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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117219528A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310429834.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L23/60 , H01L21/67 , H01L27/02 , H01L23/544
Abstract: 一种IC包括：焊盘；电流检测器件，连接到焊盘，并且被配置为生成与静电放电(ESD)事件相对应的监测信息；以及内部电路，被配置为从电流检测器件接收监测信息，其中，电流检测器件包括：电流感测电路，具有T线圈，该T线圈被配置为当ESD事件发生时生成ESD电流，并且还被配置为生成与ESD电流相对应的感应电压；多个检测电路，基于感应电压输出检测信号；以及监测电路，被配置为从多个检测电路中的每一个接收检测信号，并且被配置为生成监测信息，其中，多个检测电路对感应电压具有不同的灵敏度。
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公开(公告)号：CN116033744A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211256480.9
申请日：2022-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有单元阵列区、外围电路区、以及它们之间的边界区；栅电极，位于单元阵列区中，并位于延伸到衬底的内部的多个字线沟槽中；器件隔离层，位于衬底的外围电路区中并限定多个有源区；以及边界结构，位于边界区中，并且位于延伸到衬底的内部的边界沟槽中。该边界结构可以包括位于边界沟槽的内壁上的掩埋绝缘层、位于掩埋绝缘层上的绝缘衬垫、以及位于绝缘衬垫上的填充边界沟槽的内部的间隙填充绝缘层，并且绝缘衬垫的上表面可以位于比多个有源区中的对应有源区的上表面低的高度处。
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公开(公告)号：CN111343844A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201911009218.2
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05K9/00
Abstract: 公开了一种用于容纳电子装置的外壳和一种具有该外壳的电子系统。所述电子系统包括：壳体，具有下壳体和与下壳体可拆卸地组合的上壳体；电路板，布置在壳体的内部空间中并固定到下壳体，使得针对电路板设置至少一条接地线和至少一条连接线；多个器件，布置在电路板上，使得每个器件通过接地线彼此分开并通过连接线彼此连接；以及至少一个电磁屏蔽构件，嵌入到上壳体上，使得电磁屏蔽构件在器件周围与接地线接触，以提供容纳器件置的屏蔽空间。通过电磁屏蔽构件保护器件免受非预期电磁波的影响。
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公开(公告)号：CN111343844B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201911009218.2
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H05K9/00
Abstract: 公开了一种用于容纳电子装置的外壳和一种具有该外壳的电子系统。所述电子系统包括：壳体，具有下壳体和与下壳体可拆卸地组合的上壳体；电路板，布置在壳体的内部空间中并固定到下壳体，使得针对电路板设置至少一条接地线和至少一条连接线；多个器件，布置在电路板上，使得每个器件通过接地线彼此分开并通过连接线彼此连接；以及至少一个电磁屏蔽构件，嵌入到上壳体上，使得电磁屏蔽构件在器件周围与接地线接触，以提供容纳器件置的屏蔽空间。通过电磁屏蔽构件保护器件免受非预期电磁波的影响。
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公开(公告)号：CN116068258A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211314553.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R19/165
Abstract: 公开了一种半导体器件，包括连接到至少一个焊盘的内部电路。第一电感器元件连接在至少一个焊盘和内部电路之间，第二电感器元件耦合到第一电感器元件，并由于在第一电感器元件中流动的过电流而生成感应电压。事件检测电路包括连接到第二电感器元件的监测元件。监测元件被配置为通过感测由在第二电感器元件中生成的感应电压和在第二电感器元件中流动的电流中的至少一个引起的监测元件的特性改变来生成事件检测信号。内部电路向事件检测电路供应操作电压，并通过从事件检测电路接收事件检测信号来确定是否已发生了引起过电流的事件。
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