公开(公告)号：CN118251013A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202310897367.7

申请日：2023-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆勳 ,  金宣浩 ,  金世润 ,  金贤庆 ,  杨承烈 ,  延国贤 ,  李珉贤 ,  崔硕训 ,  许浩硕

IPC: H10B43/35

Abstract: 提供了垂直NAND闪存装置。所述垂直NAND闪存装置可包括：多个单元阵列。所述多个单元阵列中的每个可包括：沟道层；电荷捕获层，在沟道层上；以及多个栅电极，在电荷捕获层上。电荷捕获层可包括包含金属的氮氧化硅。金属可包括Ga和In中的至少一者。

公开(公告)号：CN119255611A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202410874510.5

申请日：2024-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许浩硕 ,  金庆勋 ,  金宣浩 ,  金贤庆 ,  李珉贤 ,  崔硕训 ,  玄昇潭

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/20

Abstract: 提供竖直NAND闪存器件和包括其的电子设备。竖直NAND闪存器件包括多个单元阵列。所述多个单元阵列各自包括沟道层、设置在沟道层上的电荷俘获层和设置在电荷俘获层上的多个栅电极。所述电荷俘获层包括基体和分散在所述基体中并包括具有半导体特性的氮化物的纳米晶体，所述基体包括非晶金属氧氮化物。

公开(公告)号：CN117597016A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311052282.5

申请日：2023-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  姜周宪 ,  金宣浩 ,  金裕珉 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 提供可变电阻存储器件和/或包括其的电子设备。所述可变电阻存储器件包括：包括具有大于或等于约9％的缺氧率的金属氧化物的电阻变化层；在所述电阻变化层上的半导体层；在所述半导体层上的栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上彼此隔开的多个栅电极。

公开(公告)号：CN118301939A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311128821.9

申请日：2023-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄昇潭 ,  金庆勳 ,  金宣浩 ,  金贤庆 ,  朴洸珉 ,  杨承烈 ,  延国贤 ,  李珉贤 ,  崔硕训 ,  许浩硕

IPC: H10B43/35

Abstract: 公开了垂直NAND闪存装置。所述垂直NAND闪存装置包括多个单元阵列，其中，所述多个单元阵列的每个单元阵列包括：沟道层；电荷捕获层，设置在沟道层上，电荷捕获层包括基体和电荷捕获材料，基体包括电介质，电荷捕获材料在基体中并且包括反铁电纳米晶体或铁电纳米晶体；以及多个栅电极，设置在电荷捕获层上。

公开(公告)号：CN117596893A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310916866.6

申请日：2023-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕珉 ,  姜周宪 ,  金宣浩 ,  金世润 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇

IPC: H10B63/00

Abstract: 提供一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件可以包括导电柱、围绕导电柱的侧表面的电阻变化层、围绕电阻变化层的侧表面的半导体层、围绕半导体层的侧表面的栅极绝缘层、以及沿着栅极绝缘层的表面交替布置的多个绝缘图案和多个栅电极。所述多个绝缘图案和所述多个栅电极可以围绕栅极绝缘层的侧表面。