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公开(公告)号：CN107039098A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611010091.2
申请日：2016-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开银纳米线的群、其制造方法、包括其的电导体和电子装置。所述电导体包括：基底；和设置在所述基底上并且包括多个银纳米线的导电层，其中所述银纳米线在其X射线衍射光谱中呈现归属于(111)晶面的主峰，且在高斯拟合之后的所述主峰的2θ半宽度(FWHM)小于约0.40度。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN113097303A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010939673.9
申请日：2020-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/11502
Abstract: 提供了包括具有被调整的晶向的电介质层的电子器件、制造该电子器件的方法和包括该电子器件的存储器件。该电子器件包括提供在衬底上的籽晶层和提供在籽晶层上的电介质层。籽晶层包括具有被配向的晶向的晶粒。电介质层包括具有配向在与籽晶层的晶向相同的方向上的晶向的晶粒。
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公开(公告)号：CN107039098B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201611010091.2
申请日：2016-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开银纳米线的群、其制造方法、包括其的电导体和电子装置。所述电导体包括：基底；和设置在所述基底上并且包括多个银纳米线的导电层，其中所述银纳米线在其X射线衍射光谱中呈现归属于(111)晶面的主峰，且在高斯拟合之后的所述主峰的2θ半宽度(FWHM)小于约0.40度。
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公开(公告)号：CN112701157A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011095367.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L51/05 , H01L21/336
Abstract: 提供了电子器件和制造其的方法和系统。该电子器件包括电介质层，该电介质层包括具有被对准的晶向的晶粒，该电介质层可以在基板和栅电极之间。电介质层可以在隔开的第一电极和第二电极之间。制造电子器件的方法可以包括：准备具有沟道层的基板；在沟道层上形成电介质层；以及在电介质层上形成栅电极。
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公开(公告)号：CN107230814A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710123087.5
申请日：2017-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M12/08
CPC classification number: H01M12/08 , H01M4/8605 , H01M4/8807 , H01M4/8875 , H01M4/8882 , H01M4/96 , H01M12/06 , H01M2004/8689 , Y02E60/128
Abstract: 本发明涉及金属‑空气电池及其制造方法。金属‑空气电池包括：包括金属的负极部分；包括多孔层的正极部分，其中所述多孔层包括非堆叠还原氧化石墨烯；以及设置在所述负极部分和所述正极部分之间的电解质。
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