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公开(公告)号：CN116033744A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211256480.9
申请日：2022-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有单元阵列区、外围电路区、以及它们之间的边界区；栅电极，位于单元阵列区中，并位于延伸到衬底的内部的多个字线沟槽中；器件隔离层，位于衬底的外围电路区中并限定多个有源区；以及边界结构，位于边界区中，并且位于延伸到衬底的内部的边界沟槽中。该边界结构可以包括位于边界沟槽的内壁上的掩埋绝缘层、位于掩埋绝缘层上的绝缘衬垫、以及位于绝缘衬垫上的填充边界沟槽的内部的间隙填充绝缘层，并且绝缘衬垫的上表面可以位于比多个有源区中的对应有源区的上表面低的高度处。
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