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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119947124A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411220721.3
申请日：2024-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体芯片，包括：衬底；衬底上的多个上焊盘，该多个上焊盘包括第一组上焊盘和第二组上焊盘；缓冲层，覆盖第一组上焊盘的侧表面；以及绝缘层，在衬底上围绕第二组上焊盘的侧表面和缓冲层的侧表面，其中，缓冲层包括第一材料，该第一材料的第一杨氏模量小于多个上焊盘中的第二材料的第二杨氏模量。
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公开(公告)号：CN118538707A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202311385735.6
申请日：2023-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L21/60
Abstract: 根据实施例的半导体结构可以包括：互连结构，在基板上；层间介电层，在互连结构上；第一导电焊盘，在层间介电层内并与互连结构电耦接；第二导电焊盘，在层间介电层内并与互连结构电解耦；第一过孔插塞，在层间介电层内；以及接合结构，在层间介电层上并包括第一接合焊盘、多个第二接合焊盘、以及接合介电层，其中，第一接合焊盘电耦接到第一过孔插塞，多个第二接合焊盘中的一些第二接合焊盘在竖直方向上与第一导电焊盘间隔开，并且多个第二接合焊盘中的其他第二接合焊盘在竖直方向上与第二导电焊盘间隔开。
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公开(公告)号：CN117594552A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310974718.X
申请日：2023-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一半导体器件；第二半导体芯片，包括第二半导体器件；以及在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的接合结构，该接合结构包括第一接合焊盘、第一接合绝缘层、与第一接合焊盘接触的第二接合焊盘、以及与第一接合绝缘层接触的第二接合绝缘层。第一接合焊盘可以包括第一焊盘金属层和围绕第一焊盘金属层的第一导电阻挡层，并且第一导电阻挡层可以包括在第一焊盘金属层的上表面的边缘上延伸的水平延伸部。
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公开(公告)号：CN119695039A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202410532426.5
申请日：2024-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体封装可以包括第一介电结构、在该第一介电结构中的第一焊盘、设置在该第一介电结构上的第一半导体芯片、以及电连接到该第一焊盘的凸块。第一半导体芯片包括：第一衬底；第一芯片介电层，与第一介电结构接触；以及第一芯片焊盘，与第一焊盘的顶表面接触。第一焊盘可以设置在凸块与第一半导体芯片的第一芯片焊盘之间。第一焊盘可以包括第一导电层和被第一导电层覆盖的第二导电层。凸块可以被定位为相比于距第二导电层的距离更靠近第一导电层。
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公开(公告)号：CN117810188A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311089626.X
申请日：2023-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/482
Abstract: 一种半导体封装件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片堆叠在所述第二半导体芯片上。所述第一半导体芯片包括：第一基板；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一基板的下表面上；以及第一焊盘，所述第一焊盘通过所述第一绝缘层被暴露。所述第二半导体芯片包括：第二基板；第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第二基板的上表面上并且接触所述第一绝缘层；以及第二焊盘，所述第二焊盘通过所述第二绝缘层被暴露并且接触所述第一焊盘。所述第一焊盘具有倾斜侧表面和朝向所述第一基板增加的第一宽度，并且所述第二焊盘具有倾斜侧表面和朝向所述第二基板增加的第二宽度。
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