-
公开(公告)号：CN110246852B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910041867.4
申请日：2019-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种三维(3D)图像传感器。该3D图像传感器包括具有上部像素的第一基板。上部像素包括光电元件以及与光电元件连接的第一光电门和第二光电门。第二基板包括与上部像素相对应的下部像素，第二基板沿竖直方向与第一基板间隔开。下部像素包括发送由第一光电门提供的第一信号的第一转移晶体管。第一源极跟随器根据第一信号产生第一输出信号。第二转移晶体管发送由第二光电门提供的第二信号。第二源极跟随器根据第二信号产生第二输出信号。第一接合导体和第二接合导体布置在第一基板和第二基板之间，并且将上部像素与下部像素电连接。
-
公开(公告)号：CN115379145A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210429638.1
申请日：2022-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种深度传感器，其包括像素和控制像素的行驱动器，像素包括第一分接头、第二分接头、第三分接头和第四分接头、溢流晶体管和光电转换器件。第一分接头、第二分接头、第三分接头和第四分接头中的每一个包括光电晶体管、转移晶体管和读出电路。在全局模式的第一积分时段中，行驱动器激活控制第二分接头的光电晶体管的第二光电栅极信号和控制第三分接头的光电晶体管的第三光电栅极信号。在全局模式的第二积分时段中，行驱动器激活控制第一分接头的光电晶体管的第一光电栅极信号和控制第四分接头的光电晶体管的第四光电栅极信号。
-
公开(公告)号：CN111668245A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010149238.6
申请日：2020-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 公开了一种图像传感器，包括多个像素，多个像素中的至少一个包括：光电二极管，被配置为响应于光而产生电荷；以及设置在基板上的像素电路，并且所述像素电路包括：存储晶体管，被配置为存储由光电二极管产生的电荷；以及转移晶体管，连接在存储晶体管与浮置扩散节点之间，其中，当转移晶体管处于关断状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有第一电势，而当转移晶体管处于接通状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有低于第一电势的第二电势。
-
公开(公告)号：CN110246852A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910041867.4
申请日：2019-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种三维(3D)图像传感器。该3D图像传感器包括具有上部像素的第一基板。上部像素包括光电元件以及与光电元件连接的第一光电门和第二光电门。第二基板包括与上部像素相对应的下部像素，第二基板沿竖直方向与第一基板间隔开。下部像素包括发送由第一光电门提供的第一信号的第一转移晶体管。第一源极跟随器根据第一信号产生第一输出信号。第二转移晶体管发送由第二光电门提供的第二信号。第二源极跟随器根据第二信号产生第二输出信号。第一接合导体和第二接合导体布置在第一基板和第二基板之间，并且将上部像素与下部像素电连接。
-
公开(公告)号：CN100530669C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610006729.5
申请日：2006-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/37457
Abstract: CMOS有源像素传感器阵列包括多个单元块。单元块包括：在平面上在第一方向上设置的N对光电二极管区；分别对应于光电二极管区的2N个传输晶体管，其中每个传输晶体管形成于相应的光电二极管区的角部，且其中对于每对光电二极管区，两个相应的传输晶体管对称地彼此相对；N个浮置扩散节点，其中每个浮置扩散节点分别设置于一对光电二极管区之间，且其中每个浮置扩散节点由两个相应的传输晶体管和相应一对光电二极管区共用；耦合浮置扩散节点的至少一条金属线；用于复位浮置扩散节点的电压的复位晶体管；以及包括用于取样浮置扩散节点的至少一个晶体管的读出电路，其中复位晶体管和读出电路设置于该对光电二极管区之间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111668245B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202010149238.6
申请日：2020-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种图像传感器，包括多个像素，多个像素中的至少一个包括：光电二极管，被配置为响应于光而产生电荷；以及设置在基板上的像素电路，并且所述像素电路包括：存储晶体管，被配置为存储由光电二极管产生的电荷；以及转移晶体管，连接在存储晶体管与浮置扩散节点之间，其中，当转移晶体管处于关断状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有第一电势，而当转移晶体管处于接通状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有低于第一电势的第二电势。
-
公开(公告)号：CN110708483B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201910178164.6
申请日：2019-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70 , G01S17/08 , H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：单元像素，在单元像素中，彼此相邻的第一单元像素和第二单元像素均包括：第一抽头，具有第一光栅极，第一抽头施加有相对于光学信号具有第一相位差的第一信号；以及第二抽头，具有第二光栅极，第二抽头施加有相对于所述光学信号具有第二相位差的第二信号。第一单元像素中的第一抽头的位置和第二单元像素中的第一抽头的位置以及第一单元像素中的第二抽头的位置和第二单元像素中的第二抽头的位置基于第一单元像素与第二单元像素之间的一点或一条直线彼此对称。
-
公开(公告)号：CN118075635A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311568149.5
申请日：2023-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种图像传感器，该图像传感器包括：单位像素，每个单位像素包括第一子像素和在图像传感器的俯视图中与第一子像素相邻的第二子像素；以及透镜阵列，包括在每个单位像素的第一子像素上的第一子透镜区域和在每个单位像素的第二子像素上的第二子透镜区域。第一子透镜区域可以包括第一微透镜，第二子透镜区域包括第二微透镜。此外，第一微透镜可以包括限定在其中心区域中的凹陷。
-
公开(公告)号：CN117913109A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311244067.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , G01S7/4865 , G01S7/4915 , G01S17/08 , G01S7/4863 , G01S7/4914 , H04N25/705 , H04N25/76 , H04N25/77 , H04N25/78
Abstract: 一种深度传感器包括：衬底，包括在第一方向上彼此相对的第一面和第二面；光电转换元件，设置在衬底中；以及第一抽头和第二抽头，连接到光电转换元件。第一抽头和第二抽头中的每一个包括：浮动扩散区，设置在衬底中；传输晶体管，连接到浮动扩散区；光电晶体管，连接到光电转换元件；抽头传输晶体管，连接到光电晶体管；以及存储晶体管，连接到抽头传输晶体管和传输晶体管。存储晶体管包括存储栅电极。存储栅电极包括从衬底的第一面朝向第二面延伸的第一延伸部和第二延伸部，并且第一延伸部和第二延伸部在第二方向上彼此间隔开。
-
公开(公告)号：CN111293129B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201911232659.9
申请日：2019-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括半导体基板，该半导体基板包括第一表面和第二表面并且还包括阱区和第一浮置扩散区，阱区和第一浮置扩散区中的每个与第一表面相邻。图像传感器包括第一垂直传输栅极和第二垂直传输栅极，第一垂直传输栅极和第二垂直传输栅极被隔离而不彼此直接接触并且每个从半导体基板的第一表面且在半导体基板的厚度方向上延伸穿过阱区的至少一部分。图像传感器包括在第一垂直传输栅极和第一浮置扩散区之间并在半导体基板的第一表面上的第一存储栅极。图像传感器包括在第一存储栅极和第一浮置扩散区之间并在半导体基板的第一表面上的第一分接头传输栅极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.033 seconds)
