公开(公告)号：CN112866592B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202011051961.7

申请日：2020-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹浈斌 ,  金焕雄 ,  沈殷燮 ,  李景镐 ,  李泓锡

IPC: H04N25/70 ,  H04N25/78 ,  H04N5/14 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器和操作成像装置的方法。所述图像传感器包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素，第一像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，第二像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第三像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第四像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，其中，第一像素的第二浮置扩散区和第二像素的第二浮置扩散区通过第一金属线连接，其中，第二像素的第三浮置扩散区和第三像素的第三浮置扩散区通过第二金属线连接。

公开(公告)号：CN112866592A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011051961.7

申请日：2020-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹浈斌 ,  金焕雄 ,  沈殷燮 ,  李景镐 ,  李泓锡

IPC: H04N5/369 ,  H04N5/378 ,  H04N5/14 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器和操作成像装置的方法。所述图像传感器包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素，第一像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，第二像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第三像素包括第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区，第四像素包括第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，其中，第一像素的第二浮置扩散区和第二像素的第二浮置扩散区通过第一金属线连接，其中，第二像素的第三浮置扩散区和第三像素的第三浮置扩散区通过第二金属线连接。

公开(公告)号：CN115037887A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210019019.5

申请日：2022-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金焕雄 ,  金智勋 ,  朴主恩 ,  林政昱 ,  郑有珍 ,  郑泰燮

IPC: H04N5/341 ,  H04N5/378

Abstract: 一种图像传感器，包括：像素阵列，包括像素和参考像素；模拟感测电路，被配置为从像素和参考像素感测信号；以及数字逻辑电路，被配置为从模拟感测电路接收所感测的信号，并被配置为通过使用所感测的信号中与参考像素相对应的信号来补偿所感测的信号中与像素相对应的信号，其中，每个参考像素至少部分地被像素围绕。

公开(公告)号：CN116112816A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211404503.6

申请日：2022-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金焕雄 ,  金智勋 ,  尹浈斌 ,  李承俊 ,  李泓锡

IPC: H04N25/59 ,  H04N25/46 ,  H04N25/571 ,  H04N25/772

Abstract: 提供了一种包括以矩阵形状排列的像素的像素阵列。像素具有相同的结构，并且被前深槽隔离(FDTI)彼此分离。像素当中的第一像素包括第一浮动扩散区、第一组光电转换元件、第一组电荷转移晶体管、第一源极跟随器晶体管以及串联连接在第一浮动扩散区和电压供应线之间的第一晶体管、第二晶体管和第一复位晶体管。第一晶体管、第二晶体管和第一复位晶体管之一形成在第一子像素区域中。第一晶体管、第二晶体管和第一复位晶体管中的至少另一个形成在第二子像素区域中。第一子像素区域和第二子像素区域被FDTI彼此分离。