陆 ,  赵世泳 ,  金道暎 ,  朴敬培

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明公开了一种电子装置和一种制造该电子装置的方法。该装置包括塑料衬底，叠放在塑料衬底上的透明热导层，叠放在热导层上的多晶硅层，和设置在多晶硅层上的功能装置。所述功能装置是晶体管、发光装置和存储装置中任意一个。所述功能装置可以是包括叠放在多晶硅层上的栅极叠层的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN100490074C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200410082255.3

申请日：2004-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权章渊 ,  韩民九 ,  赵世泳 ,  朴敬培 ,  金道暎 ,  李旼哲 ,  韩相勉 ,  野口隆 ,  朴永洙 ,  郑智心

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。该多晶硅薄膜是使用ICP-CVD在低温时形成的。ICP-CVD后，在能量以预定梯级增加的同时实施ELA。使用ICP-CVD在大约150℃的温度沉积多晶硅有源层和SiO2栅极绝缘层。该多晶硅具有大约3000或更高的大结晶粒度。SiO2的界面阱密度可以高达1011/cm2。可以在低温下制造具有良好电特性的晶体管，并因而能够形成在耐热塑料衬底上。

公开(公告)号：CN1719582A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200510081929.2

申请日：2005-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金道暎 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  权章渊

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296

Abstract: 本发明提供了一种制备多晶硅薄膜的方法和使用该方法制备半导体器件的方法。为了形成多晶硅薄膜，在形成于基板上的非晶硅薄膜中注入中性离子，然后进行退火。非晶硅薄膜可以在高能量密度下退火，并且可以在非耐热塑料基板上形成具有优异特性的多晶硅薄膜。因此，可以在比如Si晶片或玻璃基板的耐热基板，或比如塑料基板的非耐热基板上形成优异的多晶硅薄膜。

公开(公告)号：CN100479170C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510063832.9

申请日：2005-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑智心 ,  野口陆 ,  赵世泳 ,  金道暎 ,  朴敬培

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明公开了一种电子装置和一种制造该电子装置的方法。该装置包括塑料衬底，叠放在塑料衬底上的透明热导层，叠放在热导层上的多晶硅层，和设置在多晶硅层上的功能装置。所述功能装置是晶体管、发光装置和存储装置中任意一个。所述功能装置可以是包括叠放在多晶硅层上的栅极叠层的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1770472A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200410075872.0

申请日：2004-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  野口隆 ,  赵世泳 ,  金道暎 ,  权章渊

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供了形成多晶硅薄膜的方法、包括多晶硅薄膜的薄膜晶体管及制造薄膜晶体管的方法。所述晶体管包括堆叠在衬底上的第一热导薄膜，热导率低于第一热导薄膜、并在第一热导薄膜上形成的第二热导薄膜，在第二热导薄膜和第二热导薄膜两侧面上的第一热导薄膜上形成的多晶硅薄膜，以及堆叠在覆盖于第二热导薄膜之上的多晶硅薄膜上的栅叠层。第二热导薄膜可以代替部分第一热导薄膜，而不是形成在第一热导薄膜上。通过使一束受激准分子激光照射在于第一和第二热导薄膜上形成的非晶硅薄膜上形成多晶硅薄膜。栅叠层可以沉积在作为通道区的部分多晶硅薄膜的下面。

公开(公告)号：CN1638043A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410082255.3

申请日：2004-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权章渊 ,  韩民九 ,  赵世泳 ,  朴敬培 ,  金道暎 ,  李旼哲 ,  韩相勉 ,  野口隆 ,  朴永洙 ,  郑智心

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供了一种制造多晶硅薄膜的方法及用其制造多晶硅TFT的方法。该多晶硅薄膜是使用ICP－CVD在低温时形成的。ICP－CVD后，在能量以预定梯级增加的同时实施ELA。使用ICP－CVD在大约150℃的温度沉积多晶硅活性层和SiO2栅极绝缘层。该多晶硅具有大约3000或更高的大结晶粒度。SiO2的界面阱密度可以高达1011/cm2。可以在低温下制造具有良好电特性的晶体管，并因而能够形成在耐热塑料衬底上。